Dergiler / Fırat Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2001 / Cilt: 13 - Sayı: 1
Yüksek seri dirençli Schottky diyotları için Norde metodu
- Sayfa
- 141–146
- DOI
- —
Özet
Bu çalışmada, doğal arayüzey oksit tabakası ve seri dirence sahip Al/p-Si ve Au/n-Si Schotky diyotlarının akım-voltaj(I-V) karakteristikleri sıcaklığa bağlı incelendi, idealite faktörünün $1
Abstract
In this study, temperature dependence the forward current-voltage (I-V) characteristics of both Al/p-Si and Au/n-Si Schottky diodes with series resistance and natural oxide layer discussed. It is shown that by using Norde's function F(V)=$V/gamma-(kT/q)LN(I/SA^ast T^2)$ at different temperatures, barrier height $Phi_B$ , ideality factor n and series resistance $R-S$ can be determined even in the case $1