KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi / 2020 / Cilt: 8 - Sayı: 1

Mn Katkılı CdO Fotodiyotların İletkenlik ve Arayüz Durum Yoğunluğu Karakteristikleri

Conductance and Density of Interface State Characteristics of Mn Doped CdO Photodiodes

Mümin Mehmet KOÇ
Sayfa
925–939
Yayın Tarihi
2022-10-12
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Arayüz durum yoğunluğu değerlerinin Mn katkılaması ile arttığı keşfedildi.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:İnce film üretiminde kullanılan CdO ve Mn katkılı CdO çözeltiler Sol-gel yöntemi kullanılarak üretildi.
📊
Temel Bulgular & Veri:Katkısız, %0.2 Mn katkılı, %6 Mn katkılı ve %10 Mn katkılı CdO çözeltileri spin kaplama yöntemi kullanılarak silisyum tabakalar üzerine fotofiyot üretim amacı ile kaplandı.
💡
Sonuç & Katkı:Arayüz durum yoğunluğu değerlerinin Mn katkılaması ile arttığı keşfedildi.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:CdO İnce Filmler · Mn Katkılama · Fotodiyotlar

Özet

İnce film üretiminde kullanılan CdO ve Mn katkılı CdO çözeltiler Sol-gel yöntemi kullanılarak üretildi. Katkısız, %0.2 Mn katkılı, %6 Mn katkılı ve %10 Mn katkılı CdO çözeltileri spin kaplama yöntemi kullanılarak silisyum tabakalar üzerine fotofiyot üretim amacı ile kaplandı. İletkenlik – voltaj (G - V) ölçümleri gerçekleştirildi. Mn katkılamanın CdO fotodiyotların iletkenlik özelliklerini iyileştirdiği görüldü. Artan AC sinyal frekansı ile iletkenlik karakteristiğinin de artış gösterdiği tespit edildi. Düzeltilmiş iletkenlik – voltaj (Gadj – V) grafikleri, iletkenlik – voltaj grafikleri kullanılarak elde edildi. Artan AC sinyal frekansı ile düzeltilmiş iletkenlik değerinin de artış gösterdiği anlaşıldı. Düzeltilmiş iletkenlik – voltaj ve iletkenlik – voltaj grafikleri kullanılarak arayüz durum yoğunluğu değerleri elde edildi. Üretilen farklı fotodiyotlar için farklı arayüz durum yoğunluğu değerleri var olduğu anlaşıldı. Arayüz durum yoğunluğu değerlerinin Mn katkılaması ile arttığı keşfedildi.

Abstract

Sol-gel technique was used to fabricate CdO and Mn doped CdO solutions which were used to produce thin films. Undoped and 0.2% Mn doped, 6% Mn doped, and 10% Mn doped solutions were spin coated on Si wafers to fabricate photodiodes. Conductance – voltage (G - V) measurements were performed. Mn doping enhances the conductance properties of the CdO diodes. Increased conductance characteristics were obtained with increasing AC signal frequency. Corrective conductance – voltage (Gadj – V) graphs were obtained using conductance voltage graphs. Increased corrective conductance (Gadj) values were obtained with increasing AC signal frequency. Using corrective conductance – voltage (Gadj – V) and conductance – voltage (G - V) data density of interface states (Dit) values of the diodes were calculated. Different density of state values were obtained for the different photodiode. Density of state values were found to increase with increased Mn doping.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

KOÇ, M. M. (2022). Mn Katkılı CdO Fotodiyotların İletkenlik ve Arayüz Durum Yoğunluğu Karakteristikleri. Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi, Cilt: 8 - Sayı: 1, 925–939. https://ajindex.com/articles/494066

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (16)

  1. B. Yu and M. Meyyappan, “Nanotechnology: Role in emerging nanoelectronics,” Solid. State. Electron., vol. 50, no. 4, pp. 536–544, 2006
  2. O. Koo, I. Rubinstein, and H. Onyuksel, “Role of nanotechnology in targeted drug delivery and imaging: a concise review,” Nanomedicine Nanotechnology, Biol. Med., vol. 1, no. 3, pp. 193–212, 2005
  3. V. J. Mohanraj and Y. Chen, “Nanoparticles - A review,” Trop. J. Pharm. Res., vol. 5, no. June, pp. 561–573, 2006
  4. R. H. Baughman, A. A. Zakhidov, and W. A. de Heer, “Carbon nanotubes--the route toward applications.,” Science, vol. 297, no. 5582, pp. 787–92, Aug. 2002
  5. N. Yamazoe, G. Sakai, and K. Shimanoe, “Oxide semiconductor gas sensors,” Catal. Surv. from Asia, vol. 7, no. 1, pp. 63–75, Apr. 2003
  6. S. Jolley, M. Koppang, T. Jackson, and G. M. Swain, “Flow Injection Analysis with Diamond Thin-Film Detectors,” Anal. Chem., vol. 69, no. 20, pp. 4099–4107, Oct. 1997
  7. K. C. Liddiard, “Thin-film resistance bolometer IR detectors,” Infrared Phys., vol. 24, no. 1, pp. 57–64, Jan. 1984
  8. P. D. Rack and P. H. Holloway, “The structure, device physics, and material properties of thin film electroluminescent displays,” Materials Science and Engineering R: Reports, vol. 21, no
  9. Elsevier BV, pp. 171–219, 1998
  10. M. W. J. Prins et al., “A ferroelectric transparent thin-film transistor,” Appl. Phys. Lett., vol. 68, no. 25, pp. 3650–3652, 1996
  11. Ö. Tamer et al., “Synthesis, crystal structure, spectroscopic characterization and nonlinear optical properties of manganese (II) complex of picolinate: A combined experimental and computational study,” J. Mol. Struct., vol. 1106, pp. 98–107, 2016
  12. E. Şennik, Ş. Ürdem, M. Erkovan, and N. Kilinç, “Sputtered platinum thin films for resistive hydrogen sensor application,” Mater. Lett., vol. 177, pp. 104–107, Aug. 2016
  13. Y. Şahin, S. Öztürk, N. Kilinç, A. Kösemen, M. Erkovan, and Z. Z. Öztürk, “Electrical conduction and NO 2 gas sensing properties of ZnO nanorods,” Appl. Surf. Sci., vol. 303, pp. 90–96, 2014
  14. R. Topkaya, M. Erkovan, A. Öztürk, O. Öztürk, B. Akta, and M. Özdemir, “Ferromagnetic resonance studies of exchange coupled ultrathin Py/Cr/Py trilayers,” J. Appl. Phys., vol. 108, no. 2, 2010
  15. M. Yaqoob Khan, C. Bin Wu, M. Erkovan, and W. Kuch, “Probing antiferromagnetism in NiMn/Ni/(Co)/Cu3Au(001) single-crystalline epitaxial thin films,” J. Appl. Phys., vol. 113, no. 2, 2013
  16. A.-H. Lu, E. L. Salabas, and F. Schüth, “Magnetic Nanoparticl