KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Politeknik Dergisi / 2019 / Cilt: 22 - Sayı: 2

Elektron Demet ile Işınlanmış PTCDA Arayüzey Tabakalı Au/PTCDA/n-Si Diyotların Elektriksel Özellikleri

The Electrical Properties of Au/PTCDA/n-Si Diodes with Electron Beam Irradiated PTCDA Interfacial Layer

UMUT AYDEMİR
Sayfa
393–398
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Au/PTCDA/n-Si SD’un I-V karakteristiklerinin ışınlama ile oldukça etkilendiği ve uygun ışınlama dozu ile aygıt performansının artırılabileceği gözlemlenmiştir.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada, geleneksel Au/n-Si Schottky Diyotların (SDs) aygıt performansının ışınlanmış PTCDA arayüzey tabakası kullanılarak yenilikçi bir yaklaşımla iyileştirilmesi amaçlanmıştır.
📊
Temel Bulgular & Veri:Bu nedenle ilk olarak PTCDA tozları 30kGy, 60kGy ve 100kGy farklı elektron demet (E-Demet) dozlarında ışınlanmıştır ve sonuçlar FTIR yöntemi ile analiz edilmiştir.
💡
Sonuç & Katkı:Au/PTCDA/n-Si SD’un I-V karakteristiklerinin ışınlama ile oldukça etkilendiği ve uygun ışınlama dozu ile aygıt performansının artırılabileceği gözlemlenmiştir.
🔬Tür:Deneysel Tarla Denemesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Au/PTCDA/n-Si · PTCDA arayüzey tabakası · Schottky diyotlar

Özet

Bu çalışmada, geleneksel Au/n-Si Schottky Diyotların (SDs) aygıt performansının ışınlanmış PTCDA arayüzey tabakası kullanılarak yenilikçi bir yaklaşımla iyileştirilmesi amaçlanmıştır. Bu nedenle ilk olarak PTCDA tozları 30kGy, 60kGy ve 100kGy farklı elektron demet (E-Demet) dozlarında ışınlanmıştır ve sonuçlar FTIR yöntemi ile analiz edilmiştir. Işınlanmamış ve ışınlanmış PTCDA tozları n-Si alttaş üzerine organik buharlaştırma sisteminde kaplanmıştır. Farklı dozlarda E-Demet ile ışınlanmış ve ışınlanmamış PTCDA arayüzey tabakalı Au/PTCDA/n-Si SD’ların Akım-Gerilim (I-V) karakteristikleri ±3V arasında oda sıcaklığında gerçekleştirilmiştir. Aygıtların idealite faktörü(n), Schottky engel yüksekliği (FBo), doğrultma oranı (DO), seri direnç (Rs) ve Şönt direnci (Rsh) parametreleri I-V sonuçlarından hesaplanarak elde edilmiştir. 30 kGy ışınlanmış PTCDA arayüzey tabakalı Au/PTCDA/n-Si SD aygıt performansının ışınlanmamış PTCDA arayüzey tabakalı Au/PTCDA/n-Si SD’a göre daha iyi olduğu deneysel olarak gözlenmiştir. Au/PTCDA/n-Si SD’un I-V karakteristiklerinin ışınlama ile oldukça etkilendiği ve uygun ışınlama dozu ile aygıt performansının artırılabileceği gözlemlenmiştir.

Abstract

In this work, it is aimed to improve the device performance of traditional Au / n-Si Schottky Diodes (SDs) with an innovative approach using the irradiated PTCDA interfacial layer. For this reason, first PTCDA powders were irradiated with different electron beam (E-Beam) doses of 30kGy, 60kGy and 100kGy and the results were analyzed by FTIR method. Unirradiated and irradiated PTCDA powders with E-Beam were evaporated on n-Si substrate via organic evaporator. Current-Voltage (I-V) characteristics of unirradiated and irradiated Au/PTCDA/n-Si SDs with PTCDA interfacial layers irradiated with different E-Beam doses of 30kGy, 60kGy and 100kGy were carried out between ±3V at room temperature. The ideality factor (n), Schottky barrier height (FBo), rectification ratio (DO), series resistance (Rs) and shunt resistance (Rsh) of devices were calculated from current-voltage (I-V) results. It is experimentally seen that performance of Au/PTCDA/n-Si SD irradiated with 30 kGy has better results when we compared unirradiated Au/PTCDA/n-Si SD. It has been observed that the I-V characteristics of the Au/PTCDA/n-Si SD are highly influenced by irradiation and the device performance can be improved with appropriate irradiation dose.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

AYDEMİR, U. (2019). Elektron Demet ile Işınlanmış PTCDA Arayüzey Tabakalı Au/PTCDA/n-Si Diyotların Elektriksel Özellikleri. Politeknik Dergisi, Cilt: 22 - Sayı: 2, 393–398. https://ajindex.com/articles/306447

Kaynakça (15)

  1. Sze S.M., Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, New York, (2007)
  2. Aydemir U., Taşçıoğlu İ., Altındal Ş. ve Uslu İ., A detailed comparative study on the main electrical parameters of Au/n-Si and Au/PVA:Zn/n-Si Schottky barrier diodes. Materials Science in Semiconductor Processing 16(6): 1865-1872 (2013)
  3. Ocaya, R.O, Al-Sehemi, A.G, Al-Ghamdi, A, El-Tantawy, F, Yakuphanoglu, F, Organic semiconductor photosensors. Journal Of Alloys And Compounds 702: 520-530 (2017)
  4. Gupta R, Misra S.C.K., Malhotra B.D., Beladakere N.N., Chandra S., Metal/semiconductive polymer Schottky device. Appl. Phys. Lett. 58: 51, (1991)
  5. Xu Y,, Sun H.,Noh Y.Y., Schottky Barrier in Organic Transistors. IEEE Transactions On Electron Devices 64(5): 1932-1943 (2017)
  6. Çakar M., N. Yıldırım, Ş. Karataş, C. Temirci, A. Turut, Current-voltage and capacitance-voltage characteristics of Sn/rhodamine-101∕ n-Si and Sn/rhodamine-101∕ p-Si Schottky barrier diodes. J. Appl. Phys, 100: 74505 (2006)
  7. Gupta R.K. ve Singh R.A., Electrical properties of junction between aluminium and poly(aniline)–poly(vinyl chloride) composite, Mater. Chem. Phys. 86: 279, (2004)
  8. Kılıçoğlu T., Aydın M.E., Topal G., Ebeoğlu M.A., Saygılı H., The effect of a novel organic compound chiral macrocyclic tetraamide-I interfacial layer on the calculation of electrical characteristics of an Al/tetraamide-I/p-Si contact. Synth. Met. 157: 540 (2007)
  9. Güllü Ö. ve Türüt A., Electrical analysis of organic interlayer based metal/interlayer/semiconductor diode structures. J. Appl. Phys. 106: 103717, (2009)
  10. Akkılıç K., Aydın M.E., Uzun İ., Kılıçoğlu T., The calculation of electronic parameters of an Ag/chitin/n-Si Schottky barrier diode Synth. Met., 156: 958, (2006)
  11. Aydın M.E., Kılıçoğlu T., Akkılıç K., Hoşgören H., The calculation of electronic parameters of an Au/β-carotene/n-Si Schottky barrier diode. Physica B 381: 113, (2006)
  12. Güllü Ö., Aydoğan Ş., Türüt A., Fabrication and electrical properties of Al/Safranin T/n-Si/AuSb structure. Semicond. Sci. Technol. 23: 075005 (2008)
  13. Kuo C.S., Wakim F.G., Sengupta S.K., Tripathy S.K., Schottky and Metal-Insulator-Semiconductor Diodes Using Poly(3-hexylthiophene) Jpn. J. Appl. Phys. 33: 2629 (1994)
  14. Narayanan Unni K N., Dabos-Seignon S., Nunzi J.M. Improved performance of pentacene field-effect transistors using a polyimide gate dielectric layer. Journal of Physics D: Applied Physics, 8(1): 1148 (2005)
  15. Faraji