Dergiler / Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi / 2006 / Cilt: 8 - Sayı: 1

1,3-Bis-(p-İminobenzoik Asit) İndan Langmuir-Blodgett (LB) Filmlerin Elektriksel Özellikleri

Sayfa
46–53
Yayın Tarihi
2006-06-01
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

I-V eğrilerinin Schottky mekanizmasına uyduğu kabul edilerek LB film/metal engel yüksekliği 1,0 eV olarak hesaplandı

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:1,3-bis-(p-iminobenzoik asit) indan olarak bilinen organik molekül, katı yüzey üzerinde Langmuir-Blodgett (LB) film tekniği ile ilk kez büyütüldü.
📊
Temel Bulgular & Veri:Filmlerin katı yüzey üzerine transferlerinin gerçekleştiğini doğrulamak için büyütme sırasında kuartz kristal mikrobalans yöntemi, büyütme sonrasında da UV-görünür soğurma spektrumlarından yararlanıldı.
💡
Sonuç & Katkı:I-V eğrilerinin Schottky mekanizmasına uyduğu kabul edilerek LB film/metal engel yüksekliği 1,0 eV olarak hesaplandı
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Langmuir-Blodgett thin films · 3-bis-(p-iminobenzoic acid) indane · quartz crystal microbalance

Özet

1,3-bis-(p-iminobenzoik asit) indan olarak bilinen organik molekül, katı yüzey üzerinde Langmuir-Blodgett (LB) film tekniği ile ilk kez büyütüldü. Filmlerin katı yüzey üzerine transferlerinin gerçekleştiğini doğrulamak için büyütme sırasında kuartz kristal mikrobalans yöntemi, büyütme sonrasında da UV-görünür soğurma spektrumlarından yararlanıldı. Filmlerin elektriksel özellikleri, metal/LB-film/metal şeklinde üretilen yapılarda oda sıcaklığındaki I-V ölçülerek incelendi. I-V eğrilerinin Schottky mekanizmasına uyduğu kabul edilerek LB film/metal engel yüksekliği 1,0 eV olarak hesaplandı

Abstract

Organic material 1,3-bis-(p-iminobenzoi acid) indane was grown on glass substrates by Langmuir-Blodgett film (LB) technique for the first time. Quality of the transferred LB films was verified by measuring quartz crystal microbalance and UV-visible absorption spectra. Electrical properties of the different layered films were investigated by measuring room temperature I-V curves. By analyzing I-V curves and assuming Schottky conduction mechanism the barrier height was found to be as 1.0 eV

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

SARI, H., UZUNOĞLU, T., TURHAN, O. (2006). 1,3-Bis-(p-İminobenzoik Asit) İndan Langmuir-Blodgett (LB) Filmlerin Elektriksel Özellikleri. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, Cilt: 8 - Sayı: 1, 46–53. https://ajindex.com/articles/251196

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (2)

  1. W. Jones (Editor), “Organic Molecular Solids”, CRC Press,
  2. New York (1997) (2) M. C. Petty, “Langmuir-Blodgett Films: An Introduction”, ISBN 0 521 41396 6 (1996). (3) A. V. Nabok, B. Iwantono, A. K. Hassan, A. K. Ray, T. Wilkop, Materials Science and Engineering C, 22: 355-358, (2002). (4) L. S. Li, L. Qu, R. Lu, X. Peng, Y. Zhao, T. J. Li, Thin Solid Films, 327-329: 408-411, (1998). (5) X. M. Yang, G. M. Wang, and Z. H. Lu, Supramolecular Science, 5:549-552, (1998). (6) A. V. Nabok, T. Richardson, C. McCartney, N. Cowlam, F. Davis, J. M. Stirling, A. K. Ray, T. Gacem, A. Gibaud, Thin Solid Films, 327-329: 510-514, (1998). (7) V. S. J. Craig, M. Plunkett, J. of Colloid and Interface Science, 262: 126-129, (2003) (8) A. K. Ray, A. V. Nabok, A. K. Hassan, J. Silver, P. Marsh, T. And Richardson, Philosophical Magazine B, 79: (7) 1005-1019, (1999). (9) N. J. Geddes, J. R. Sambles, W. G. Parker, N. R. Couch, and D. J. Jarvis, J. Phys. D. Appl. Phys., 23: 95-102, (1990).