Journals / Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi / 2012 / Cilt: 27 - Sayı: 3

UZUN DALGABOYLU VE KONİK YAPILI YARIİLETKEN LAZERLERİN ÜRETİMİ, DENEYSEL VE TEORİK OLARAK İNCELENMESİ

Pages
0
Publication Date
2013-02-19
DOI
—
🏛️Bibliographic metadata and full text access for this article are provided via DergiPark.
DergiPark Record ↗
✨

AI Summary & Key Takeaways

AI Insight
⚡ TL;DR(Too Long; Didn't Read)

Son olarak, 1300 ve 1550 nm lazerlerin 3-dB spektral genişlikleri deneysel olarak ve modellemeile bulunmuştur. 3-dB spektral genişlik bakımından ölçüm ile simülasyon arasındaki fark 1550 nm lazerlerde 1.6nm iken, bu değer 1300 nm lazerlerde 10 nm olarak elde edilmiştir. 1550 nm lazerler için elde edilen bu farkdiğerine göre çok daha düşük olduğundan 1550 nm lazerlerin 1300 nm lazerlere göre daha kararlı bir spektraldeğişime sahip oldukları sonucuna varılmıştır.

📌 3 Key Takeaways

🎯
Objective & Hypothesis:Bu çalışmada, 1300 nm ve 1550 nm’de çalışan yarıiletken lazerlerin fabrikasyonu ile ışık çıkışı-akım (P-I) veboylamsal mod spektrumunu içeren karakterizasyon ölçüm sonuçları sunulmaktadır.
📊
Key Findings & Data:Ayrıca lazer orandenklemleri kullanılarak lazerin P-I karakteristiğinin ve boylamsal mod spektrumunun modelleme sonuçları daelde edilmiştir.
💡
Conclusion & Impact:Son olarak, 1300 ve 1550 nm lazerlerin 3-dB spektral genişlikleri deneysel olarak ve modellemeile bulunmuştur. 3-dB spektral genişlik bakımından ölçüm ile simülasyon arasındaki fark 1550 nm lazerlerde 1.6nm iken, bu değer 1300 nm lazerlerde 10 nm olarak elde edilmiştir. 1550 nm lazerler için elde edilen bu farkdiğerine göre çok daha düşük olduğundan 1550 nm lazerlerin 1300 nm lazerlere göre daha kararlı bir spektraldeğişime sahip oldukları sonucuna varılmıştır.
🔬Design:Modeling & Simulation
📍Scope:Comprehensive Sample
⚙️Variables:Yarıiletken Lazerler · Fabrikasyon · Karakterizasyon Ölçümleri

Özet

Bu çalışmada, 1300 nm ve 1550 nm’de çalışan yarıiletken lazerlerin fabrikasyonu ile ışık çıkışı-akım (P-I) veboylamsal mod spektrumunu içeren karakterizasyon ölçüm sonuçları sunulmaktadır. Ayrıca lazer orandenklemleri kullanılarak lazerin P-I karakteristiğinin ve boylamsal mod spektrumunun modelleme sonuçları daelde edilmiştir. Elde edilen modelleme sonuçlarının deneysel sonuçlarla uyumlu olduğu gözlemlenmiştir. Her ikilazer türü için gerçekleştirilen çalışmalarda eşik akımı 30 mA ölçülürken, bu değer modellemede 27 mA olarakelde edilmiştir. Ayrıca lazer kavite uzunluğunun artışı ile kayıpların artışından dolayı eşik akımının da arttığıgözlemlenmiştir. Buna ilave olarak ölçülen optik spektrumun merkezi dalgaboyları tasarım değerlerine yakınelde edilmiştir. Son olarak, 1300 ve 1550 nm lazerlerin 3-dB spektral genişlikleri deneysel olarak ve modellemeile bulunmuştur. 3-dB spektral genişlik bakımından ölçüm ile simülasyon arasındaki fark 1550 nm lazerlerde 1.6nm iken, bu değer 1300 nm lazerlerde 10 nm olarak elde edilmiştir. 1550 nm lazerler için elde edilen bu farkdiğerine göre çok daha düşük olduğundan 1550 nm lazerlerin 1300 nm lazerlere göre daha kararlı bir spektraldeğişime sahip oldukları sonucuna varılmıştır.

🔖

Cite This Article

ÇAKMAK, B., DUMAN, Ç. (2013). UZUN DALGABOYLU VE KONİK YAPILI YARIİLETKEN LAZERLERİN ÜRETİMİ, DENEYSEL VE TEORİK OLARAK İNCELENMESİ. Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi, Cilt: 27 - Sayı: 3, 0. https://ajindex.com/articles/20566

📄 Full Text PDF Viewer

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

References (8)

  1. Salehi, M.R. ve Cabon B., "Circuit Modeling of Quantum-Well Lasers for Optoelectronic Integrated Circuits (ICs) Including Physical Effect of Deep-Level Traps", IEEE Journal of Quantum Electronics, Cilt 38, No 11, 1510-, 2002. http://www.sans.org/reading_room/whitepapers/p hyscial/fiber-optics-securityvulnerabilities_ - Agrawal, G.P. ve Dutta, N.K., Semiconductor Lasers, Van Nostrand Reinhold, New York, A.B.D., 1993.
  2. Alam, M.A., Hybertsen, M.S., Smith, R.K. ve Baraff G.A., "Simulation of Semiconductor Quantum Well Lasers", IEEE Transactions on Electron Devices, Cilt 47, No 10, 1917-1925, - Piskorski, L., Sarzala, R.P. ve Nakwaski, W., “Investigation of Temperature Characteristics of Modern InAsP/InGaAsP Multi-quantum-well TJVCSELs for Optical Fibre Communication”, Opto-Electronics Review, Cilt 19, No 3, 320-, 2011.
  3. Yıldırım, R. ve Celebi, F., “Harmonic Amplitude Control in Laser Diodes with Non-linear Feedback, Journal of the Faculty of Engineering and Architecture of Gazi University, Cilt 25, No 1, 163-170, 2010.
  4. Lin, Zr., Liu, Ck., Keiser, G., Lee, Sl., Lai, Kc., Chang, Hc., Tseng, Cl., Jou, Jj., “A Low-Cost Passive Optical Network For Television Broadcasting and High-Speed Bidirectional Communications in Intelligent Buildings”, Journal of the Chinese Institute of Engineers, Cilt 33, No 5, 707-716, 2010.
  5. Ab-Rahman, M.S., Hassan, M.R, “Theory of Cut- Off Temperature of Operation Of Uncooled Semiconductor Laser Diode, European Physical Journal-Applied Physics, Cilt 50, No 2, 2010.
  6. Yoshino, M., Miki, N., Yoshimoto, N., Kumozaki, K., “Multiwavelength Optical Source for OCDM Using Sinusoidally Modulated Laser Diode”, Journal of Lightwave Technology, Cilt, No 20, 4524-4529, 2009.
  7. Tsai, Cl., Chou, Yl., Wang, Y.S., Chang, S.J., Wu, M.C. ve Lin, W., “ 1.3 μm Straincompensated InGaAsP Planar Buried Heterostructure Laser Diodes with a TO-Can Package for Optical Fiber Communications”, Journal of The Electrochemical Society, Cilt, No 12, H903-H907, 2009.
  8. Das, B.A., Sengupta, I. ve Basu, P., "A Simple Spice Model for Traveling Wave Semiconductor Laser Amplifier", Microwave and Optical Technology Letters, Cilt 46, No 7, 1558-1561, - Agrawal, G.P., "Power Spectrum of Directly Modulated Single-Mode Semiconductor Lasers: Chirp Induced Fine Structure", IEEE Journal of Quantum Electronics, Cilt 21, No 6, 680-686, - Morishita, M., Ohmi, A. ve Nishizawa, J., "Impedance Characteristics of Double Heterostructure Laser Diodes", Solid State Electronics, Cilt 22, No 11, 957-962