Termal buharlaştırma yöntemi ile üretilen n-ZnO/p-Si heteroeklem kontakların elektriksel ve optiksel karakterizasyonu

Electrical and optical characterization of n-ZnO/p-Si heterojunction contacts produced by thermal evaporation method

Özet

Bu çalışmada, n-ZnO ince filmi hem p-Si yarıiletkeni ve hem de mikroskop camı üzerinde termal buharlaştırma yöntemi ile üretildi. n-ZnO ince filmler, UV-Vis spektroskopisi, X-ışını kırınımı (XRD) ve enerji dağılımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) ile incelendi. n-ZnO/p-Si diyotların elektriksel özellikleri karanlıkta ve oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile belirlendi. Üretilen numunelerin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnci (Rs), I-V ve C-V ölçümlerinden ve Cheung fonksiyonlarından hesaplandı. Ayrıca n-ZnO/p-Si diyotların fotodiyot özellikleri 100 mW/cm2 ve AM 1.5 aydınlatma altında incelendi.

Abstract

In this study, n-ZnO thin film was produced on both p-Si semiconductor and microscope glass by thermal evaporation method. n-ZnO thin films were analyzed by UV-Vis spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). The electrical properties of n-ZnO/p-Si diodes were investigated by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements in the dark and at room temperature. The ideality factor (n), barrier height (Фb) and series resistance (Rs) of the produced samples were calculated from I-V and C-V measurements and Cheung functions. In addition, photodiode properties of n-ZnO/p-Si diodes were investigated under 100 mW/cm2 and AM 1.5 illumination.