SavedAdd your journal

Journals / Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2026 / Cilt: 15 Sayı: 2

(MYY) Schottky Diyotlarda Akım-Voltaj Karakteristikleri Üzerine Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Etkisi

Sedat Zeyrek
Pages
1–9
Publication Date
2015-08-30
🏛️Bibliographic metadata and full text access for this article are provided via DergiPark.
DergiPark Record ↗
✨

AI Summary & Key Takeaways

AI Insight
⚡ TL;DR(Too Long; Didn't Read)

I-V karakteristikleri; Nss dağılımı , Rs ve arayüzey yalıtkan tabakanın, MIS Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerini etkileyen önemli parametreler olduğunu doğrulanmıştır.

📌 3 Key Takeaways

🎯
Objective & Hypothesis:Metal-Yalıtkan-Yarıiletken (MYY) Al/Si3N4/p-Si Schottky engel diyotlarının akım-voltaj (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ölçüldü.
📊
Key Findings & Data:Al/Si3N4/p-Si yapılar elektrokimyasal anodizasyon metodu ile üretilmiştir. p tipi silisyumun yüzeyi nitridasyon işlemiyle pasive edildi.
💡
Conclusion & Impact:I-V karakteristikleri; Nss dağılımı , Rs ve arayüzey yalıtkan tabakanın, MIS Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerini etkileyen önemli parametreler olduğunu doğrulanmıştır.
🔬Design:Araştırma Makalesi
📍Scope:Comprehensive Sample
⚙️Variables:MYY Schottky diyot · Seri direnç · İdealite faktörü

Özet

Metal-Yalıtkan-Yarıiletken (MYY) Al/Si3N4/p-Si Schottky engel diyotlarının akım-voltaj (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ölçüldü. Al/Si3N4/p-Si yapılar elektrokimyasal anodizasyon metodu ile üretilmiştir. p tipi silisyumun yüzeyi nitridasyon işlemiyle pasive edildi. Akım-Voltaj karakteristikleri üzerine arayüzey durum yoğunluğu (Nss) ,arayüzey tabakası ve seri direncin etkileri incelendi. Al/Si3N4/pSi (MIS) Schottky engel diyotlar, Al/p-Si arayüzey tabakasındaki Si3N4 varlığı yüzünden ideal Schottky diyotlar yerine, idealite faktör değerinin 6.17 ve engel yüksekliği değerinin 0.714 eV olmasıyla doğrultucu davranış göstermesi, (MIS) metal- arayüzey tabakası- yarıiletken yapısına uyar. Seri direncin ( Rs) değerleri Cheung’ in metodu kullanılarak tanımlandı. Buna ilave olarak, (Ess-Ev) nin bir fonksiyonu olarak, arayüzey durumlarının yoğunluğu ( Nss), seri direncin hesaba katıldığı ve katılmadığı I-V ölçümlerinden elde edildi. I-V karakteristikleri; Nss dağılımı , Rs ve arayüzey yalıtkan tabakanın, MIS Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerini etkileyen önemli parametreler olduğunu doğrulanmıştır.

🔖

Cite This Article

Zeyrek, S. (2015). (MYY) Schottky Diyotlarda Akım-Voltaj Karakteristikleri Üzerine Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Etkisi. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt: 15 Sayı: 2, 1–9. https://doi.org/10.5578/fmbd.9657

📄 Full Text PDF Viewer

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

References (41)

  1. Sze, S. M., 1981.Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edn. Willey, New York, 850-860.
  2. Cowley, A. M., Sze, S. M.,1965. Surface states and of barrier systems. Journal of Applied Physics, 36, 3212. metal-semiconductor
  3. Card, H.C., Rhoderick, E. H., 1971.Studies of tunnel MOS diodes I. Interface effects in silicon Schottky diodes.Journal of Physics D: Applied Physics,4, 1589-1598.
  4. Singh, A.,Reinhardt, K.C., Anderson W. A., 1990. Temperature dependence of the electrical characteristics metal-insulator-semiconductor Journal of Applied Physics. 68 (7), 3475-3477. junctions.
  5. Cova, P., Singh, A., 1990. Temperature dependence of IV and CV characteristics of Ni/n-CdF 2 Schottky barrier type diodes. Solid-State Electronics 33, 11-19.
  6. Ş.Karataş, Ş. Altındal, A. Türüt, A. Özmen, 2003. Temperature dependence of characteristic parameters of the H-terminated Sn/p-Si (1 0 0) Schottky contacts. Applied Surface Science, 217, 250-260. Hudait,M.K.,
  7. Venkateswarlu, P., Krupanidhi,
  8. S.B.,2001. Electrical transport characteristics
  9. of Au/n-GaAs Schottky diodes on n-Ge at low
  10. temperatures. Solid-State Electronics, 45, 133- 141.
  11. Zhu, S., Van Meirhaeghe, R. L., Detavernier, C., Ru, G. P., Li, B. Z., Cardon, F., 1999.A BEEM study of the temperature dependence of the barrier height distribution in PtSi/n-Si Schottky diodes. Solid State Communications, 112, 611-615.
  12. Akkal, B., Benemara, Z., Boudissa, A., Bouiadjra, N.B., Amrani, M., Bideux,L., Gruzza, B.,1998. Modelization Au/InSb/InP Schottky systems as a function of temperature.Material Science and Engineering B, 55, 162-168.
  13. characterization of
  14. Altındal, Ş., Karadeniz, S., Tuğluoğlu, N., Tataroğlu, A.,2003.The role of interface states and series resistance on the I–V and C–Vcharacteristics in Al/SnO2/p-Si Schottky diodes. Solid-State Electronics, 47, 1847-1854.
  15. Zeyrek, S., Altındal, Ş., Yüzer, H., Bülbül, M.M., transport 2006.Current Al/Si3N4/p-Si (MIS) Schottky barrier diodes at low temperatures. Applied Surface Science, 252, 2999-3010. mechanism in
  16. Lee, B.H., Kang, L., Nieh, R., Qi, W.J., Lee, J.C., 2000.Thermal characteristics of ultrathin hafnium oxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing. Applied Physics Letters, 76, 1926.
  17. Yüzer, H., Doğan,H., Köroğlu,J., Kocakuşak, S., 2000. Analysis of sulfide layer on gallium arsenide spectroscopy. Spectrochimica Acta Part B, 55, 991-996. X-ray photoelectron
  18. Cheung, S.K., Cheung, N.W., 1986. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristics.Applied Physics Letters,49 (2), 85-87.
  19. Kar, S., Pancal, K.M., Bhattacharya, S., Varma, S., 1982. On the mechanism of carrier transport in metal-thin-oxide semiconductor diodes on Polycrystalline silicon. Electron Devices, IEEE Transactions on, 29,1839-1945.
  20. Feteha, M.Y., Soliman, M., Gomaa,N.G., Ashry,M., 2002. Metal-insulator-semiconductor solar cell under gamma irradiation. Renewable Energy, 26, 113-120.
  21. Beji,L.,Ben Jomaa, T, Harrabi, Z., Laribi,A., Missaoui,A., Bouazizi,A., 2006. DC and AC electrical characteristics of porous GaAs/p+– GaAs heterostructure. Vacuum 80, 480-487.
  22. Türüt A., Yalçin N., Saǧlam M. 1992. Parameter extraction from non-ideal C− V characteris cs of a Schottky diode with and without interfacial electronics,35(6),835-841. Solid-state
  23. Çakar,M.,Onganer, Y., Türüt, A., 2002. The nonpolymeric organic compound (pyronine- B)/p-type silicon/Sn contact barrier devices. Synthetic Metals, 126, 213-218.
  24. Cova, P., Singh, A., Medina, A., Masut, R. A., 1998. Effect of doping on the forward current- transport mechanisms in a metal–insulator– semiconductor contact to InP:Zn grown by metal organic vapor phase epitaxy. Solid-State Electronics, 42, 477-485.
  25. Karataş, Ş., Altındal, Ş., Çakar, M,, 2005. Current transport in Zn/p-Si(1 0 0) Schottky barrier diodes at high temperatures. Physica B: Condensed Matter, 357, 386-397.
  26. Karataş, Ş., Altındal, Ş., 2005. Analysis of I– V characteristics on Au/n-type GaAs Schottky structures in wide temperature range. Materials Science and Engineering:B, 122, 133-139.
  27. Karataş, Ş.,Türüt, A., 2006. The determination of electronic distributions of Au/n-type GaAs Schottky barrier diodes. Physica B: Condensed Matter, 381,199-203. state density
  28. Dökme, İ., 2007. The effect of series resistance and oxide layer formed by thermal oxidation on some electrical parameters of Al/SiO2/p-Si Schottky diodes. Physica B: Condensed Matter, 388, 10-15.
  29. Tataroğlu, A., Altındal, Ş., 2008. Analysis of interface states and series resistance of MIS Schottky diodes using the current–voltage (I– V)characteristics. Microelectronic Engineering, 85, 233-237. Ebeoğlu, M.A., 2008. characteristics of Au/GaN/GaAs structure. Physica B: Condensed Matter, 403, 61-66.
  30. Hackam, R., Harrop, P., 1972. Electrical properties of nickel-low-doped n-type gallium arsenide Schottky-barrier diodes. Electron Devices. IEEE Transactions on,19 (12), 1231-1238.
  31. Arshak, K., Korostynska, O., Fahim,F., 2003. Various Structures Based on Nickel Oxide Thick Films as Gamma Radiation. Sensors 2, 176- 186.
  32. Hudait, M.K., Krupanidhi, S.B, 2001. Interface states density distribution in Au/n-GaAs Schottky diodes on n-Ge and n-GaAs substrates. Materials Science and Engineering:B, 87, 141- 147.
  33. Taşçıoğlu, İ., Farooq WA., Turan R., Altındal Ş.,Yakuphanoğlu F.,2014. Charge transport mechanisms and density of interface traps in MnZnO/p-Si diodes. Journal of Alloys and Compounds,590,157-161.
  34. Akkal, B., Benemara, Z., Boudissa, A., Bouiadjra, N.B., Amrani, M., Bideux,L., Gruzza, B.,1998. Modelization Au/InSb/InP Schottky systems as a function of temperature.Material Science and Engineering B, 55, 162-168.
  35. Yüzer, H., Doğan,H., Köroğlu,J., Kocakuşak, S., 2000. Analysis of sulfide layer on gallium arsenide spectroscopy. Spectrochimica Acta Part B, 55, 991-996. X-ray photoelectron
  36. Feteha, M.Y., Soliman, M., Gomaa,N.G., Ashry,M., 2002. Metal-insulator-semiconductor solar cell under gamma irradiation. Renewable Energy, 26, 113-120.
  37. Beji,L.,Ben Jomaa, T, Harrabi, Z., Laribi,A., Missaoui,A., Bouazizi,A., 2006. DC and AC electrical characteristics of porous GaAs/p+– GaAs heterostructure. Vacuum 80, 480-487.
  38. Karataş, Ş., Altındal, Ş., Çakar, M,, 2005. Current transport in Zn/p-Si(1 0 0) Schottky barrier diodes at high temperatures. Physica B: Condensed Matter, 357, 386-397.
  39. Karataş, Ş., Altındal, Ş., 2005. Analysis of I– V characteristics on Au/n-type GaAs Schottky structures in wide temperature range. Materials Science and Engineering:B, 122, 133-139.
  40. Arshak, K., Korostynska, O., Fahim,F., 2003. Various Structures Based on Nickel Oxide Thick Films as Gamma Radiation. Sensors 2, 176- 186.
  41. Hudait, M.K., Krupanidhi, S.B, 2001. Interface states density distribution in Au/n-GaAs Schottky diodes on n-Ge and n-GaAs substrates. Materials Science and Engineering:B, 87, 141- 147.