Dergiler / Journal of Scientific Reports-A / 2015 / Sayı: 2015 Özel Sayısı

SOL-JEL SPİN KAPLAMA YÖNTEMİYLE HAZIRLANMIŞ ZnO İNCE FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

AN INVESTIGATION OF OPTICAL PROPERTIES OF ZnO THIN FILMS PREPARED USING SOL GEL SPIN COATING METHOD

Sayfa
147–156
Yayın Tarihi
2016-01-15
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

N oranı arttıkça örneklerin yapısal, yüzeysel ve optik özelliklerinde değişimler olduğu ve bant aralığı değerinin oda sıcaklığında 30 meV azaldığı görüldü.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Sol-jel spin kaplama yöntemi kullanılarak ZnO ve ZnO:N ince filmler kuartz altlık üzerine hazırlandı.
📊
Temel Bulgular & Veri:ZnO ince filmlere hava ortamında 400 oC’de ZnO:N ince filmlere ise N ortamında 700 oC sıcaklıkta 2 saat tavlama işlemi yapıldı.
💡
Sonuç & Katkı:N oranı arttıkça örneklerin yapısal, yüzeysel ve optik özelliklerinde değişimler olduğu ve bant aralığı değerinin oda sıcaklığında 30 meV azaldığı görüldü.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:ZnO ve ZnO:N ince filmler · Döndürerek kaplama · XRD

Özet

Sol-jel spin kaplama yöntemi kullanılarak ZnO ve ZnO:N ince filmler kuartz altlık üzerine hazırlandı. ZnO ince filmlere hava ortamında 400 oC’de ZnO:N ince filmlere ise N ortamında 700 oC sıcaklıkta 2 saat tavlama işlemi yapıldı. Hazırlanan ZnO ve ZnO:N ince filmlerin başlangıç çözeltisindeki N oranına göre yapısal, yüzeysel ve optik özellikleri x-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve optik soğurma ölçümleriyle incelendi. N oranı arttıkça örneklerin yapısal, yüzeysel ve optik özelliklerinde değişimler olduğu ve bant aralığı değerinin oda sıcaklığında 30 meV azaldığı görüldü.

Abstract

ZnO and ZnO:N thin films were prepared on quartz glass using the sol gel spin coating methods. ZnO thin films at 400 oC in air atmospher and ZnO:N thin films in Nitrogen Atmosphere at temperature of 700 oC were annealed for 2 h. The effect of nitrogen rate in precursor on structural, morphological and optical properties of the ZnO thin films was investigated by X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscope (SEM) and Optical Absorption Measurements. It has been observed that the structural, morphological and optical properties of the ZnO thin films change as N rate increases, and bandgap energy of thin films decreases by 30 meV at room temperature.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

YILDIRIM, T., ÇANKAYA, A., ÖCALAN, İ. (2016). SOL-JEL SPİN KAPLAMA YÖNTEMİYLE HAZIRLANMIŞ ZnO İNCE FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ. Journal of Scientific Reports-A, Sayı: 2015 Özel Sayısı, 147–156. https://ajindex.com/articles/779064

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (14)

  1. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, ZnO diode fabricated by excimer-laser doping, Appl. Phys. Lett., 76, 3257, (2000)
  2. X.-L. Guo, J.-H. Choi, H. Tabata, and T. Kawai, Fabrication and Optoelectronic Properties of a Transparent ZnO Homostructural Light-Emitting Diode, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L177, (2001)
  3. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, Fabrication and characterization of ultraviolet-emitting diodes composed of transparent p-n heterojunction, p-SrCu2O2 and n-ZnO, J. Appl. Phys. 89, 5720, (2001)
  4. Ya. I. Alivov, J. E. Van Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, and B. M. Ataev, Observation of 430 nm electroluminescence from ZnO/GaN heterojunction light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 83, 2943, (2003)
  5. S. Tüzemen, E. Gür, T. Yıldırım, G. Xiong and R. T. Williams, An investigation of control mechanisms of the excitonic behavior in reactively sputtered ZnO on (0001) Al2O3, J. Appl. Phys, 100, 103513, (2006)
  6. T. Yıldırım, E. Gür, S. Tüzemen, V. Bilgin, S. Köse, F. Atay and I. Akyüz, Wide-bandgap modificationof polycrystalline ZnO using Sn component on the basis of developing quantum-well hetero-structure, Physica E, 27, 290, (2005)
  7. D. C. Look, Recent advances in ZnO materials and devices, Mater. Sci. Eng., B, 80, 383, 2001. [8]. W. Y. Liang and A. D. Yoffe, Transmission Spectra of ZnO Single Crystals, Phys. Rev. Lett. 20, 59,1968
  8. B.J. Jin, S.H. Bae, S.Y. Lee, S. Im, Effects of native defects on optical and electrical properties of ZnO prepared by pulsed laser deposition. Materials Science and Engineering B, 71, 301-305, 2000
  9. S.A.Studeniken, N.Golego, M. Cocivera, Optical and electrical properties of undoped ZnO films grown by spray pyrolysis of zinc nitrate solution. J. Appl. Phys., 83(4), 2104-2111, 1998
  10. A. Azam, F. Ahmed, N. Arshi, M. Chaman, A. H. Naqvi, Formation and characterization of ZnO nanopowder synthesized by sol-gel method, J Alloy Compd, 496, 399-402, 2010
  11. L. Znaidi, Sol-gel-deposited ZnO films: A review, Mater. Sci. Eng., B, 174, 18-30, 2010
  12. M. Sahal, B. Hartiti, A. Ridah, M. Mollar, B. Mari, Structural, electrical, and optical properties of ZnO thin films deposited by sol-gel, Microelectron J, 39, 1425-1428, 2008
  13. J. Lee, A. J. Easteal, U. Pal, D. Bhattacharyya, Evolution of ZnO nanostructures in sol-gel synthesis, current applied physics, 9, 792-796, 2009
  14. P. K Nayak,. J. Yang, J. Kim, S. Chung, J. Jaewook, L. Changhee, H. Yongtaek, Spin-coted Ga-doped znO