Dergiler / Politeknik Dergisi / 2014 / Cilt: 17 Sayı: 4

Çift Gaz Boşalma Aralıklı Plazma Hücresinde GaAs Yarıiletken Yüzeyindeki Oksitlenmenin Sistem Karakteristiklerine Etkisi

The Effect of The Oxidation on GaAs Semiconductor Surface to the System Characteristics in A DoubleGapped Plasma Cell

Sayfa
161–165
Yayın Tarihi
2014-12-01
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

U = 200-2000 Volt besleme gerilimi altında, Paschen eğrisinden kritik voltaj değerleri belirlendi.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:GaAs yarıiletken katotlu çift gaz boşalma aralıklı plazma hücresinde sistem karakteristiklerinin oksitlenme nedeniyle kararsızlık sergilediği deneysel olarak elde edilmiştir.
📊
Temel Bulgular & Veri:Sistem karakteristikleri geniş bir gaz basıncı (p = 28 – 342 Torr), elektrotlar arası mesafe (d1 = 50 µm d2 = 50 – 320 µm) ve D = 9 mm lik yarıiletken katot çapı için deneysel olarak araştırıldı.
💡
Sonuç & Katkı:U = 200-2000 Volt besleme gerilimi altında, Paschen eğrisinden kritik voltaj değerleri belirlendi.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:2000 Verileri
⚙️Değişkenler:Gaz boşalması · GaAs · plazma

Özet

GaAs yarıiletken katotlu çift gaz boşalma aralıklı plazma hücresinde sistem karakteristiklerinin oksitlenme nedeniyle kararsızlık sergilediği deneysel olarak elde edilmiştir. Sistem karakteristikleri geniş bir gaz basıncı (p = 28 – 342 Torr), elektrotlar arası mesafe (d1 = 50 µm d2 = 50 – 320 µm) ve D = 9 mm lik yarıiletken katot çapı için deneysel olarak araştırıldı. U = 200-2000 Volt besleme gerilimi altında, Paschen eğrisinden kritik voltaj değerleri belirlendi.

Abstract

The system characteristic in a double gap gas discharge plasma cell with GaAs cathode has been identified to be unstable due to the oxidation, experimentally. The experimental studies include the system characteristics in a wide range of pressures (p = 28 – 342 Torr), interelectrode distances (d1 = 50 µm d2 = 50 – 320 µm) and semiconductor cathode diameter D (9 mm). Under the applied voltage U=200-2000, the critical voltage values from the Paschen curves are determined

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

Kurt, H. Y., Kalkan, G., Özer, M., Tanrıverdi, E., Yiğit, D. (2014). Çift Gaz Boşalma Aralıklı Plazma Hücresinde GaAs Yarıiletken Yüzeyindeki Oksitlenmenin Sistem Karakteristiklerine Etkisi. Politeknik Dergisi, Cilt: 17 Sayı: 4, 161–165. https://ajindex.com/articles/697127

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...