SavedAdd your journal

Journals / Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2015 / Cilt: 15 Sayı: 2

(MYY) Schottky Diyotlarda Akım-Voltaj Karakteristikleri Üzerine Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Etkisi

Sedat ZEYREK
Pages
1–9
Publication Date
2015-08-30
DOI
—
🏛️Bibliographic metadata and full text access for this article are provided via DergiPark.
DergiPark Record ↗
✨

AI Summary & Key Takeaways

AI Insight
⚡ TL;DR(Too Long; Didn't Read)

I-V karakteristikleri; Nss dağılımı , Rs ve arayüzey yalıtkan tabakanın, MIS Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerini etkileyen önemli parametreler olduğunu doğrulanmıştır.

📌 3 Key Takeaways

🎯
Objective & Hypothesis:Metal-Yalıtkan-Yarıiletken (MYY) Al/Si3N4/p-Si Schottky engel diyotlarının akım-voltaj (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ölçüldü.
📊
Key Findings & Data:Al/Si3N4/p-Si yapılar elektrokimyasal anodizasyon metodu ile üretilmiştir. p tipi silisyumun yüzeyi nitridasyon işlemiyle pasive edildi.
💡
Conclusion & Impact:I-V karakteristikleri; Nss dağılımı , Rs ve arayüzey yalıtkan tabakanın, MIS Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerini etkileyen önemli parametreler olduğunu doğrulanmıştır.
🔬Design:Research Article
📍Scope:Comprehensive Sample
⚙️Variables:MYY Schottky diyot · Seri direnç · İdealite faktörü

Özet

Metal-Yalıtkan-Yarıiletken (MYY) Al/Si3N4/p-Si Schottky engel diyotlarının akım-voltaj (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ölçüldü. Al/Si3N4/p-Si yapılar elektrokimyasal anodizasyon metodu ile üretilmiştir. p tipi silisyumun yüzeyi nitridasyon işlemiyle pasive edildi. Akım-Voltaj karakteristikleri üzerine arayüzey durum yoğunluğu (Nss) ,arayüzey tabakası ve seri direncin etkileri incelendi. Al/Si3N4/pSi (MIS) Schottky engel diyotlar, Al/p-Si arayüzey tabakasındaki Si3N4 varlığı yüzünden ideal Schottky diyotlar yerine, idealite faktör değerinin 6.17 ve engel yüksekliği değerinin 0.714 eV olmasıyla doğrultucu davranış göstermesi, (MIS) metal- arayüzey tabakası- yarıiletken yapısına uyar. Seri direncin ( Rs) değerleri Cheung’ in metodu kullanılarak tanımlandı. Buna ilave olarak, (Ess-Ev) nin bir fonksiyonu olarak, arayüzey durumlarının yoğunluğu ( Nss), seri direncin hesaba katıldığı ve katılmadığı I-V ölçümlerinden elde edildi. I-V karakteristikleri; Nss dağılımı , Rs ve arayüzey yalıtkan tabakanın, MIS Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerini etkileyen önemli parametreler olduğunu doğrulanmıştır.

🔖

Cite This Article

ZEYREK, S. (2015). (MYY) Schottky Diyotlarda Akım-Voltaj Karakteristikleri Üzerine Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Etkisi. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt: 15 Sayı: 2, 1–9. https://ajindex.com/articles/920929

📄 Full Text PDF Viewer

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

References (8)

  1. Sze, S. M., 1981.Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edn. Willey, New York, 850-860.
  2. Cowley, A. M., Sze, S. M.,1965. Surface states and of barrier systems. Journal of Applied Physics, 36, 3212. metal-semiconductor Card, H.C., Rhoderick, E. H., 1971.Studies of tunnel MOS diodes I. Interface effects in silicon Schottky diodes.Journal of Physics D: Applied Physics,4, 1589-1598.
  3. Singh, A.,Reinhardt, K.C., Anderson W. A., 1990. Temperature dependence of the electrical characteristics metal-insulator-semiconductor Journal of Applied Physics. 68 (7), 3475-3477. junctions. Cova, P., Singh, A., 1990. Temperature dependence of IV and CV characteristics of Ni/n-CdF 2 Schottky barrier type diodes. Solid-State Electronics 33, 11-19.
  4. Ş.Karataş, Ş. Altındal, A. Türüt, A. Özmen, 2003. Temperature dependence of characteristic parameters of the H-terminated Sn/p-Si (1 0 0) Schottky contacts. Applied Surface Science, 217, 250-260. Hudait,M.K., Venkateswarlu, P., Krupanidhi, S.B.,2001. Electrical transport characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes on n-Ge at low temperatures. Solid-State Electronics, 45, 133- 141. Zhu, S., Van Meirhaeghe, R. L., Detavernier, C., Ru, G. P., Li, B. Z., Cardon, F., 1999.A BEEM study of the temperature dependence of the barrier height distribution in PtSi/n-Si Schottky diodes. Solid State Communications, 112, 611-615.
  5. Akkal, B., Benemara, Z., Boudissa, A., Bouiadjra, N.B., Amrani, M., Bideux,L., Gruzza, B.,1998. Modelization Au/InSb/InP Schottky systems as a function of temperature.Material Science and Engineering B, 55, 162-168. characterization of Altındal, Ş., Karadeniz, S., Tuğluoğlu, N., Tataroğlu, A.,2003.The role of interface states and series resistance on the I–V and C–Vcharacteristics in Al/SnO2/p-Si Schottky diodes. Solid-State Electronics, 47, 1847-1854.
  6. Zeyrek, S., Altındal, Ş., Yüzer, H., Bülbül, M.M., transport 2006.Current Al/Si3N4/p-Si (MIS) Schottky barrier diodes at low temperatures. Applied Surface Science, 252, 2999-3010. mechanism in Lee, B.H., Kang, L., Nieh, R., Qi, W.J., Lee, J.C., 2000.Thermal characteristics of ultrathin hafnium oxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing. Applied Physics Letters, 76, 1926.
  7. Yüzer, H., Doğan,H., Köroğlu,J., Kocakuşak, S., 2000. Analysis of sulfide layer on gallium arsenide spectroscopy. Spectrochimica Acta Part B, 55, 991-996.
  8. X-ray photoelectron Cheung, S.K., Cheung, N.W., 1986. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristic