AI Summary & Key Takeaways
AI InsightKey Words: GaP semiconductor, microelectronic gas discharge cell, IR illuminatio
📌 3 Key Takeaways
Abstract
In this paper, the electrical and optical characteristics of an air-filled planary microelectronic gas discharge cell with a GaP cathode have been explored. The breakdown curves are found for different interelectrode distances (d = 45 µm, 90 µm, 143 µm, 240 µm, 323 µm, 445 µm ve 525 µm). The measurements are taken at different pressure rates from p = 28 Torr to 690 Torr. Thereby, the effect of cell pressure to the discharge current characteristics is investigated. In addition, the IR sensitivity of GaP and the hysteresis graphics are obtained. This work is important in this sense that GaP indicates both the direct band gap and indirect band gap behaviors. Key Words: GaP semiconductor, microelectronic gas discharge cell, IR illuminatio
Özet
Bu çalışmada, GaP yarıiletken katodun, hava ortamında düzlemsel bir gaz boşalma hücresindeki elektriksel ve optiksel karakteristiği mikrolektronik gaz boşalma hücresinde (MGBH) incelenmiştir. Farklı elektrotlar arası mesafeler için (d=45 µm, 90 µm, 143 µm, 240 µm, 323 µm, 445 µm ve 525 µm) kırılma eğrileri elde edilmiştir. p=28 Torr’dan başlayarak atmosferik basınç düzeyine (p = 690 Torr) kadar ölçümler alınmıştır. Böylelikle boşalma akım karakteristiklerine basıncın etkisi incelenmiştir. İlaveten GaP ın Infrared (IR) duyarlılığı ile histerezis grafikleri elde edilmiştir. Bu çalışma, GaP’ın hem direkt band aralıklı hem de indirekt band aralıklı davranış göstermesi sebebiyle önem taşımaktadır.