Dergiler / Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi / 2021 / Cilt: 11 - Sayı: 3

Polimer Güneş Hücrelerinde PEDOT:PSS’ye Gümüş Nanoparçacık Katkılamanın VerimeEtkisi

Effect of Efficiencies of Adding Silver Nanoparticles' to PEDOT:PSS in The Polymer Solar Cell

Sayfa
2009–2015
DOI
—

Özet

Bu çalışmada, polimer güneş hücrelerinde boşluk ileten katman olarak kullanılan Poly(3,4- ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) (PEDOT:PSS)’ye değişik boyutlardaki (5 nm, 10 nm,20 nm ve 30 nm) gümüş (Ag) nanoparçacıkları katkılanarak ITO (Indium tin (kalay) oxide) üzerineDöndürerek Kaplama (Spin Coating) yöntemiyle kaplandı. Katkılı ve katkısız PEDOT:PSS numuneleri,110 °C, 130 °C ve 150 °C sıcaklıklarında tavlandı. Daha sonra Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) ve [6,6]- phenyl $C_61$ butyric acid methyl ester (PCBM) karışımı PEDOT:PSS üzerine kaplanarakITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al yapıdaki polimer güneş hücreleri üretildi ve 110°C sıcaklıkta 20dakika süreyle tavlandı. Üretilen numunelerin akım-voltaj (I-V) ölçümleri alınarak grafikleri çizildi.Yapılan hesaplamalardan elde edilen verilere göre en yüksek fotovoltaik verim %2.59 ile 5 nm Agkatkılı numunenin 130°C’deki tavlama ile elde edildiği tespit edildi.

Abstract

In this study, silver (Ag) nanoparticles of different sizes (5 nm, 10 nm, 20 nm and 30nm) were doped on Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) (PEDOT:PSS), which isused as a hole conducting layer in polymer solar cells, and coated on Indium tin oxide (ITO) by SpinCoating method. PEDOT:PSS samples with and without additives were annealed at 110 °C, 130 °C and150 °C. Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and [6,6]-phenyl $C_61$ butyric acid methyl ester (PCBM)mixture were coated on PEDOT:PSS to produce polymer solar cells withITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al structure and It was annealed at 110°C for 20 minutes. Current voltage (I-V) measurements of the produced samples were taken and their graphics were drawn.According to the data obtained from the calculations, it was determined that the highest photovoltaicefficiency of 2.59% was obtained by annealing at 130°C for the 5 nm Ag doped sample.