Ayrıca, GaAs/Ga1-xAlxAs tek parabolik kuantum kuyusunda hidrojenik düzeyler arasındaki kızılötesi geçişler üzerinde manyetik alanın etkisi incelenmiştir.
📌 3 Maddede Bu Makale
🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada, tek parabolik kuantum kuyusunda 1s, 2s ve 2p± düzeylerindeki donor safsızlık atomunun bağlanma enerjisi, etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak, kuyu genişliği ve dışarıdan uygulanan manyetik alanın bir fonksiyonu olarak hesaplamıştır.
📊
Temel Bulgular & Veri:Bu çalışmada, tek parabolik kuantum kuyusunda 1s, 2s ve 2p± düzeylerindeki donor safsızlık atomunun bağlanma enerjisi, etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak, kuyu genişliği ve dışarıdan uygulanan manyetik alanın bir fonksiyonu olarak hesaplamıştır.
💡
Sonuç & Katkı:Ayrıca, GaAs/Ga1-xAlxAs tek parabolik kuantum kuyusunda hidrojenik düzeyler arasındaki kızılötesi geçişler üzerinde manyetik alanın etkisi incelenmiştir.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Alan Parametreleri
Özet
Bu çalışmada, tek parabolik kuantum kuyusunda 1s, 2s ve 2p± düzeylerindeki donor safsızlık atomunun bağlanma enerjisi, etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak, kuyu genişliği ve dışarıdan uygulanan manyetik alanın bir fonksiyonu olarak hesaplamıştır. Ayrıca, GaAs/Ga1-xAlxAs tek parabolik kuantum kuyusunda hidrojenik düzeyler arasındaki kızılötesi geçişler üzerinde manyetik alanın etkisi incelenmiştir.
Abstract
In this study, the binding energy of the donor impurity at 1s, 2s and 2p± states in a parabolic quantum well is calculated variationally within the effective mass approximation as a function of the quantum well width and the external magnetic field. Furthermore, the effects of the magnetic field on the infrared transitions between the hydrogenic states in a parabolic quantum well under are investigated.
🔖
Bu Makaleye Atıf Yap
YEŞİLGÜL, Ü., KASAPOĞLU, E., ÇOBAN, C. (2022). Parabolik Kuantum Kuyusundaki Hidrojenik Düzeyler Üzerine Manyetik Alan Etkisi. Cumhuriyet Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fen Bilimleri Dergisi, Cilt: 37 - Sayı: 2, 99–108. https://ajindex.com/articles/480429
R.L. Greene, K.K. Bajaj, D.E. Phelps Phys. Rev. B, 29 (1984), p. 1807. [2]N.E. Kaputkina, Yu.E. Lozovik Physica E, 12 (2002), p. 323. [3]C.L. Beltran Rios, N. Porras-Montenegro Phys. Rev. B, 68 (2003), p. 155316. [4]T. Yoshioka, K. Asamo Phys. Rev. B, 86 (2012), p. 115314. [5]M.Dvorak, S.H. Wei, Z. Wu Phys. Rev. Lett., 110 (2013), p. 016402. [6]Q. Fanyao, A. L. A. Fonseca, O. A. C. Nunes, J. Appl. Phys. 82 (1997) 1236. [7]E. Kasapoglu, F. Ungan, H. Sari, I. Sokmen, M.E. Mora-Ramos, C.A. Duque, Seperlatt. Microstruc. 73 (2014) 171. [8]E. C. Niculescu, L. M. Burileanu, A. Radu, Seperlatt. Microstruc. 44 (2008) 173. [9]Radu, E. C. Niculescu, M. Cristea, J. Optoelectron. Adv. Mater. 10 (2008) 2555. [10]L. M. Burileanu, E. C. Niculescu, N. Eseanu, A. Radu, Physica E 41 (2009) 856. [11]G. Bastard, Phys. Rev. B 24, 4714 (1981). [12]C. Mailhot, Y.C. Chang, and T.C. McGill, Phys. Rev. B 26, 4449 (1982). [13]G. Bastard, J. Lum. 30, 488 (1985). [14]F.I. Betancur, I.D. Mikhailov, Phys. Rev. B 51, 4982 (1995). [15]E. Kasapoglu, F. Ungan, H. Sari, I. Sokmen,Phys. E 42, 1623(2010). [16]P. Villamila, C. Cabraa, N. Porras-Montenegro,Microelectronics J. 36,383 (2005). [17]G.V.B. de Souza, A.Bruno-Alfonso,Phys. E 66, 128(2015). [18]H. Yıldırım, B. Aslan,Phys. Status Solidi B 249, 2207 (2012). [19]B. Li, A. P. Djotyan, Y. L. Hao, A. A. Avetisyan, F. M. Peeters,Phys. Rev. B 87, 075313 (2013). [20]Abramov,World Journal of Condensed Matter Physics 2, 188,(2012).[21]J. Cen and K. K. Bajaj, Phys. Rev. B 48, 8061 (1993).