KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik / 2005 / Cilt: 6 - Sayı: 1

Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi

The effect of photo-ageing on photoluminescence and FTIR spectra of p-tpye porous silicon after anodisation

Ersin KAYAHAN
Sayfa
75–79
Yayın Tarihi
2022-10-11
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Foto-yaşlanma, PL spektrum tepesinde yüksek enerji kaymasına neden olurken, PL spektrum şiddetinde ise, sürekli azalma veya önce azalma sonra artma şeklinde iki farklı etkisinin olduğu tespit edilmiştir.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada, farklı anodizasyon sürelerinde üretilmiş gözenekli silisyumun (PS), havada foto-yaşlanması (PA) sonucu fotolüminesans (PL) spektrumunda ve yüzey kimyasal yapısında meydana gelen değişimler ele alınmıştır.
📊
Temel Bulgular & Veri:Foto-yaşlanma, PL spektrum tepesinde yüksek enerji kaymasına neden olurken, PL spektrum şiddetinde ise, sürekli azalma veya önce azalma sonra artma şeklinde iki farklı etkisinin olduğu tespit edilmiştir.
💡
Sonuç & Katkı:Elde edilen sonuçlar, hidrojen atomlarının PS yüzeyinden ayrılması ve yüzey durumları ile desteklenmiş kuantum tutulma modeli ile açıklanmıştır.
🔬Tür:Modelleme & Sayısal Simülasyon
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Alan Parametreleri

Özet

Bu çalışmada, farklı anodizasyon sürelerinde üretilmiş gözenekli silisyumun (PS), havada foto-yaşlanması (PA) sonucu fotolüminesans (PL) spektrumunda ve yüzey kimyasal yapısında meydana gelen değişimler ele alınmıştır. PS'nin yüzey kimyasal yapısı ile lüminesansı arasında açık bir ilişkinin var olduğu gözlenmiştir. Foto-yaşlanma, PL spektrum tepesinde yüksek enerji kaymasına neden olurken, PL spektrum şiddetinde ise, sürekli azalma veya önce azalma sonra artma şeklinde iki farklı etkisinin olduğu tespit edilmiştir. Elde edilen sonuçlar, hidrojen atomlarının PS yüzeyinden ayrılması ve yüzey durumları ile desteklenmiş kuantum tutulma modeli ile açıklanmıştır.

Abstract

In this study, it was investigated changes in both photoluminescence spectrum and surface chemical structures of porous silicon produced in different anodisation times due to photo-ageing in air. It was observed a clear relation between surface chemical structure and photoluminescence of porous silicon. While photo-ageing causes a blue-shift in PL spectrum peak, it causes either a continuous decrease or first a decrease and then an increase in PL spectrum intensity. The obtained results were explained with hydrogen atoms that left PS surface and quantum confinement model influenced by surface states.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

KAYAHAN, E. (2022). Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik, Cilt: 6 - Sayı: 1, 75–79. https://ajindex.com/articles/438429

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (10)

  1. Aouida, S., Saadoun, M., Boujmil, M.F., Ben Rabha, M. ve Bessais, B. (2004). Effect of UV irradiations on the structural and optical features of porous silicon: Application in silicon solar cells. Applied Surface Science, 238, (193-198).
  2. Bhave, T.M., Hullavarad, S.S., Bhoraskar, S.V., vd., (1999). FTIR studies of swift silicon and oxygen ion irradiated porous silicon. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B156, 121-124.
  3. Canham, L.T. (1990). Silicon quantum wire array fabrication by electrochenfical and chemical dissolution of wafers. Appl. Phys. Lett. 57, 1046-1048
  4. Cantin, J.L., Schoisswohl, M., Grosman A., vd., (1996). Anodic oxidation of p- and $p^+$- type porous silicon: surface structural transformations and oxide formation. Thin Solid Films. 276, 76-79
  5. Chang, S-S., Sakai, A. ve Hummel, R.E. (1999). Luminescence properties of ambient air aged and thermally oxidized porous silicon. Materials Science and Engineering B64, 118-122
  6. Halimaoui, A. (1993). Optical properties of low dimensional silicon structures. Eds: D.C. Bensahel vd., Kluwer Academic Publishers, s. 11, Netherlands. Lakshmikumar, S.T. ve Singh, P.K. (2003). Stabilization of porous silicon surface by low temperature photoassisted reaction with acetylene. Current Applied Physics 3, 185-189
  7. Maruyama, T. ve Ohtani, S.(1994). Photoluminescence of porous silicon exposed to ambient air. Appl. Phys. Lett.65 {11), 1346. Takasuka, E. ve Kamei, K. (1994). Microstructure of porous silicon and its correlation with photoluminescence. Appl. Phys. Lett. 65(4), 484-486.
  8. Toyoda, T., Yamazaki, T. ve Shen, Q. (2003). Exposure time dependence of the photoacoustic and photoluminescence intensities of porous silicon with different wavelengths of excitation light. Review of Scientific Instruments, 1A (1), 869-871.
  9. Toyoda, T. ve Torai, R. (2003). Degradation effect of porous silicon on photoacoustic and photoluminescence signal intensities with photoexcitation. Thin Solid Films. 483 (137-141).
  10. Tsai, C., Li, K.-H., Kinosky, D. S., vd., (1992). Correlation between silicon hydride species and photoluminescence intensity of porous silicon. App. Phys. Lett. 60 (14), 1700-1702.