KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi / 2022 / Cilt: 27 - Sayı: 1

Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması

Comparison of I – V Methods for Determination of Ti/ p-Si Schottky Diode Parameters

Hatice ASIL UĞURLU
Sayfa
158–167
Yayın Tarihi
2022-11-06
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Artan sıcaklık ile idealite faktörünün azalması ve engel yüksekliğinin artması, diyot parametrelerinin sıcaklığa güçlü bir şekilde bağlı olduğunu göstermektedir.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Ti/p-Si Schottky diyotun elektriksel özellikleri 80 K- 300 K sıcaklık aralığında ve 20 K’lik adımlarla sıcaklığın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir.
📊
Temel Bulgular & Veri:İdealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnç (Rs) gibi temel diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) karakteristiği özelliklerinden faydalanarak geleneksel I-V yöntemi, Norde yöntemi ve Cheung fonksiyonlarından hesaplanmıştır. 300 K sıcaklığında engel yüksekliği değerleri I-V, Cheung ve Norde yöntemlerinden sırasıyla 0.738 eV, 0.658 eV ve 0.782 eV olarak bulunmuştur.
💡
Sonuç & Katkı:Artan sıcaklık ile idealite faktörünün azalması ve engel yüksekliğinin artması, diyot parametrelerinin sıcaklığa güçlü bir şekilde bağlı olduğunu göstermektedir.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Schottky diyot · Engel yüksekliği · Norde fonksiyonu

Özet

Ti/p-Si Schottky diyotun elektriksel özellikleri 80 K- 300 K sıcaklık aralığında ve 20 K’lik adımlarla sıcaklığın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. İdealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnç (Rs) gibi temel diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) karakteristiği özelliklerinden faydalanarak geleneksel I-V yöntemi, Norde yöntemi ve Cheung fonksiyonlarından hesaplanmıştır. 300 K sıcaklığında engel yüksekliği değerleri I-V, Cheung ve Norde yöntemlerinden sırasıyla 0.738 eV, 0.658 eV ve 0.782 eV olarak bulunmuştur. İdealite faktörü ise I-V yöntemde 1.43 (300 K) ve Cheung yönteminde 3.33 (300 K) olarak hesaplanmıştır. 80 K- 300 K sıcaklık aralığında farklı yöntemlerden hesaplanan parametrelerin değerleri birbiriyle kıyaslanmıştır. Artan sıcaklık ile idealite faktörünün azalması ve engel yüksekliğinin artması, diyot parametrelerinin sıcaklığa güçlü bir şekilde bağlı olduğunu göstermektedir.

Abstract

The electrical properties of the Ti/p-Si Schottky diode were investigated as a function of temperature within the temperature interval of 80 K-300 K and in 20 K steps. Fundamental diode parameters such as ideality factor (n), barrier height (Фb) and series resistance (Rs) were calculated making use of the conventional I-V method, the Norde method and Cheung functions by utilizing the current-voltage (I-V) characteristics. The barrier height values at 300 K temperature were found to be 0.738 eV, 0.658 eV and 0.782 eV from I-V, Cheung and Norde methods, respectively. The ideality factor was calculated as 1.43 (300 K) in the I-V method and 3.33 (300 K) in the Cheung method. The values of the parameters calculated from different methods in the temperature range of 80 K- 300 K were compared with each other. The decrease in ideality factor and increase in barrier height with increasing temperature show that diode parameters are strongly dependent on temperature

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

UĞURLU, H. A. (2022). Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması. Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, Cilt: 27 - Sayı: 1, 158–167. https://ajindex.com/articles/647761

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (3)

  1. Aldemir, D. A., Kökçe, A., & Özdemir, A. F. (2017). The comparison of the methods used for determining of Schottky diode parameters in a wide temperature range. Sakarya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 21(6), 1286-1292. doi: 10.16984/saufenbilder.279996 Asıl, H., Çınar, K., Gür, E., Coşkun, C., & Tüzemen, S. (2013). Temperature dependent current-voltage characteristics of electrodeposited p-ZnO/n-Si heterojuntion. International Journal of Physical Sciences, 8(10), 371-379. doi: 10.5897/IJPS2013.3851 Asıl Uğurlu, H., Çınar Demir, K., & Coşkun, C. (2021). The effect of thermal annealing on Ti/p-Si Schottky diodes. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 32, 15343–15351. doi: 10.1007/s10854-021-06084-1
  2. Aydın, M. E., Güllü, Ö., & Yıldırım, N. (2008). Temperature dependence of current–voltage characteristics of Sn/p-Si Schottky contacts. Physica B, 403, 131–138. doi: 10.1016/j.physb.2007.08.089 Aydoğan, Ş., Sağlam, M., & Türüt, A. (2005). On the barrier inhomogeneities of polyaniline/p-Si/Al structure at low temperature. Applied Surface Science, 250, 43–49. doi: 10.1016/j.apsusc.2004.12.020 Aydoğan, Ş., Sağlam, M., & Türüt, A. (2008). Some electrical properties of polyaniline/p-Si/Al structure at 300 K and 77 K temperatures. Microelectronic Engineering, 85, 278-283. doi: 10.1016/j.mee.2007.06.004 Aydoğan, Ş., Çınar, K., Asıl, H., Coşkun, C., & Türüt, A. (2009). Electrical characterization of Au/n-ZnO Schottky contacts on n-Si. Journal of Alloys and Compounds, 476, 913-918. doi: 10.1016/j.jallcom.2008.09.131 Bohlin, K. E. (1986). Generalized Norde plot including determination of the ideality factor. Journal of Applied Physics, 60(3), 1223-1224. doi: 10.1063/1.337372 Chand, S., & Kumar, J. (1996). Current transport in Pd2Si/n-Si(100) Schottky barrier diodes at low temperatures. Applied Physics A, 63, 171-178. doi: 10.1007/BF01567646 Chattopadhyay, S., Bera, L. K., Maharatna, K., Chakrabarti, S., Dhar, S., Ray, S. K., & Maiti, C. K. (1997). Schottky diode characteristics of Ti on strained-Si. Solid-State Electronics, 41 (12), 1891-1893. doi:10.1016/S0038-1101(97)00143-3
  3. Cheung, S. K., & Cheung, N. W. (1986). Extraction of Schottky diode parameters from forward current‐voltage characteristics. Applied Physics Letters, 49, 85-87. doi: 10.1063/1.97359 Çetin, H., Şahin, B., Ayyıldız, E., & Türüt, A. (2004). The barrier-height inhomogeneity in identically prepared H-terminated Ti/p-Si Schottky barrier diodes. Semiconductor Science and Techn