AI Summary & Key Takeaways
AI InsightThe optical transmittance spectra showed that the annealing process improves the optical transmittance in the visible region.
📌 3 Key Takeaways
Abstract
Among the II–IV semiconductor compounds, CdS (band gap 2.43 eV) have large applications as photoconductors, in semiconductor lasers, nonlinear optical devices and photovoltaic solar cells. In this work; In-doped CdS (CdS:In) films were fabricated on glass substrates by ultrasonic spray pyrolysis (USP) method. The obtained samples were annealed in air at 450 °C for two different times as 1 and 2 hours. Effects of annealing on the surface and optical properties of CdS:In films were investigated by atomic force microscopy (AFM), optical transmittance and the room temperature photoluminescence (PL) spectroscopy. Thicknesses of the films, refractive indices and extinction coefficient values were determined by spectroscopic ellipsometry technique using Cauchy–Urbach model. The optical transmittance spectra showed that the annealing process improves the optical transmittance in the visible region.
Özet
II-VI yarıiletken bileşikler arasında, CdS (band aralığı 2.43 eV) fotoiletkenler, yarıiletken lazerler, nonlinear optik cihazlar ve fotovoltaik güneş pilleri gibi geniş uygulama alanlarına sahiptir. Bu çalışmada, In katkılı CdS (CdS:In) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniğiyle cam tabanlar üzerine üretilmiştir. Elde edilen numuneler 450 °C’de iki farklı sürede tavlanmıştır. CdS:In filmlerinin yüzeysel ve optik özellikleri üzerine tavlamanın etkileri atomik kuvvet mikroskobu, optik geçirgenlik ve oda sıcaklığında fotolüminesans spektroskobisi alınarak incelenmiştir. Filmlerin kalınlıkları, kırılma indisi ve sönüm katsayısı değerleri Cauchy–Urbach modeli kullanılarak spektroskopik elipsometre tekniği kullanılarak belirlenmiştir. Optik geçirgenlik spektrumu tavlama işleminin görünür bölgede optik geçirgenliği arttırdığını göstermiştir.