Dergiler / Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi / 2022 / Cilt: 12 - Sayı: 2
AlInN/AlN HEMT’in Detaylı Optik Özellikleri
- Sayfa
- 521–529
- DOI
- —
Özet
Bu çalışmada, Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) tekniği ile c-yönelimli safir üzerinde büyütülen AlInN/AlN yüksek elektron hareketli transistör (HEMT) yapısının optik özellikleri incelenmiştir. Optik karakterizasyon Kubelka-Munk yöntemiyle yapılmıştır. Geçirgenlik, absorbans, yansıma detaylı olarak incelenmiştir. Ayrıca özel fonksiyonlar kullanarak InN'nin yasak enerji bant aralığını belirlemek için Kubelka-Munk teorisinden yararlanılmıştır. Bu yöntemle elde edilen enerji bant aralığının karşılaştırılması yapılmıştır.
Abstract
In this study, the optical properties of AlInN/AlN high electron mobility transistor (HEMT) structure, grown on c-oriented sapphire with Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) technique, being investigated. Optical characterization is made Kubelka- Munk method. Transmittance, absorbance, and reflectance are investigated in detail. Also, the Kubelka-Munk theory is employed to determine the forbidden energy band gap of InN by using special functions. The energy band gap obtained by this method was compared.