KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2026 / Cilt: 20 Sayı: 4

GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu

Characterization of GaAs/GaAlAs Heterostructures Grown on GaAs Substrate using High Resolution X-ray Diffraction Method

Habibe Sayraç(Gazi Üniversitesi)0000-0002-4566-7736
Muhammed Sayraç(ÇANKIRI KARATEKİN ÜNİVERSİTESİ)0000-0003-4373-6897
Sezai Elagöz(ASELSAN-Microelectronics, Guidance and Electro-Optics, Ankara, Turkey)0000-0002-3600-8640
Sayfa
558–564
Yayın Tarihi
2020-09-25
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Deneysel sonuçları karşılaştırmak için Rigaku Global Fit simülasyon programı kullanıldı, simülasyon ile deneysel sonuçların yüksek oranda uyumlu olduğu görüldü.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Nano yapıların X- ışını kırınımı (XRD) yöntemi kullanılarak karakterizasyonu, bu yapıların bileşimi, örgü zorlanması ve heteroepitaksiyel katmanları hakkında bilgi verir.
📊
Temel Bulgular & Veri:Bu bilgiler optoelektronik cihazların üretiminde önemli rol oynamaktadır.
💡
Sonuç & Katkı:Deneysel sonuçları karşılaştırmak için Rigaku Global Fit simülasyon programı kullanıldı, simülasyon ile deneysel sonuçların yüksek oranda uyumlu olduğu görüldü.
🔬Tür:Modelleme & Sayısal Simülasyon
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:GaAs · GaAs/GaAlAs · XRD

Özet

Nano yapıların X- ışını kırınımı (XRD) yöntemi kullanılarak karakterizasyonu, bu yapıların bileşimi, örgü zorlanması ve heteroepitaksiyel katmanları hakkında bilgi verir. Bu bilgiler optoelektronik cihazların üretiminde önemli rol oynamaktadır. Bu makalede, yaygın olarak kullanılan GaAlAs malzemesi hakkında genel bilgilerden bahsedilmektedir. Ek olarak, X- ışını kırınım yönteminin malzemelerin karakterizasyonu için önemi, malzemelerin büyütme ve yapının oluşum süreci hakkında önemli bilgiler sağlamasıdır. Epitaksiyel olarak büyütülmüş GaAs/GaAlAs heteroyapılarının yapısal karakterizasyonu X- ışını kırınım yöntemi kullanılarak analiz edilmiştir. Deneysel sonuçları karşılaştırmak için Rigaku Global Fit simülasyon programı kullanıldı, simülasyon ile deneysel sonuçların yüksek oranda uyumlu olduğu görüldü.

Abstract

Characterization of nanostructures using X-ray diffraction (XRD) method gives information on the composition, the lattice strain, and heteroepitaxial layers of the structures. These information are useful for fabrication process of optoelectronic devices. In this paper, we give fundamental description to the commonly used material, GaAlAs. In addition, the importance of X ray diffraction method for characterization of the materials provides crucial information for the growth and development process of the materials. Structural characterization of epitaxial growth GaAs/GaAlAs heterostructures are analyzed using the X- ray diffraction (XRD) method. Rigaku Global Fit simulation program is performed to compare the experimental results, and the simulation and the experimental results agree with each other.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

Sayraç, H., Sayraç, M., Elagöz, S. (2020). GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt: 20 Sayı: 4, 558–564. https://doi.org/10.35414/akufemubid.707628

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (14)

  1. Ashcroft N. W. and Mermin N. D., 1976. Solid State Physics. Saunders College Publishing, Orlando.
  2. Auvray P., Baudet M. and Regreny A., 1987. X‐ray diffraction study of intentionally disordered GaAlAs‐GaAs superlattices. Journal of Applied Physics, 62, 456-460.
  3. Börnstein L., 1999. Semiconductors II-VI and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds. Springer Materials, 41B.
  4. Hayashi M. and Marcon R., 2000. High Resolution X-ray diffraction to characterize semiconductor materials. Physicae, 1, 21-27.
  5. Horikoshi Y., Kawashima M. and Yamaguchi H., 1986. Low-temperature growth of GaAs and AlAs-GaAs quantum-well layers by modified molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics, 25, L868-L870.
  6. Kato T., Susawa H., Hirotani M., Saka T., Ohashi Y., Shichi E. and Shibata S., 1991. GaAs/GaAlAs surface emitting IR LED with Bragg reflector grown by MOCVD. Journal of Crystal Growth, 107, 832-835.
  7. Kish F. A., Caracci S. J., N. H. Jr., Dallesasse J. M., Höfler G. E., Burnham R. D. and Smith S. C., 1991. Low‐threshold disorder‐defined native‐oxide delineated buried‐heterostructure AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well lasers. Applied Physics Letters, 58, 1765-1767.
  8. Liu C. Y., Yuan S., Dong J. R. and Chua S. J., 2004. Temperature dependence of photoluminescence intensity from AlGaInP/GaInP multi-quantum well laser structures. Journal of Crystal Growth, 268, 426-431.
  9. Liu X. Q., Fetzer C. M., Rehder E., Cotal H., Mesropian S., Law D. and King R. R., 2012. Organometallic vapor phase epitaxy growth of upright metamorphic multijunction solar cells. Journal of Crystal Growth, 352, 186-189.
  10. Neamen D. A., 2003. Semiconductor Physics and Devices. Avenue of the Americas.
  11. Pahuja O. P. Dr., 2005. Solid State Physics. SP/Laxmi Publications, New Delhi.
  12. Quinn J. J. and Yi K.-S., 2009. Solid State Physics Principles and Modern Applications. Springer.
  13. Schubert E. F., 2006. Light-Emitting Diodes. Cambridge University Press, Edingburgh Building.
  14. Thompson A. G., 1997. MOCVD technology for semiconductors. Materials Letters, 30, 255-263.