Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar
AI InsightGaInP lif örneklerinin kristal yapı ve yüzey morfolojisi karakterizasyonu ise Atomik Güç Mikroskobu (AFM) ve taramalı elektron mikroskopu (SEM), yapısal özellikleri X-ışını kırınımı (XRD) teknikleri kullanılarak belirlenmiştir
📌 3 Maddede Bu Makale
Özet
Bu çalışma kapsamında elektroeğirme yöntemiyle Galyum İndiyum fosfit (GaInP) nanoliflerin oluşturabilmek için çözeltiler hazırlanmıştır. Hazırlanan çözeltinin viskozitesini ayarlayabilmek için değişik katkılar (PVA,DEA,PEG,PVP) katılmış ve ardından çözelti elektroeğirme yöntemiyle iletken cam ve alüminyum altlık kullanılarak lif haline getirilmiştir. Oluşan seramik içerikli lifler inert atmosferde sinterlenmiştir. Elde edilen GaInP liflerin ısısal karakterizasyonu TGA ve DTA teknikleri kullanılarak analiz edilmiştir. Elde edilen liflerin elektrik ve optik özellikleri sırasıyla dört nokta metodu ve UV spektrometresiyle incelenmiştir. GaInP lif örneklerinin kristal yapı ve yüzey morfolojisi karakterizasyonu ise Atomik Güç Mikroskobu (AFM) ve taramalı elektron mikroskopu (SEM), yapısal özellikleri X-ışını kırınımı (XRD) teknikleri kullanılarak belirlenmiştir
Abstract
In this study, for the fabrication of the GaInP semiconducting fibers 3 different solutions were prepared. Different chemicals (PVA,DEA,PEG,PVP) were added to the prepared solution for it to adjust its viscosity and then fibers were developed spraying the solution by using electrospinning technique on the conductive glass and aluminium substrates. These obtained fibers were sintered at inert atmosphere. Thermal analyses of the obtained GaInP fibers were examined by using thermogravimetric/differential thermal analysis (TG-DTA) techniques. Electrical and optical properties of the fabricated fibers were examined by using four probe method and UV spectrometer, respectively. Whereas characterization of surface morphology and the crystal structure of the GaInP fiber samples were carried out by means of SEM, AFM and XRD techniques. © Afyon Kocatepe Üniversitesi