SavedAdd your journal

Journals / Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi / 2010 / Cilt: 25 Sayı: 4

DÖRT TON KÜÇÜK İŞARET GİRİŞLİ GaN HEMT TRANSİSTÖRÜN FARKLI SICAKLIKLARDAKİ ASİMETRİK GENLİK DEĞİŞİMİ

Levent Gökrem
Fatih V. Çelebi
Remzi Yıldırım
Pages
—
Publication Date
2013-02-19
DOI
—
🏛️Bibliographic metadata and full text access for this article are provided via DergiPark.
DergiPark Record ↗
✨

AI Summary & Key Takeaways

AI Insight
⚡ TL;DR(Too Long; Didn't Read)

Çalışmada IMD frekans bileşenleri iki grupta irdelenmiş; birinci grup bileşenler (1-6) ve ikinci grup bileşenler ise (7-17) olarak alınmış ve gruplar arası ve grup içi asimetrik genlik değişimi, kritikfrekans bölgesi, bant genişliği ve IMD haberleşme de değerlendirilmiştir.

📌 3 Key Takeaways

🎯
Objective & Hypothesis:Bu çalışmada, GaN HEMT transistörün sıcaklığa bağlı analizi yapılarak Volterra güç serisi üçüncü dereceyekadar açılmış ve küçük işaret transfer fonksiyonları (H1, H2, H3) elde edilmiştir.
📊
Key Findings & Data:Birinci çekirdek küçük işarettransfer fonksiyonu (H1) kullanılarak 100K, 300K ve 600K sıcaklık değerlerinde dört-tonlu küçük işaretgirişinden elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenleri, geçit-kaynak (Gate source, Vgs) geriliminebağlı olarak analiz edilmiştir.
💡
Conclusion & Impact:Çalışmada IMD frekans bileşenleri iki grupta irdelenmiş; birinci grup bileşenler (1-6) ve ikinci grup bileşenler ise (7-17) olarak alınmış ve gruplar arası ve grup içi asimetrik genlik değişimi, kritikfrekans bölgesi, bant genişliği ve IMD haberleşme de değerlendirilmiştir.
🔬Design:Makale
📍Scope:Comprehensive Sample
⚙️Variables:HEMT · Asimetri · Volterra Serisi

Özet

Bu çalışmada, GaN HEMT transistörün sıcaklığa bağlı analizi yapılarak Volterra güç serisi üçüncü dereceyekadar açılmış ve küçük işaret transfer fonksiyonları (H1, H2, H3) elde edilmiştir. Birinci çekirdek küçük işarettransfer fonksiyonu (H1) kullanılarak 100K, 300K ve 600K sıcaklık değerlerinde dört-tonlu küçük işaretgirişinden elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenleri, geçit-kaynak (Gate source, Vgs) geriliminebağlı olarak analiz edilmiştir. Çalışmada IMD frekans bileşenleri iki grupta irdelenmiş; birinci grup bileşenler (1-6) ve ikinci grup bileşenler ise (7-17) olarak alınmış ve gruplar arası ve grup içi asimetrik genlik değişimi, kritikfrekans bölgesi, bant genişliği ve IMD haberleşme de değerlendirilmiştir.

🔖

Cite This Article

Gökrem, L., Çelebi, F. V., Yıldırım, R. (2013). DÖRT TON KÜÇÜK İŞARET GİRİŞLİ GaN HEMT TRANSİSTÖRÜN FARKLI SICAKLIKLARDAKİ ASİMETRİK GENLİK DEĞİŞİMİ. Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi, Cilt: 25 Sayı: 4. https://ajindex.com/articles/1078581

📄 Full Text PDF Viewer

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

References (131)

  1. Fukuta, M., “History of HEMT Transistor”
  2. Fujitsu Quantum Devices Limited, 2002.
  3. Leong, C.J., Shen, Z. and Tay, L.C., “Small-
  4. Signal Modeling of a PHEMT up to 110 GHz
  5. Based on The Genetic Algorithm”, Microwave
  6. and Optical Technology Letters, Vol.29, No.6,
  7. Tasic, A., Serdijn, W. A. and Long, J.R., “Adaptive
  8. Low-Power Circuits for Wireless
  9. Communications”, Springer, 2006.
  10. Wurtz, L.T., “GaAs FET and HEMT Small-
  11. Signal Parameter Extraction From Measured SParameters”,
  12. IEEE Transactions on
  13. Instrumentation and Measurement, Vol.43,
  14. , 1994.
  15. Crupi, G., Schreurs, D.M.P., Caddemi, A., “On
  16. The Small Signal Modeling of Advanced
  17. Microwave FETs: A Comparative Study”, Int.
  18. Journal of RF And Micr. Comp.-Aided Eng.,
  19. pp. 417–425, May 2008.
  20. Crupi, G., Xiao, D., Schreurs, D., Limiti, E.,
  21. Caddemi, A., De Raedt, W., Germain, M.,
  22. “Accurate Multibias Equivalent Circuit Extraction
  23. for GaN HEMTs”, IEEE Trans Microwave
  24. Theory Tech., Vol.54, pp. 3616–3622, 2006.
  25. Jeon, M.Y., “A Technique to Extract Extrinsic
  26. Parameters of HEMTs”, Microwave and Optical
  27. Technology Letters, Vol.44, No.6, pp. 489–492,
  28. Kameche, M., Feham, M., Meliani, M.,
  29. Benahmet, N., Dalı, S., “Intrinsic Small-Signal
  30. Equivalent Circuit of GaAs MESFET’s”, National
  31. Centre of Space Techniques, Algeria Telecom
  32. Laboratory, University of Tlemcen, Algeria,
  33. Tayrani,R., Gerber, J.E., Daniel, T., Pengelly,
  34. R.S., Rhode, U.L., “A New And Reliable Direct
  35. Parasitic Extraction Method for MESFETs and
  36. HEMTs” European Microwave Conf, pp.451–, Spain, 1993.
  37. Chalermwisutkul, D.S., “Large Signal Modeling
  38. of GaN HEMTs for UMTS Base Station Power
  39. Amplifier Design Taking into Account Memory
  40. Effects”, Phd Thesis, 2007.
  41. Jarndal, A.H., “Large-Signal Modeling of GaN
  42. Device for High Power Amplifier Design” Phd
  43. Thesis, 2006.
  44. Miras, A., Legros, E., “ Very High-Frequency
  45. Small-Signal Equivalent Circuit for Short Gate
  46. Length InP HEMT’s”, IEEE Trans. Micr.
  47. Theory Tech., Vol. 45, pp. 1018–1026, 1997.
  48. Liu, Q.Z., “An Accurate and Simple Large Signal
  49. Model of HEMT”, Microwave Symposium
  50. Digest, 1989.
  51. Jarndal, A. and Kompa, G., “A new Small
  52. Modeling Approach to GaN Devices, IEEE
  53. Trans Micr. Theory Tech., Vol. 54, pp. 2949–, 2006.
  54. Kameche, M., Feham, M., “Simple Techniques
  55. for Determining The Small-Signal Equivalent
  56. Circuit of MESFET’s” Int. Journal of Infrared
  57. and Milimeter Waves, Vol. 27, No. 5, pp. 687–
  58. Chen, G., Kumar, V., Schwindt, R.S., Adesida, I.,
  59. “A Low Gate Bias Model Extraction Technique
  60. for AlGaN/GaN HEMTs”, IEEE Trans Micr.
  61. Theory Tech., Vol. 54, pp. 2949–2953, 2006.
  62. Ahmed, A., Islam, S., Anwar, A.F.M., “A
  63. Temperature-Dependent Nonlinear Analysis of
  64. GaN/AlGaN HEMTs Using Volterra Series”,
  65. IEEE Trans. On Micr. Theory and Tech., Vol., No. 9, 2001.
  66. Ahmed, A., Islam, S., Anwar, A.F.M.,
  67. “Frequency and Temperature Dependent of Gain
  68. Compression in GaN/AlGaN HEMT Amplifiers ”,
  69. Solid-State Electronics, vol.47 pp 339-344, 2003.
  70. Fager, C., “Empirical Modeling Of Microwave
  71. Devices” Microwave Electronics Lab. Chalmers
  72. University of Technology, 1-13, 2007.
  73. Ladbrook, P.H., “ MMIC Design GaAs FET
  74. and HEMT”, Artech House, Boston 1989.
  75. Yıldırım, R., Yavuzcan, H.G., and Gökrem, L.,
  76. “Temperature dependent analysis of HEMT's
  77. based on gain, power and Rolletti stability”,
  78. Technology, 12(3), 201–210, 2009.
  79. Maas, S.A., “Nonlinear Microwave and RF
  80. Circuits”, Artech House, Second Edition, pp. 26–, 2003.
  81. Wambacg, P., Sansen, W., “Distortion Analysis
  82. of Analog Integrated Circuits” Kluwer
  83. Academic Publishers, 2.Ed., Boston 2001.
  84. Srinidhi, E. R., Ma, R., Kompa, G., “Volterra
  85. Series-Based Distortion Analysis for Optimization of Out-of-Band Terminations in GaN HEMT
  86. Devices” IEEE Elect. Devices Lett., 29(1): 24-, 2008.
  87. Pedro, J.C., Carvalho, N.B., “Intermodulation
  88. Distortion in Microwave and Wireless
  89. Circuits”, Artech House, Boston, 2003.
  90. Schetzen, M., “The Volterra and Wiener
  91. Theories of Nonlinear Systems”, Malabar, Fla.,
  92. R.E. Krieger Publishing Co. reprint edition with
  93. additional material, 2006.
  94. Bussgang, J.J., and Ehrman, L., “Analysis Of
  95. Nonlinear Systems With Multiple Inputs” Proc.
  96. IEEE, Vol:62, pp.1088-1119, Aug.1974.
  97. Weiner, D.D., and Spina, J.E., “Sinusodial
  98. Analysis and Modeling of Weakly Nonlinear
  99. Circuits”, Van Nostrand Reinhold Comp. New
  100. York, 1980.
  101. Çelebi, F.V., Yıldırım, R., “Distortion System
  102. Theory of the Two Tone Small signal input Laser
  103. Diode” J. Fac. Arch. Gazi. Univ., Vol 20, No 4,
  104. pp 373-377, 2005.
  105. Yıldırım, R., “Intermodulation Distortion System
  106. Theory of The Three-Tone Small Signal Input
  107. Laser Diode With Non-Linear Optoelectronic
  108. Feedback” J. Fac. Arch. Gazi Univ., Vol 2, pp
  109. 430, 2007.
  110. Yıldırım, R., “Selection of Frequency
  111. Components for Symmetric and Asymmetric
  112. Communication Systems” J. Fac. Arch. Gazi
  113. Univ., Vol 23, No 2, 329-341, 2008.
  114. Schetzen, M., Yildirim, R., Çelebi F.V.,
  115. “Intermodulation Distortion of the Single-Mode
  116. Laser Diode” Applied Physics B-Lasers and
  117. Optics Vol. 93 Iss. 4, pp 837–847, 2008.
  118. Gökrem, L., Yüksek Elektron Hareketli
  119. Transistör (High Electron Mobility Transistor,
  120. HEMT) Distorsiyon Analizi, Doktora Tezi, Gazi
  121. Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 2009.
  122. Yıldırım, R., Yavuzcan, H.G., Çelebi, F.V.,
  123. Gökrem, L., “Temperature Dependent Rolletti
  124. Stability Analysis of GaN HEMT” Journal of
  125. Optoelectronics and Advanced Materials –
  126. Rapid Communications, Vol. 3, No. 8, p.781 –, August 2009.
  127. Yıldırım, R., Çelebi, F.V., Yavuzcan, H.G.,
  128. Gökrem, L., “Asymmetric Condition Computed
  129. From The Four Tone Input GaN HEMT”, Int.
  130. Conf. on Application of Information and
  131. Comm. Techn., AICT 2009, Azerbaycan.