KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi / 2022 / Cilt: 12 - Sayı: 1

Metal Oksit ve Organik Bazlı Çoklu Heteroeklemin Yapısal ve Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi

Investigation of Structural and Electrical Properties of Metal Oxide and Organic Based Multi Heterojunction

Fatih ÜNAL
Sıtkı AKTAŞ
Sayfa
508–520
Yayın Tarihi
2022-10-19
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Tüm bu analizler sonucunda ürettiğimiz Ag/ITO/ZnO/C24H12/Ag çoklu heteroeklemin fotodiyot ve fotovoltaik davranış sergilediği görülmüştür.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada, yarıiletken metal oksit ZnO bileşiği elektrokimyasal kaplama yöntemi kullanılarak cam/ITO üzerine büyütülmüştür.
📊
Temel Bulgular & Veri:Daha sonra C24H12 organik yarıiletken katmanı termal buharlaştırma yöntemiyle cam/ITO/ZnO ekleminin üzerine kaplanmıştır ve cam/ITO/ZnO/C24H12 çoklu heteroeklemi üretilmiştir.
💡
Sonuç & Katkı:Tüm bu analizler sonucunda ürettiğimiz Ag/ITO/ZnO/C24H12/Ag çoklu heteroeklemin fotodiyot ve fotovoltaik davranış sergilediği görülmüştür.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Fotodiyot · Çoklu heteroeklem · Hibrit heteroeklem

Özet

Bu çalışmada, yarıiletken metal oksit ZnO bileşiği elektrokimyasal kaplama yöntemi kullanılarak cam/ITO üzerine büyütülmüştür. Daha sonra C24H12 organik yarıiletken katmanı termal buharlaştırma yöntemiyle cam/ITO/ZnO ekleminin üzerine kaplanmıştır ve cam/ITO/ZnO/C24H12 çoklu heteroeklemi üretilmiştir. Üretilen tabakaların yüzeysel analizi taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile yapılmış, ZnO tabakasının nanopul (nanoflake) ve nanoçubuk, C24H12 tabakasının nanotel şeklinde büyüdüğü görülmüştür. Ayrıca ZnO tabakasının elementel dağılımı Enerji dağılımlı X-ray spektroskopisi (EDS) ile incelenmiş, Zn ve O elementlerinin tabaka içerisinde homojen bir dağılım sergiledikleri görülmüştür. ±1.5V uygulama potansiyeli aralığında karanlık ve 100mW/cm2 ışık şiddeti altında Ag/ITO/ZnO/C24H12/Ag çoklu heteroekleminin elektriksel özellikleri karakterize edilmiş. Karanlik ortamda, seri direnç (Rs), diyot idealite faktörü (n), engel yüksekliği (∅_b), ters doyma akımı (I0) sırasıyla ≈104Ω, 7.5-6.5, 0.647 eV ve 5,7E-7 A değerlerini almışken, 100mW/cm2 ışık şiddeti altında bu değerlerin sırasıyla ≈103Ω, 6.5-1.3, 0.914 eV ve 1.9E-11 A olduğu görülmüştür. Çoklu heteroeklemin fotoiletkenlik mekanizması için önemli parametreler olan fotoakım (Iph), fotoduyarlılık (R) ve fotohassasiyet (S) değerleri ileri besleme altında farklı voltaj değerlerinde belirlenmiştir. Ayrıca çoklu heteroeklemin fotovoltaik parametreleri hesaplanmış ve dolum faktörü FF’nin 0.56 olduğu görülmüştür. Tüm bu analizler sonucunda ürettiğimiz Ag/ITO/ZnO/C24H12/Ag çoklu heteroeklemin fotodiyot ve fotovoltaik davranış sergilediği görülmüştür.

Abstract

In this study, semiconductor metal oxide ZnO compound was grown on glass/ITO substrate by electrochemical deposition technique. Later on, C24H12 organic semiconductor layer was deposited on glass/ITO/ZnO junction by thermal evaporation method and glass/ITO/ZnO/C24H12 multi heterojunction was fabricated. Surface analyses of produced layers was performed by Scanning electron microscopy (SEM) and it is seen that surface morphology of ZnO and C24H12 has nanoflake-nanorod structures and, nanowire structure, respectively. In addition, the elemental distribution of the ZnO layer was examined by Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), and it was observed that Zn and O elements exhibited a homogeneous distribution within the layer. The electrical properties of Ag/ITO/ZnO/C24H12/Ag multi heterojunction were characterized under dark and 100mW/cm2 light intensity in the range of ±1.5V application potential. In the dark environment, series resistance (Rs), diode ideality factor (n), barrier height (∅b), reverse saturation current (I0) were ≈104Ω, 7.5-6.5, 0.647 eV and 5.7x10-7 A, respectively, while under 100mW/cm2 light intensity, these values were found to be ≈ 103Ω, 6.5-1.3, 0.914 eV and 1. 9x10-11 A, respectively. The photocurrent (Iph), photosensitivity (R) and photosensitivity (S) values, which are important parameters for the photoconductivity mechanism of the multi heterojunction, were determined at different voltage values under forward bias. In addition, the photovoltaic parameters of the multi heterojunction were calculated and the fill factor FF was found to be 0.56. As a result, it was observed that the Ag/ITO/ZnO/C24H12/Ag multi-heterojunction exhibited photodiode and photovoltaic behaviour.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

ÜNAL, F., AKTAŞ, S. (2022). Metal Oksit ve Organik Bazlı Çoklu Heteroeklemin Yapısal ve Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi. Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi, Cilt: 12 - Sayı: 1, 508–520. https://ajindex.com/articles/570364

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (9)

  1. Al-Ta’ii, H. M. J., Periasamy, V., and Amin, Y. M., (2016). Electronic Characterization of Au/DNA/ITO Metal-Semiconductor-Metal Diode and Its Application as a Radiation Sensor. Plos One, 11(1), e0145423. https://doi.org/10.1371/journal.pone.0145423
  2. Aldemir, D. A., Kökce, A., ve Özdemir, A. F., (2017). Schottky diyot parametrelerini belirlemede kullanılan metotların geniş bir sıcaklık aralığı için kıyaslanması. SAÜ Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 1-1. https://doi.org/10.16984/saufenbilder.279996
  3. Allison, J., (1990). Electronic Engineering Semiconductors and Devices. London, England: McGraw-Hill College Aslan, N., Kurt, M. Ş., and Koç, M. M., (2022). Morpho-structural and optoelectronic properties of diamond like carbon–germanium (DLC-Ge) composite thin films produced by magnetron sputtering. Optical Materials, 126, 112229. Bartesaghi, D., Pérez, I. D. C., Kniepert, J., Roland, S., Turbiez, M., Neher, D., and Koster, L. J. A., (2015). Competition between recombination and extraction of free charges determines the fill factor of organic solar cells. Nature Communications, 6(1), 7083. https://doi.org/10.1038/ncomms8083
  4. Chandrappa, K. G., & Venkatesha, T. V., (2012). Electrochemical synthesis and photocatalytic property of zinc oxide nanoparticles. Nano-Micro Letters, 4(1), 14-24.
  5. Chen, L., Puniredd, S. R., Tan, Y.-Z., Baumgarten, M., Zschieschang, U., Enkelmann, V., Pisula, W., Feng, X., Klauk, H., & Müllen, K., (2012). Hexathienocoronenes: synthesis and self-organization. Journal of the American Chemical Society, 134(43), 17869-17872.
  6. Cheung, S. K., and Cheung, N. W., (1986). Extraction of Schottky diode parameters from forward current‐voltage characteristics. Applied Physics Letters, 49(2), 85-87. https://doi.org/10.1063/1.97359
  7. Chrissanthopoulos, A., Baskoutas, S., Bouropoulos, N., Dracopoulos, V., Poulopoulos, P., and Yannopoulos, S., (2011). Synthesis and characterization of ZnO/NiO p–n heterojunctions: ZnO nanorods grown on NiO thin film by thermal evaporation. Photonics and Nanostructures-Fundamentals and Applications, 9(2), 132-139.
  8. Coşkun, B., Mensah-Darkwa, K., Soylu, M., Al-Sehemi, A. G., Dere, A., Al-Ghamdi, A., Gupta, R., and Yakuphanoglu, F., (2018). Optoelectrical properties of Al/p-Si/Fe: N doped ZnO/Al diodes. Thin solid films, 653, 236-248.
  9. Çetinkaya, H. G., Tecimer, H., Uslu, H., & Altındal, Ş., (2013). Photovoltaic characteristics of Au/PVA (Bi-doped)/n-Si Schottky barrier diodes (SBDs) at various temperatures. Current Applied Physics, 13