Dergiler / Journal of Scientific Reports-A / 2011 / Sayı: 026

ANTİMON KATKILI TiO2/n-Si METAL-YALITKAN-YARIİLETKEN DİYODUN ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN FARKLI YÖNTEMLERLE BELİRLENMESİ

THE DETERMINATION OF ELECTRICAL PARAMETERS OF METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR DIODES BASED ON ANTIMONY-DOPED TiO2/n-Si BY DIFFERENT METHODS

Sayfa
25–38
Yayın Tarihi
2011-12-15
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Tüm yöntemlerden elde edilen engel yüksekliği değerlerinde iyi bir uyum gözlenirken, idealite faktörü ve seri direnç değerlerinin sırasıyla 2.74-3.42 ile 94 - 4118arasında değiştiği gözlenmiştir.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) diyotların, I-V karakteristikleri yardımıyla elde edilen parametreleri elektronik tasarımlarda önemli yer tutmaktadır.
📊
Temel Bulgular & Veri:Bu çalışmada, antimon katkılı TiO2/n-Si MIS diyot oluşturulmuş ve yapının idealite faktörü (n), engel yüksekliği ()ve seri direnç değeri (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri ileri beslem I-V, Cheung fonksiyonları, Norde metodu, Bohlin metodu, Hernandez metodu ve Chattopadhyay metodu gibi farklı metotlarla hesaplanmıştır.
💡
Sonuç & Katkı:Tüm yöntemlerden elde edilen engel yüksekliği değerlerinde iyi bir uyum gözlenirken, idealite faktörü ve seri direnç değerlerinin sırasıyla 2.74-3.42 ile 94 - 4118arasında değiştiği gözlenmiştir.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Sb-katkılı TiO2/n-Si MIS yapı · I-V karakteristiği · Bohlin metodu

Özet

Metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) diyotların, I-V karakteristikleri yardımıyla elde edilen parametreleri elektronik tasarımlarda önemli yer tutmaktadır. Çığ gibi büyüyen elektronik sanayisinde, değişik yöntemlerle malzeme parametrelerinin her geçen gün iyileştirilmesi ve çeşitliliğinin artması, malzemelerin karakterizasyonlarından yapılan parametre hesaplamalarında yeni metotlar bulunmasının yolunu açmıştır. Bu çalışmada, antimon katkılı TiO2/n-Si MIS diyot oluşturulmuş ve yapının idealite faktörü (n), engel yüksekliği ()ve seri direnç değeri (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri ileri beslem I-V, Cheung fonksiyonları, Norde metodu, Bohlin metodu, Hernandez metodu ve Chattopadhyay metodu gibi farklı metotlarla hesaplanmıştır. Tüm yöntemlerden elde edilen engel yüksekliği değerlerinde iyi bir uyum gözlenirken, idealite faktörü ve seri direnç değerlerinin sırasıyla 2.74-3.42 ile 94 - 4118arasında değiştiği gözlenmiştir.

Abstract

Metal-insulator-semiconductor (MIS) diodes-parameters which are obtained by characteristics are very important in electronic design. In rapidly developing electronic industry, the improvements of material parameters by using various methods, hence the increasing of diversity provides to find new methods in parameter solutions, which is calculated from material characterizations. In this study, antimony doped TiO2/n-Si MIS diode was fabricated and basic electrical parameters of the device such as ideality factor (n), barrier height (), and series resistance (Rs) were determined from the forward bias I-V characteristics, Cheung functions, Norde’s method, Bohlin’s method, Hernandez’s method and Chattopadhyay’s method. While there was a good agreement for the values of barrier height obtained from all methods, the ideality factor and series resistance values vary between 2.74 - 3.42 and 94 - 4118, respectively .

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

SÖNMEZOĞLU, S., AKIN, S. (2011). ANTİMON KATKILI TiO2/n-Si METAL-YALITKAN-YARIİLETKEN DİYODUN ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN FARKLI YÖNTEMLERLE BELİRLENMESİ. Journal of Scientific Reports-A, Sayı: 026, 25–38. https://ajindex.com/articles/779148

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (16)

  1. F. Braun, “On the current conduction through metal sulphides (in German)”, Ann. Rev. Phys. Chem., 153, 556 (1874)
  2. W. Schottky, “Zur halbleitertheorie der sperrschichtund spitzengleichrichter”, Springer Berlin/Heidelberg, Berlin, (1938)
  3. H. A. Bethe, “Theory of the boundary layer of crystal rectifiers”, MIT Radiat. Lab. Rep., 43, 12 (1942)
  4. A. H. Wilson, "A note on the theory of rectification", Proceeding of the Royal. Society A, 136, 487 (1932)
  5. V. L. Rideout, “Metal-semiconductor rectifiers”, Thin Solid Films, 48, 261 (1978)
  6. A.M. Cowley, and S.M. Sze, “Surface states and barrier height of metal-semiconductor systems”, J. Appl. Phys., 36, 3212 (1965)
  7. M. Dragoman, A. Cismaru, H. Hartnagel, and R. Plana, “Reversible metal-semiconductor transitions for microwave switching applications”, Appl. Phys. Lett., 88, 073503 (2006)
  8. B. C. Yadav, R. Srivastava, and C. D. Dwivedi, “Synthesis and characterization of ZnO-TiO2 nanocomposite and its application as a humidity sensor”, Phil. Mag., 88, 1113 (2008)
  9. Q. Wang, “High-efficiency hydrogenated amorphous/crystalline Si heterojunction solar cells”, Phil. Mag., 89, 2587 (2009)
  10. K. T. Sung, W. Q. Li, S. H. Li, S. W. Pang, and P. K. Bhattacharya, “Application of high-quality SiO2 grown by multipolar ECR source to Si/SiGe MISFET”, Electron. Lett., 29, 277 (1993)
  11. S. Sönmezoğlu, S. Şenkul, R. Taş, G. Çankaya, and M. Can, “Electrical characteristics of an organic thin copolymer/p-Si Schottky barrier diode ”, Thin Solid Films, 518, 4375 (2010)
  12. S. Sönmezoğlu, Ö. A. Sönmezoğlu, G. Çankaya, A. Yıldırım, and N. Serin, “Electrical characteristics of DNA based metal-insulator-semiconductor structures”, J. Appl. Phys., 107, 124518 (2010)
  13. S. Sönmezoğlu, C. B. Durmuş, R. Taş, G. Çankaya, and M. Can, “Fabrication and electrical characterization of pyrrole–aniline copolymer-based Schottky diodes”, Semicond. Sci. Technol., 26, 055011 (2011)
  14. S. Sönmezoğlu, S. Şenkul, R. Taş, G. Çankaya, and M. Can, “Electrical and interface state density properties of polyaniline–poly-3-methyl thiophene blend/p-Si Schottky barrier diode”, Solid State Sci., 12, 706 (2010)
  15. P. Cova, and A. Singh, “Temperature-dependence of I-V and C-V characteristics of Ni/N-CdF2 Schottky-barrier type diodes”, Solid State Electron., 33, 11 (1990)
  16. B. Akkal, Z. Benamara, L. Bideux, and B. Gruzza, “Electrical characterization of the Au/InP(100) and Au/InSb/InP(100) structures”, Microelectron. J., 30,