Dergiler / Anadolu Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi / 2001 / Cilt: 0 - Sayı: 6

CdIn2S4 yarıiletken filmlerinin optik özellikleri

Optical properties of CdIn2S4 semiconductor films

Sayfa
73–81
DOI
—

Özet

Bu araştırmada, spray pyrolysis yöntemiyle elde edilen CdIn2S4 yarıiletken bileşiğinin, oda sıcaklığında çekilen absorpsiyon spektrumlarından, enerji bant aralıkları 2.43-2.53 eV olarak hesaplanmıştır.

Abstract

In this study, the energy gap values of CdIn2S4 compound semiconductor films produced by means of the spray pyrolysis method are calculated to be 2.43-2.53 eV from optical absorption spectrum of films at room temperature.