Az Miktarda Bizmut Eklenen Yarıiletken Alaşımlarının Optik Özellikleri

Özet

Az miktarda bizmut (Bi) içeren III-V yarıiletken alaşımları üzerine yapılan araştırmalar ve optoelektronik uygulamaları son zamanlarda artmıştır. Bu alaşımlar, ev sahibi olarak seçilen yarıiletkene az miktarda Bi eklenerek elde edilirler. Bismut’un eklenmesi yarıiletken alaşımların enerji bant aralığını azaltır. Bu çalışmada optoelektronik cihazlarda kullanılan InAs1− Bi , InP1-xBix, ve InSb1− Bi alaşım sistemlerinin bant aralığı ve optik özellikleri araştırılmıştır. Yarı iletkenlerin bu çalışmada incelenen optik özellikleri, cihaz performansının artırılması ve verimliliği için önemlidir. Kırılma indisi, yarı iletken alaşımların doğrudan bant aralığına bağlıdır. In-V-Bi yarı iletken elde etmek ve bant aralığını değiştirmek için ikili InAs, InP, InSb'ye az miktarda bizmut eklenerek geliştirilebilir. Bu çalışmada, önerilen In-V-Bi alaşımlarının kırılma indeksleri ve optik parametreleri araştırılmıştır.

Abstract

The research on dilute bismuth containing III-V semiconductor alloys and its applications are studied.These alloys are obtained by incorporating a small amount of Bi in the host semiconductor. The presence of Bireduced the energy bandgap of the alloys. The bandgap and optical properties of InAs1− Bi , InP1-xBix, andInSb1− Bi alloy systems are investigated for optoelectronic devices. The optical properties of semiconductors areimportant to change the properties of device performance. The refractive index strongly depends on the directbandgap of the semiconductor alloys. The bandgap of the In-V-Bi semiconductor layer can be engineered bymeans of adding bismuth into InAs, InP, InSb. In this work, the refractive indices and the optical parameters ofthe In-V-Bi alloys are investigated.