Dergiler / Gümüşhane Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi / 2018 / Cilt: 8 - Sayı: 2
InSe ve InSe:Sn Yarıiletkenlerinde Farklı Tavlama Sıcaklıkları ve Süreleri için Lineer Soğurma Katsayılarının Belirlenmesi
- Sayfa
- 365–371
- DOI
- —
Özet
Bu çalışmada Bridgman/Stockbarger metodu ile büyütülmüş InSe ve InSe:Sn yarıiletken kristallerinin farklı tavlama sıcaklıkları ve zamanları için lineer soğurma katsayıları incelenmiştir. Yarıiletkenlerden geçirilen 241Am’in gamma ışınları yüksek çözünürlüklü Si(Li) detektör tarafında detekte edilmiştir ve Enerji ayırımlı X-ışını Floresan Spektrometresi (EDXRFS) kullanılmıştır. InSe ve InSe:Sn yarıiletken kristallerinin lineer soğurma katsayılarının, tavlama süresi ve sıcaklığının artışıyla genelde arttığı gözlenmiştir.
Abstract
In this study have examined linear attenuation coefficients of InSe and InSe:Sn semiconductor crystals have been grown by using Bridgman/Stockbarger for different annealing temperature and time. Gamma rays of 241Am passed through semiconductors have been detected by a high-resolution Si(Li) detector and by using energy dispersive X-ray fluorescence spectrometer (EDXRFS). It has been observed that the linear absorption coefficients of InSe and InSe: Sn semiconductor crystals generally increase with the increase of annealing time and temperature.