KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Politeknik Dergisi / 2023 / Cilt: 26 - Sayı: 1

AlGaN/GaN Temelli YEMT ve Heteroeklem Güneş Hücreleri Için ALD Yöntemi ile Alüminyum Katkılı Çinko Oksit(AZO) Geliştirme

Development of AZO TCOs with ALD for HEMT and HJSC Solar Cell Applications

Deniz TUGRUL
Hüseyin ÇAKMAK
Ekmel ÖZBAY
Bilge İMER
Sayfa
209–214
Yayın Tarihi
2023-03-27
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Bu çalışmada büyütme sıcaklığı ve alüminyum katkılama oranının ALD’de büyütülmüş AZO’nun yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine etkisi çalışılmıştır.Sonuçlar göstermiştir ki filmler görünür bölgede %80-90 arasında ışık geçirgenliğine, düşük elektriksel rezistansa (2.04x10-3 ohm.cm) ve 5.25 cm2/V.s değerinde mobiliteye sahiptir.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Transparan İletken Oksit (TCO) ince filmler günümüzde güneş pilleri, LED’ler, lazerler gibi optoelektronik cihazlarda sıklıkla kullanılmaktadır.
📊
Temel Bulgular & Veri:Bu kontakların kullanımı cihazların verimliliğini doğrudam etkilemektedir.
💡
Sonuç & Katkı:Bu çalışmada büyütme sıcaklığı ve alüminyum katkılama oranının ALD’de büyütülmüş AZO’nun yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine etkisi çalışılmıştır.Sonuçlar göstermiştir ki filmler görünür bölgede %80-90 arasında ışık geçirgenliğine, düşük elektriksel rezistansa (2.04x10-3 ohm.cm) ve 5.25 cm2/V.s değerinde mobiliteye sahiptir.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Atomik katman kaplama (ALD) · alüminyum katkılı çinko oksit (AZO) · transparan iletken oksitler (TCO)

Özet

Transparan İletken Oksit (TCO) ince filmler günümüzde güneş pilleri, LED’ler, lazerler gibi optoelektronik cihazlarda sıklıkla kullanılmaktadır. Bu kontakların kullanımı cihazların verimliliğini doğrudam etkilemektedir. Bu çalışmanın amacı heteroeklemli güneş hücrelerinin (HJSCs) (n+) a-Si:H yüzünde ve yüksek elektron hareketliliği olan tranzistörlerde (HEMT) kullanmak üzere atomik katman kaplama (ALD) tekniği kullanarak alüminyum katkılı çinko oksit (AZO) üretmek ve optimize etmektir. Bu çalışmada büyütme sıcaklığı ve alüminyum katkılama oranının ALD’de büyütülmüş AZO’nun yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine etkisi çalışılmıştır.Sonuçlar göstermiştir ki filmler görünür bölgede %80-90 arasında ışık geçirgenliğine, düşük elektriksel rezistansa (2.04x10-3 ohm.cm) ve 5.25 cm2/V.s değerinde mobiliteye sahiptir.

Abstract

Transparent Conductive Oxide (TCO) films are widely used in optoelectronic devices, such as solar cells, LEDs, and Lasers. Utilization of these contacts directly affects the device efficiencies. Purpose of this study is to produce and optimize properties of Aluminum doped Zinc Oxide (AZO) using a vapor phase technique, Atomic Layer Deposition (ALD) for (n+) a-Si:H surface of silicon Heterojunction Solar Cells (HJSCs) and High Electron Mobility Transistor (HEMT) applications. This study is focused on the effect of the deposition temperature and aluminum atomic concentration on structural, electrical and optical properties of ALD grown AZO ohmic contact films. The results show that as-deposited films have 80-90% transmittance in the visible spectra, low resistance (2.04x10-3 ohm.cm) and mobility value of 5.25 cm2/V.s.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

TUGRUL, D., ÇAKMAK, H., ÖZBAY, E., İMER, B. (2023). AlGaN/GaN Temelli YEMT ve Heteroeklem Güneş Hücreleri Için ALD Yöntemi ile Alüminyum Katkılı Çinko Oksit(AZO) Geliştirme. Politeknik Dergisi, Cilt: 26 - Sayı: 1, 209–214. https://ajindex.com/articles/888286

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (13)

  1. Novák P., “Possibilities of Increasing the Usability of Sputtered AZO Films as a Transparent Electrode”, Physica Status Solidi (A), 216(7): 1–10, (2019)
  2. Sharma S., Shriwastava S., Kumar S., Bhatt K., and Tripathi C.C., “Alternative transparent conducting electrode materials for flexible optoelectronic devices”, Opto-Electronics Review, 26(3): 223–235, (2018)
  3. Deen D. A., Storm D. F., Katzer D. S., Meyer D. J., and Binari S. C., “Dependence of ohmic contact resistance on barrier thickness of AlN/GaN HEMT structures” Solid-State Electronics, 54(6): 613–615, (2010)
  4. Mat Desa M. K., Sapeai S., Azhari A. W., Sopian K., Sulaiman M. Y., Amin N., and Zaidi S. H., “Silicon back contact solar cell configuration: A pathway towards higher efficiency”, Renewable and Sustainable Energy Reviews, 60: 1516–1532, (2016)
  5. Dullweber T., and Schmidt J., “Industrial Silicon Solar Cells Applying the Passivated Emitter and Rear Cell (PERC) Concept-A Review”, IEEE Journal of Photovoltaics, 6(5): 1366–1381, (2016)
  6. Korte L., Conrad E., Angermann H., Stangl R., and Schmidt M., “Advances in a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell fabrication and characterization” Solar Energy Materials and Solar Cells, 93(6–7): 905–910, (2009)
  7. Khan F., Baek S. H., Singh,S. N., Singh P. K., and Kim J. H., “Effective passivation of silicon surface by AZO films: Application in bifacial solar cells” Solar Energy, 97: 474–483, (2013)
  8. Cai S. J., Li R., Chen Y. L., Wong L., Wu,W. G., Thomas S. G., and Wang K. L., “High performance AlGaN/GaN HEMT with improved ohmic contacts” Electronics Letters, 34(24): 2354–2356, (1998)
  9. Zeng F., An J.X., Zhou G., Li W.,Wang H., Duan T., Jlang L., and Yu H. “A comprehensive review of recent progress on GaN high electron mobility transistors: Devices, fabrication and reliability”, Electronics (Switzerland), 7(12): 377, (2018)
  10. Nirmal A., “Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies (Vol.3)”, CRC Press, New York, (2019)
  11. Feng Q., Li L. M., Hao Y., Ni J. Y., and Zhang J. C., “The improvement of ohmic contact of Ti/Al/Ni/Auto AlGaN/GaN HEMT by multi-step annealing method”, Solid-State Electronics, 53(9): 955–958, (2009)
  12. Soltani A., BenMoussa A., Touati S., Hoël V., De Jaeger J. C., Laureyns J., Cordier Y, Marhic C., Djouadi M.A., and Dua, C., “Development and analysis of low resistance ohmic contact to n-AlGaN/GaN HEMT”, Diamond and Related Materials, 16(2): 262–266, (2007)
  13. Deen D. A., Storm D. F.