SavedAdd your journal

Journals / Politeknik Dergisi / 2014 / Cilt: 17 - Sayı: 4

The Effect of The Oxidation on GaAs Semiconductor Surface to the System Characteristics in A DoubleGapped Plasma Cell

Çift Gaz Boşalma Aralıklı Plazma Hücresinde GaAs Yarıiletken Yüzeyindeki Oksitlenmenin Sistem Karakteristiklerine Etkisi

Hilal Yücel KURT
Gülcan KALKAN
Metin ÖZER
Evrim TANRIVERDİ
Duygu YİĞİT
Pages
161–165
DOI
—
🏛️Bibliographic metadata and full text access for this article are provided via DergiPark.
DergiPark Record ↗
✨

AI Summary & Key Takeaways

AI Insight
⚡ TL;DR(Too Long; Didn't Read)

Under the applied voltage U=200-2000, the critical voltage values from the Paschen curves are determined.

📌 3 Key Takeaways

🎯
Objective & Hypothesis:The system characteristic in a double gap gas discharge plasma cell with GaAs cathode has been identified to be unstable due to the oxidation, experimentally.
📊
Key Findings & Data:The experimental studies include the system characteristics in a wide range of pressures (p = 28 - 342 Torr), interelectrode distances (d1 = 50 µm d2 = 50 - 320 µm) and semiconductor cathode diameter D (9 mm).
💡
Conclusion & Impact:Under the applied voltage U=200-2000, the critical voltage values from the Paschen curves are determined.
🔬Design:Research Article
📍Scope:2000 Verileri
⚙️Variables:Domain Parameters

Abstract

The system characteristic in a double gap gas discharge plasma cell with GaAs cathode has been identified to be unstable due to the oxidation, experimentally. The experimental studies include the system characteristics in a wide range of pressures (p = 28 - 342 Torr), interelectrode distances (d1 = 50 µm d2 = 50 - 320 µm) and semiconductor cathode diameter D (9 mm). Under the applied voltage U=200-2000, the critical voltage values from the Paschen curves are determined.

Özet

GaAs yarıiletken katotlu çift gaz boşalma aralıklı plazma hücresinde sistem karakteristiklerinin oksitlenme nedeniyle kararsızlık sergilediği deneysel olarak elde edilmiştir. Sistem karakteristikleri geniş bir gaz basıncı (p = 28 - 342 Torr), elektrotlar arası mesafe (d1 = 50 µm d2 = 50 - 320 µm) ve D = 9 mm lik yarıiletken katot çapı için deneysel olarak araştırıldı. U = 200-2000 Volt besleme gerilimi altında, Paschen eğrisinden kritik voltaj değerleri belirlendi.

🔖

Cite This Article

KURT, H. Y., KALKAN, G., ÖZER, M., TANRIVERDİ, E., YİĞİT, D. (2014). The Effect of The Oxidation on GaAs Semiconductor Surface to the System Characteristics in A DoubleGapped Plasma Cell. Politeknik Dergisi, Cilt: 17 - Sayı: 4, 161–165. https://ajindex.com/articles/306708

📄 Full Text PDF Viewer

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

References (10)

  1. G. Kalkan, "Çift Gaz Boşalma Aralıklı Görüntü Çevirici Hücrede Elektriksel Karakteristiklerin İncelenmesi", Gazi üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Yüksek Lisans Tezi, (2010). S. Çetin, "Fotodetektörün Fiziksel Özelliklerinin İncelenmesi İçin İyonizasyon Tipli Kızılötesi Görüntü Çevirici Sistemlerin Uygulanması", Gazi üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Yüksek Lisans Tezi, (2010).
  2. P. Hartmann, Z. Donko, G. Bano, L. Szalai and K. R. Ozsa, Plasma Sources Sci. Technol., 9: 183, (2000)
  3. C.Strumpel, Y.A. Astrov and H.G.Purwins, Phys.Rev. E 62: 4889, (2000).
  4. B.G. Salamov, B.G. Akinoglu and N.N. Lebedeva, J. Phys. D: Appl. Phys., 32: 2068, (1999).
  5. A. Bogaertsa, E. Neyts, R. Gijbels and J. Mullen, Spectrochimica Acta Part B, 57: 609, (2002).
  6. N. N Lebedeva, V. I. Orbukh and B. G. Salamov, J. Physique III 6: 797 (1996).
  7. E. I. Ivanova, B. V. Novogrudskii and L. G. Paritskii, Sov. Phys.-Semicond., 6: 1585, (1973).
  8. S. K. Dhali and P. F. Williams, J. Appl. Phys., 62: 4696 (1987).
  9. B.G. Salamov, K. Colakoglu and S. Altindal, Infrared Phys. Technol., 36: 661, (1995). W. Shockley, "Electrons and Holes in Semiconductors", Van Nostrand, New York, 334-357, (1951).
  10. F. Paschen, Annalen der physik und chemie. 37: 69 (1889).