Dergiler / Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fen Dergisi / 2017 / Cilt: 12 - Sayı: 1

The Structural and Electronic Properties of TlGa1-xInxTe2 (x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75) Alloys

TlGa1-xInxTe2 (x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75) Alaşımlarının Yapısal ve Elektronik Özellikleri

Sayfa
30–40
DOI
—

Özet

Bu çalışmada, yoğunluk fonksiyonel teorisi dahilinde lineer genişletilmiş düzlem dalga metodu kullanılarak TlGa1-xInxTe2 alaşımlarının yapısal ve elektronik özellikleri incelendi. TlGa1xInxTe2 (x=0.25, 0.50, 0.75) alaşımları, TlInTe2 ve TlGaTe2 alaşımları gibi tetragonal yapıya sahiptir. Alaşımların Kristal yapıları P1 (hesaplamalardan, birim hücre içerisindeki In konsantrasyonunun artışı ile örgü parametresi a ve birim hücre hacminin arttığı tespit edildi. Incelenen alaşımların, elektronik band yapı ve durum yoğunluğu hesaplamalarından, yarıiletken özellik sergilediğini bulundu. Ayrıca, alaşımların yasak band enerjisinin, x konsantrasyonuna bağlı olarak değiştiği tespit edildi. Hesaplanan yasak band enerjileri, alaşımların dar band aralıklı yarıiletken olduğunu göstermektedir. Bu çalışmanın bulguları dörtlü TlGa1-xInxTe2 (x=0.25, 0.50, 0.75) alaşımları ile ilgilenen araştırmacılar için iyi bir referans çalışma olacaktır

Abstract

In this study, the structural and electronic properties of TlGa1-xInxTe2 alloys have been investigated using the full potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method within the density functional theory (DFT). The TlGa1-xInxTe2 (x=0.25, 0.50, 0.75) alloys have tetragonal structure as in TlInTe2 and TlGaTe2 alloys. We create the crystal structure of these alloys using the P1 ( ##) space group. We found that the value of the lattice parameter a and volume of unit cell increases with increasing In concentrations. These alloys have characteristics of semiconductors. Moreover, we show that the band gap energy is dependent on the alloy composition index x. The calculated band gap energies indicate that all the studied alloys here are characterized by narrow band-gap semiconductors. The finding of this study motivates further future studies for concerning quaternary TlGa1-xInxTe2 for x=0.25, 0.50 and 0.75 alloys