Nanoparçacıkların oluşumunun akım değerinde azalmaya sebep olduğu gözlendi.
📌 3 Maddede Bu Makale
🎯
Amaç & Hipotez:C23H16N2O4 kimyasal formül ile verilen organik molekül (1,3-bis-(p-iminobenzoik asit) indan) Langmuir-Blodgett (LB) film tekniği ile cam alt taş üzerinde büyütüldü.
📊
Temel Bulgular & Veri:Değişik kalınlıklarda büyütülen ZnCI2 katkılı filmler büyütme sonrasında H2S gazına maruz bırakılarak film içersinde ZnS yarıiletken nanoparçacıklar oluşturuldu.
💡
Sonuç & Katkı:Nanoparçacıkların oluşumunun akım değerinde azalmaya sebep olduğu gözlendi.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Langmuir-Blodgett ince film · 3-bis-(p-iminobenzoik asit) indan · ZnS yarıiletken nanoparçacıklar
Özet
C23H16N2O4 kimyasal formül ile verilen organik molekül (1,3-bis-(p-iminobenzoik asit) indan) Langmuir-Blodgett (LB) film tekniği ile cam alt taş üzerinde büyütüldü. Değişik kalınlıklarda büyütülen ZnCI2 katkılı filmler büyütme sonrasında H2S gazına maruz bırakılarak film içersinde ZnS yarıiletken nanoparçacıklar oluşturuldu. LB film transferinin gerçekleştiği UV spektrumu ile doğrulandı. Aynı koşullar altında benzer LB filmler metal kaplı cam yüzey üzerine büyütüldü ve elektriksel özelliklerini araştırmak için metal-organik ince film-metal yapısı şeklinde üretildi. Farklı tabakalardaki filmlerin elektriksel özellikleri H2S gazına maruz kalma aşamasından önce ve sonra ölçüldü. Nanoparçacıkların oluşumunun akım değerinde azalmaya sebep olduğu gözlendi.