AI Summary & Key Takeaways
AI InsightIt was revealed that microplasma-based infrared detectors and image converters combined with semiconductor-gas discharge systems can be specifically modeled for the intended application.
📌 3 Key Takeaways
Abstract
With their unique electrical and optical properties, microplasmas have become the focus of great interest in the broad field of plasma science and engineering in designing advanced materials and devices, including light sources, photodetectors, and microplasma field effect transistors. This conceptual research study was carried out for the numerical analyzes of gas discharge-semiconductor -based microplasmas (GDSµP) in the COMSOL Multiphysics program. Plasma modeling was based on electron energy distribution using Maxwell analytic function. Zinc selenide (ZnSe), a type II-VI compound semiconductor, was modeled as the cathode electrode with a micro-digitated electron emission surface, coupled to a microdischarge gap consisting of unary argon (Ar) and binary argon/hydrogen (Ar/H2) gases. Bandgap tunable ZnSe has attracted the attention of researchers for various optoelectronic applications, including high-efficiency and fast-response infrared imaging devices in the near-mid infrared spectrum. The binary gas system consisted of argon mixed with 10% molar hydrogen. Spatiotemporal distribution patterns of the main discharge parameters were plotted across the 100 µm discharge gap length of a two-dimensional square chamber in gases media at 250 Torr subatmospheric pressure. Microscale normal glow discharges were generated under electric field fed with a constant voltage of 1300 VDC in a virtual electrical equivalent circuit (EEC). GDSµP cells were simulated to explore fast transient discharge parameters, including electron density (ED), electron current density (ECD), and electric potential (EP). It was revealed that microplasma-based infrared detectors and image converters combined with semiconductor-gas discharge systems can be specifically modeled for the intended application.
Özet
Sahip oldukları elektro-optik özellikleri nedeniyle mikro plazmalar; ışık kaynakları, foto detektörler ve mikro plazma temelli alan etkili transistörler dahil olmak üzere plazma bilimi ve teknolojisi alanında mevcut çeşitli uygulamalar için geliştirilen ileri malzeme ve aygıtların tasarımında büyük ilgi odağı haline gelmiştir. Bu makalede, sonlu elemanlar yöntemine (FEM) dayalı olarak çalışan COMSOL Multiphysics programını kullanarak yarıiletken-gaz deşarj mikro plazma sisteminin sayısal modelleme ve analiz çalışması gerçekleştirildi. Mikro plazma sisteminde, tip II-VI bileşik yarıiletken çinko selenit (ZnSe) malzemeye akuple argon (Ar) ve argon/hidrojen (Ar/H2) gaz deşarj hücresi modellendi. ZnSe, ışık yayan diyot ve diyot lazer aygıtlar dahil olmak üzere çeşitli optoelektronik uygulamalarda kullanılmaktadır. İkili gaz sisteminde, 10% molar H2 içeren Ar gaz karışımı deşarj ortamı olarak modellendi. Elektron yoğunluğu, elektron akım yoğunluğu ve elektrik potansiyeli parametrelerinin 2 ve 3 -boyutlu uzay-zamansal değişimlerinin sayısal analizleri; 100 µm aralıklı mikro plazma hücresinde, 250 Torr basınçtaki Ar ve Ar/H2 gaz ortamlarda, 1300 VDC elektrotlararası gerilim altında, normal glow deşarj rejiminde gerçekleştirildi. Hibrit ZnSe-Ar/H2 yarıiletken-gaz deşarj sisteminin mikro plazma temelli kızılötesi sensör ve görüntü çevirici aygıt uygulamaları için tasarlanabileceği, sayısal modelleme ve simülasyon çalışmaları neticesinde elde edilen verilerden anlaşılmaktadır.