Elde edilen sonuçların birbirleriyle ve literatürle uyumlu oldukları gözlenmiştir.
📌 3 Key Takeaways
🎯
Objective & Hypothesis:Bu çalışmada yaygın olarak kullanılan yarıiletkenlerden olan silisyum ve germanyumun yasak enerji aralığı iki farklı yöntem kullanılarak tayin edilmiştir.
📊
Key Findings & Data:Bunlar yasak enerji aralığı, yarıiletkenden geçen akımın sabit tutulması durumunda eklem voltajının sıcaklıkla değişimi ve farklı sıcaklıklar için çizilen l-V eğrilerinin incelenmesi yöntemleridir.
💡
Conclusion & Impact:Elde edilen sonuçların birbirleriyle ve literatürle uyumlu oldukları gözlenmiştir.
🔬Design:Review & Systematic Survey
📍Scope:Comprehensive Sample
⚙️Variables:Enerji band aralığı · Silikon · Germanyum
Özet
Bu çalışmada yaygın olarak kullanılan yarıiletkenlerden olan silisyum ve germanyumun yasak enerji aralığı iki farklı yöntem kullanılarak tayin edilmiştir. Bunlar yasak enerji aralığı, yarıiletkenden geçen akımın sabit tutulması durumunda eklem voltajının sıcaklıkla değişimi ve farklı sıcaklıklar için çizilen l-V eğrilerinin incelenmesi yöntemleridir. Ölçümler 100K-340K sıcaklık aralığında yapılmıştır. Elde edilen sonuçların birbirleriyle ve literatürle uyumlu oldukları gözlenmiştir.
YILDIRIM, M., DURMUŞ, H. (2007). The Determination of Forbidden Energy Band Gap of Silicon and Germanium w,th Low Temperature Measurement. Selçuk Üniversitesi Fen Fakültesi Fen Dergisi, Cilt: 2 - Sayı: 30, 93–96. https://ajindex.com/articles/800489