Dergiler / Gümüşhane Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi / 2021 / Cilt: 11 - Sayı: 1
Grafen oksitin modifiye Hummers yöntemi ile sentezi ve film olarak Al/GO/nInP diyot performansına etkileri
- Sayfa
- 235–244
- DOI
- —
Özet
Grafen oksit (GO) modifiye Hummers yöntemi ile sentezlendi. Metal-yarıiletken arayüzeyine spray pyrolysis yöntemiylebüyütülen grafen oksit filmin Al/GO/n-InP Schottky diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırıldı. GO filmlerin yapısalözellikleri X-Işını kırınımı ölçümleri (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) ölçümleri ile belirlendi. GO filminabsorbans ve transmittans spektrumları alınarak optik özellikleri araştırıldı. Al/GO/n-InP diyotunun oda sıcaklığındaki IV karakteristiklerinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca, karanlık ve 100 mW/cm2ışık şiddetialtında yapılan I-V ölçümleri doğrultusunda diyotun oldukça iyi fotovoltaik özelliklere sahip olduğu belirlendi. Al/GO/nInP Schottky diyotunun idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb0), seri direnç (Rs) ve şönt direnci Rsh gibi karakteristikparametreleri hesaplanarak arayüzey tabakasız referans Al/n-InP diyotu ile karşılaştırıldı. Al/GO/n-InP Schottky diyotyapısının çeşitli elektronik ve optoelektronik devre uygulamaları için uygun bir malzeme olduğu görüldü.
Abstract
Graphene oxide (GO) was synthesized by the modified Hummers method. The graphene oxide film deposited by using spray pyrolysis on metal-semiconductor interface of Al/GO/n-InP Schottky diode. The effect of GO film on Al/GO/n-InP Schottky diode characteristics was investigated. The structural properties of GO films were determined by X-Ray diffraction measurements (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) measurements. The absorbance and transmittance spectra of the GO film were measured and their optical properties were investigated. From the I-V characteristics of the Al/GO/n-InP diode at room temperature, this structure was shown to have a rectifying property. In addition, it was determined that the diode had very good photovoltaic properties from the I-V measurements under dark and 100 mW/cm2 light intensity. The characteristic parameters of the Al/GO/n-InP Schottky diode such as the ideal factor (n), barrier height (Φb0), series resistance (Rs) and shunt resistance (Rsh) were calculated and compared with the reference Al/n-InP diode. The Al/GO/n-InP Schottky diode structure was found to be a suitable material for various electronic and optoelectronic circuit applications.