Elde edilen sonuçların birbirleriyle ve literatürle uyumlu oldukları gözlenmiştir.
📌 3 Maddede Bu Makale
🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada yaygın olarak kullanılan yarıiletkenlerden olan silisyum ve germanyumun yasak enerji aralığı iki farklı yöntem kullanılarak tayin edilmiştir.
📊
Temel Bulgular & Veri:Bunlar yasak enerji aralığı, yarıiletkenden geçen akımın sabit tutulması durumunda eklem voltajının sıcaklıkla değişimi ve farklı sıcaklıklar için çizilen l-V eğrilerinin incelenmesi yöntemleridir.
💡
Sonuç & Katkı:Elde edilen sonuçların birbirleriyle ve literatürle uyumlu oldukları gözlenmiştir.
🔬Tür:Literatür & Derleme Çalışması
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Enerji band aralığı · Silikon · Germanyum
Özet
Bu çalışmada yaygın olarak kullanılan yarıiletkenlerden olan silisyum ve germanyumun yasak enerji aralığı iki farklı yöntem kullanılarak tayin edilmiştir. Bunlar yasak enerji aralığı, yarıiletkenden geçen akımın sabit tutulması durumunda eklem voltajının sıcaklıkla değişimi ve farklı sıcaklıklar için çizilen l-V eğrilerinin incelenmesi yöntemleridir. Ölçümler 100K-340K sıcaklık aralığında yapılmıştır. Elde edilen sonuçların birbirleriyle ve literatürle uyumlu oldukları gözlenmiştir.
YILDIRIM, M., DURMUŞ, H. (2007). Silikon ve Germanyum’un Yasak Enerji Band Aralıklarının Düşük Sıcaklık Ölçümü ile Belirlenmesi. Selçuk Üniversitesi Fen Fakültesi Fen Dergisi, Cilt: 2 - Sayı: 30, 93–96. https://ajindex.com/articles/800489