Son olarak, DLTS ölçümleri için gereken bilgi edinme hızını ve bilgi kalitesini sağlamak amacıyla 72BD Boonton kapasitansmetrede özel değişiklikler yapıldı.
📌 3 Maddede Bu Makale
🎯
Amaç & Hipotez:Derin seviyeler yarı iletken teknolojisinde çok önemli bir rol oynamaktadır.
📊
Temel Bulgular & Veri:Derin seviye geçiş spektroskopisi (DLTS) tekniği, derin seviyelerin önce doldurulup sonra boşaltılması halinde oluşan kapasitans geçiş sinyallerinin sıcaklığa bağlılığını inceler.
💡
Sonuç & Katkı:Son olarak, DLTS ölçümleri için gereken bilgi edinme hızını ve bilgi kalitesini sağlamak amacıyla 72BD Boonton kapasitansmetrede özel değişiklikler yapıldı.
🔬Tür:Uygulamalı Anket & Alan Araştırması
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Derin seviye geçiş spektroskopisi · DLTS
Özet
Derin seviyeler yarı iletken teknolojisinde çok önemli bir rol oynamaktadır. Derin seviye geçiş spektroskopisi (DLTS) tekniği, derin seviyelerin önce doldurulup sonra boşaltılması halinde oluşan kapasitans geçiş sinyallerinin sıcaklığa bağlılığını inceler. Bu çalışmada, kapasitans geçiş sinyallerini ölçmek için çift örnekleme yönteminden yararlanıldı. Derin seviyeleri doldurup boşaltmak ve sinyal işlemek için; bir darbe üretici, saat devresi, ve örnekleme hızları değiştirilebilen bir sinyal işleme ünitesi tasarlandı ve yapıldı. Son olarak, DLTS ölçümleri için gereken bilgi edinme hızını ve bilgi kalitesini sağlamak amacıyla 72BD Boonton kapasitansmetrede özel değişiklikler yapıldı.
Sarıtaş, M. (2013). Derin Enerji Seviye Spektroskopisi Çalışmaları İçin Bir Devre Tasarımı Ve Yapımı. Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi, Cilt: 8 Sayı: 1. https://ajindex.com/articles/1079286