Dergiler / Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2014 / Cilt: 14 Sayı: 3

Ru Katkısının Yarıiletken Kalay Oksit Filmlerin Elektriksel ve Nem Sensörü Özelliklerine Etkisi

The Effect of Ru Substitution on the Electrical and Humidity Sensor Properties of Semiconductor Tin Oxide Film

Sayfa
129–133
Yayın Tarihi
2014-12-01
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Nem algılama özellikleri oda sıcaklığında farklı nem değerlerine gore elektriksel direncin değişimi ölçülerek tespit edilmiştir.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada nem sensörü uygulaması için saf ve Ru katkılı SnO2 ince filmler Si ve cam altlıklar üzerine sol-jel yöntemi kullanılarak kaplanmıştır.
📊
Temel Bulgular & Veri:Bu çözeltilerle Si (100) ve cam altlıklar üzerine döndürerek kaplama tekniği kullanılarak ince ve homojen dağılımlı filmler kaplanmıştır.
💡
Sonuç & Katkı:Nem algılama özellikleri oda sıcaklığında farklı nem değerlerine gore elektriksel direncin değişimi ölçülerek tespit edilmiştir.
🔬Tür:Makale
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Ru katkı · Kalay oksit · Sol-jel

Özet

Bu çalışmada nem sensörü uygulaması için saf ve Ru katkılı SnO2 ince filmler Si ve cam altlıklar üzerine sol-jel yöntemi kullanılarak kaplanmıştır. Kalay ve rutenyum tabanlı prekursorlar kullanılarak şeffaf çözeltiler hazırlanmıştır. Bu çözeltilerle Si (100) ve cam altlıklar üzerine döndürerek kaplama tekniği kullanılarak ince ve homojen dağılımlı filmler kaplanmıştır. Elde edilen filmler 600oC’de 1 saat fırınlandıktan sonra SnO2 tabanlı filmler elde edilmiştir. Üretilen filmlerin yapısal ve elektriksel karakterizasyonu sırasıyla XRD, SEM, kaynak-metre sistemleri kullanılarak yapılmıştır. Saf ve Ru katkılı SnO2 ince filmlerin AC ve DC elektriksel iletkenlikleri belirlenmiştir. Nem algılama özellikleri oda sıcaklığında farklı nem değerlerine gore elektriksel direncin değişimi ölçülerek tespit edilmiştir. Elde edilen filmlerin nem yakalama/bırakma kinetikleri ise QCM tekniği kullanılarak ölçülmüş ve analiz edilmiştir. © Afyon Kocatepe Üniversitesi

Abstract

In this study, pure SnO2 and Ru-SnO2 thin films were deposited on Si and glass substrates via sol-gel technique for humidity sensor applications. Transparent solutions were prepared from Sn and Ru based precursors. The solutions were deposited on Si (100) and glass substrates by using spin coating technique which provides thin and smooth films. The thin films were annealed at 600oC for 1 hour in air to obtain SnO2 based films. The structural and electrical properties of the films were characterized by XRD, SEM, source/meter system respectively. The AC and DC electrical conductivity of the pure and Rudoped SnO2 films were determined. Humidity sensing properties were measured changing the electrical resistance for different humidity levels at room temperature. The humidity adsorbtion kinetics of these films was investigated by quartz crystal microbalance (QCM) technique

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

Mermer, Ö., Erol, M., Bektaş, M., Çelik, E. (2014). Ru Katkısının Yarıiletken Kalay Oksit Filmlerin Elektriksel ve Nem Sensörü Özelliklerine Etkisi. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt: 14 Sayı: 3, 129–133. https://ajindex.com/articles/1355280

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (12)

  1. Altindal, S., Karadeniz, S., Tugluoğlu N., and Tataroglu, A., 2003, Solid State Electron., 47, 1847.
  2. Caglar, Y., Caglar, M.S., Ilican, Yakuphanoglu, F., 2009, Microelectronic Engineering, 86, 2072- 2077.
  3. Cheung, S.K., Cheung, N.W., 1986, Appl. Phys. Lett. 49 85.
  4. Choi Y. J., Park H., Golledge S., Johnson D., Chang H.J., Jeon H., 2010. Surface & Coatings Technology, 205 (2010) 2649–2653.
  5. Delgado R.D., 2002, Tin Oxide Gas Sensors: An Electrochemical Approach.
  6. Li L., Yu K., Wu J., Wang Y., & Zhu, 2010. Cryst. Res. Technol. 45, No. 5, 539 – 544 (2010)/DOI 10.1002/crat.200900718.
  7. Liewhiran C., Tamaekong N., Wisitsoraat A., & Phanichphant S., 2009, Sensors, 9, 8996 9010.
  8. Niranjan R. S., Sainkar S.R., Vijayamohanan K., Mulla I.S., 2002, Sensors and Actuators B, 82, 82-88.
  9. Parthibavarman M., Hariharan V. and Sekar C., 2011. Materials Science and Engineering.
  10. Rhoderick, E.H., Williams, R.H., Metal Semiconductor Contacts, Clerendon, Oxford, 1988.
  11. Shuping G., Jing X., Jianqiao L., Dongxiang Z., 2008. Sensors and Actuators B, 134, 57–61.
  12. Sze, S.M., Physics of Semiconductor Devices, (Ed.), John Wiley & Sons, New York, 1981.