Dergiler / Karaelmas Fen ve Mühendislik Dergisi / 2026 / Cilt: 5 Sayı: 1

Yeni bir organik ara tabaka esaslı Schottky diyodun elektronik karakterizasyonu

Sayfa
52–55
Yayın Tarihi
2015-01-01
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Ayrıca, Cheung-Cheung methodu da idealite faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç değerlerinin bulunması için kullanıldı ve bulunan sonuçlar I-V metodu ile karşılaştırıldı.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:2-oxo-2- 2-tiyenilmetoksi etil-2-metakrilat TMOEM ve 2-tiyenilmetil 4-vinilbenzil eter TMVBE yan zincirinde tiyofen içeren yeni metakrilik ve stirenik monomerlerdir.
📊
Temel Bulgular & Veri:Bu çalışmada, yaklaşık eşit mol oranlarında TMOEM ve TMVBE monomerlerinden sentezlenen poli TMVBE-ko-TMOEM kopolimeri metal/ara tabaka/yarıiletken MAY Schottky diyot yapımı için kullanıldı.
💡
Sonuç & Katkı:Ayrıca, Cheung-Cheung methodu da idealite faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç değerlerinin bulunması için kullanıldı ve bulunan sonuçlar I-V metodu ile karşılaştırıldı.
🔬Tür:Makale
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Metakrilik polimerler · Stirenik polimerler · Schottky diyotlar

Özet

2-oxo-2- 2-tiyenilmetoksi etil-2-metakrilat TMOEM ve 2-tiyenilmetil 4-vinilbenzil eter TMVBE yan zincirinde tiyofen içeren yeni metakrilik ve stirenik monomerlerdir. Bu çalışmada, yaklaşık eşit mol oranlarında TMOEM ve TMVBE monomerlerinden sentezlenen poli TMVBE-ko-TMOEM kopolimeri metal/ara tabaka/yarıiletken MAY Schottky diyot yapımı için kullanıldı. Elde edilen MAY diyodun akım-gerilim ölçümleri gerçekleştirildi. Akım-gerilim I-V grafiğinden diyodun iyi bir doğrultucu davranışı ve yeterli ters beslem doyum akımı gösterdiği gözlendi. İleri beslem I-V karakteristiği kullanılarak yapılan hesaplamalardan, Ag/poli TMVBE-ko-TMOEM /p-Si MAY diyodunun idealite faktörü ve bariyer yüksekliği sırasıyla 2.34 ve 0.75 eV olarak bulundu. Ag/poli TMVBE-ko-TMOEM /p-Si MAY diyodu için bulunan bariyer yüksekliğinin geleneksel Ag/p-Si Schottky diyoduna göre daha yüksek olduğu görüldü. Ayrıca, Cheung-Cheung methodu da idealite faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç değerlerinin bulunması için kullanıldı ve bulunan sonuçlar I-V metodu ile karşılaştırıldı.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

Başman, N., Uzun, R., Arslan, Ö., Erol, İ., Çankaya, G., Uzun, O. (2015). Yeni bir organik ara tabaka esaslı Schottky diyodun elektronik karakterizasyonu. Karaelmas Fen ve Mühendislik Dergisi, Cilt: 5 Sayı: 1, 52–55. https://ajindex.com/articles/1152758

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...