Dergiler / Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2026 / Cilt: 11 Sayı: 1

Kapasitans‐Voltaj (C‐V) Yöntemiyle Sb Katkılı TiO2 / n‐Si MIS Yapının Seri Direnç Parametresinin Hesaplanması

The Determination of Series Resistance Parameter of Sb‐Doped TiO2 / n‐ Si MIS Structure by Capacitance‐Voltage (C‐V) Method

Sayfa
1–8
Yayın Tarihi
2011-04-01
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Yalıtkan ara tabakanın büyük olduğu durumlarda C‐V yönteminden elde edilen seri direnç ve engel yüksekliği gibi parametreler I‐V yönteminden daha doğru ve güvenilir sonuçlar vermektedir.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada, Sb katkılı TiO2/n‐Si MIS diyotun seri direnç ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreleri I‐V ve C‐V karakteristikleri yardımıyla hesaplanmış ve analiz edilmiştir.
📊
Temel Bulgular & Veri:I‐V karakteristiklerinden elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri sırasıyla, 2.79, 0.68 eV ve 4118 Ω olarak elde edilmiştir.
💡
Sonuç & Katkı:Yalıtkan ara tabakanın büyük olduğu durumlarda C‐V yönteminden elde edilen seri direnç ve engel yüksekliği gibi parametreler I‐V yönteminden daha doğru ve güvenilir sonuçlar vermektedir.
🔬Tür:Makale
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:C‐V karakteristiği · I‐V karakteristiği · Seri direnç

Özet

Bu çalışmada, Sb katkılı TiO2/n‐Si MIS diyotun seri direnç ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreleri I‐V ve C‐V karakteristikleri yardımıyla hesaplanmış ve analiz edilmiştir. I‐V karakteristiklerinden elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri sırasıyla, 2.79, 0.68 eV ve 4118 Ω olarak elde edilmiştir. C‐V karakteristiğinden engel yüksekliği ve seri direnç değerleri ise sırasıyla 1.94 eV ve 10.45 Ω olarak elde edilmiştir. C‐V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri ile I‐V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri arasındaki farkın sebepleri arayüzey durumları, seri direnç etkisi ve yalıtkan tabakanın varlığı olabilir. Yalıtkan ara tabakanın büyük olduğu durumlarda C‐V yönteminden elde edilen seri direnç ve engel yüksekliği gibi parametreler I‐V yönteminden daha doğru ve güvenilir sonuçlar vermektedir.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

Sönmezoğlu, S., Akın, S. (2011). Kapasitans‐Voltaj (C‐V) Yöntemiyle Sb Katkılı TiO2 / n‐Si MIS Yapının Seri Direnç Parametresinin Hesaplanması. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt: 11 Sayı: 1, 1–8. https://ajindex.com/articles/1355417

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...