KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2023 / Cilt: 23 Sayı: 6

Ara Yüzeyine Grafen/Grafit katkılamanın Au/n-6H SiC/Au Schottky Bariyer Diyotunun Elektriksel Özelliklerine Etkisinin Araştırılması

Investigation of the Effect of Graphene/Graphite Doping at the Interface on the Electrical Properties of Au/n-6H SiC/Au Schottky Barrier Diode

Ercan Erdoğdu(Gazi Üniversitesi)0000-0003-0926-0821
M. Mahir Bülbül(GAZİ ÜNİVERSİTESİ, FEN FAKÜLTESİ)0000-0003-0555-0637
Murat Ulusoy(GAZİ ÜNİVERSİTESİ, FEN FAKÜLTESİ)0000-0001-9842-0318
Sayfa
1381–1390
Yayın Tarihi
2023-12-28
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Yapılan çalışma sonucunda Au/n-6H SiC/Au yarıiletken yapısının dielektrik özelliklerini iyileştirme noktasında grafen’in, elektriksel özelliklerini iyileştirme noktasında grafitin olumlu etki yaptığı gözlemlenmiştir

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Au/n-6H SiC/Au yapısı ve ara yüzeyine grafit ve grafen katkılı durumları 300 K sıcaklıkta incelendi.
📊
Temel Bulgular & Veri:Hem karanlıkta hem de ışık altında (100 mW/cm², 300-1800 nm, AM 1,5G standartı) akım-voltaj (I-V) ölçümleri ve değişik frekanslarda karanlıkta kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri kullanılarak temel bazı elektriksel parametreleri hesaplandı.
💡
Sonuç & Katkı:Yapılan çalışma sonucunda Au/n-6H SiC/Au yarıiletken yapısının dielektrik özelliklerini iyileştirme noktasında grafen’in, elektriksel özelliklerini iyileştirme noktasında grafitin olumlu etki yaptığı gözlemlenmiştir
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Schottky Bariyer Diyot · Grafen · Grafit

Özet

Au/n-6H SiC/Au yapısı ve ara yüzeyine grafit ve grafen katkılı durumları 300 K sıcaklıkta incelendi. Her üç numune için Raman, Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve Enerji dağılım spektroskopisi (EDS) yapı analizleri yapıldı. Hem karanlıkta hem de ışık altında (100 mW/cm², 300-1800 nm, AM 1,5G standartı) akım-voltaj (I-V) ölçümleri ve değişik frekanslarda karanlıkta kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri kullanılarak temel bazı elektriksel parametreleri hesaplandı. Yapılan çalışma sonucunda Au/n-6H SiC/Au yarıiletken yapısının dielektrik özelliklerini iyileştirme noktasında grafen’in, elektriksel özelliklerini iyileştirme noktasında grafitin olumlu etki yaptığı gözlemlenmiştir

Abstract

The Au/n-6H SiC/Au structure and the graphite and graphene doped states at the interface of this sample were examined at 300 K temperature. Raman, Scanning electron microscopy (SEM) and Energy distribution spectroscopy (EDS) structure analyzes were performed for all three samples. Some basic electrical parameters were calculated using current-voltage (I-V) measurements both in the dark and under light (100 mW/cm², 300-1800 nm, AM 1.5G standard) and capacitance-voltage (C-V) measurements in the dark at different frequencies. As a result of the study, it was observed that graphene had a positive effect at the point of improving the dielectric properties of the Au/n-6H SiC/Au semiconductor structure, and graphite had a positive effect at the point of improving the electrical properties

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

Erdoğdu, E., Bülbül, M. M., Ulusoy, M. (2023). Ara Yüzeyine Grafen/Grafit katkılamanın Au/n-6H SiC/Au Schottky Bariyer Diyotunun Elektriksel Özelliklerine Etkisinin Araştırılması. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt: 23 Sayı: 6, 1381–1390. https://doi.org/10.35414/akufemubid.1307415

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (17)

  1. Aydoğan Ş., 2015. Katıhal Elektroniği, Ankara. 105-114, 50.
  2. Ayhan M.E., Gür B., 2020. Yüzeyi kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle grafen kaplanmış gümüş yüzeyin yansıtma ve ıslatabilme özelliklerinin incelenmesi. Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 10(1), 141-148. https://doi.org/10.21597/jist.665111
  3. Bacherikov Y.Y., Goroneskul v.Y., Gudymenko O.Y., Kladko V.P., Kolomys O.F., Krishchenko I.M., Okhrimenko O.B., Strelchuk V.V., 2020. Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 23(2), 175-179. https://doi.org/10.15407/spqeo23.02.175
  4. Bunch J.S., Zande A.M., Verbridge S.S., Frank I.W., Tanenbaum D.M., Parpia J.M., Craighead H.G., McEuen P.L., 2007. Electromechanical resonators from graphene sheets. Science, 315, 490-493. https://doi.org/10.1126/science.1136836
  5. Demirezen S., Altlndal Ş., Kalandaragh Y.A., Akbaş A.M., 2022. A comparison of Au/n-Si Schottky diodes (SDs) with/without a nanographite (NG) interfacial layer by considering interlayer, surface states (Nss) and series resistance (Rs) effects. Physica Scripta, 97, 5. https://doi.org/10.1088/1402-4896/ac645f
  6. Ezgin H., Demir E., Acar S., Özer M., 2022. Investigation of temperature-dependent electrical parameters in a Schottky barrier diode with multi-walled carbon nanotube (MWCNT) interface. Materials Science in Semiconductor Processing, 147, 2-3. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106672
  7. Ezgin H., 2022. n-6H-SiC Yarıiletken tabanlı çok duvarlı karbon nanotüp arayüzlü schottky diyot üretimi ve karakteristiklerinin belirlenmesi (Doktora), Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Haziran, 77.
  8. Güzel T., Bilgili A.K. and Özer M., 2018. Investigation of inhomogeneous barrier height for Au/n-type 6H-SiC Schottky diodes in a wide temperature range. Superlattices and Microstructures, 124, 30-40. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.10.004
  9. Kaya A., Sevgili Ö., Altındal S. and Öztürk M.K., 2015. Current-conduction mechanism in Au/n-4H-SiC Schottky barrier diodes. Indian Journal of Pure & Applied Physics, 15, 56-65.
  10. Kumar A.A., Rao L.D., Reddy V.R., Choi C.J., 2013. Analysis of electrical characteristics of Er/p-InP Schottky diode at high temperature range. Current Applied Physics, 13(6), 975-980. hhttps://doi.org/10.1016/j.cap.2013.01.046
  11. Rhoderick E. H. and Williams, R. H., 1988. Metal-Semiconductor Contacts, Oxford: Clarendon Press.
  12. Sönmezoğlu S., Akın S. 2011. Kapasitans‐Voltaj (C‐V) Yöntemiyle Sb Katkılı TiO2 / n‐Si MIS Yapının Seri Direnç Parametresinin Hesaplanması, Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi, 011101 (1‐8)
  13. Sze S.M., Kwok K.N., 2007. Physics of Semiconductor Devices, 3rd, ed John Wiley & Sons, New Jersey. 154-158.
  14. Tataroğlu A., Altındal Ş. and Kalandaragh Y.A., 2021. Electrical characterization of Au/n-Si (MS) diode with and without graphene-polyvinylpyrrolidone (Gr-PVP) interface layer. J Mater Sci: Mater Electron, 32, 3451–3459.
  15. Torğut G., Gürler N., 2021. Grafen Katkılı Nişasta Filmlerinin Dielektrik Özelliklerinin Geniş Frekans Aralığında İncelenmesi. Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 11(2), 1393-1401. https://doi.org/10.21597/jist.830255
  16. Wang Y.Y., Ni Z.H., Shen Z.X., Wang H.M., Wu Y.H., 2008. Interference enhancement of Raman signal of graphene. Appl. Phys. Lett., 92, 043121. https://doi.org/10.1063/1.2838745
  17. Zhenhua N., Yingying W., Ting Y., Zexiang S.,2008. Raman Spectroscopy and Imaging of Graphene. Nano Res. 1, 273-291 https://doi.org/10.1007/s12274-008-8036-1