Dergiler / Anadolu Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi / 2003 / Cilt: 0 - Sayı: 7
$Zn (In_2S_3)S$ yarıiletken filmlerinin optik absorpsiyonu
- Sayfa
- 147–156
- DOI
- —
Özet
Bu çalışmada spray pyrolysis yöntemiyle elde edilen $Zn (In_2S_3)S$ yapısındaki yarıiletken bileşiğinin, oda sıcaklığında çekilen optik spektrumlarından, yasak enerji aralıkları 2,65-3,00eV olarak hesaplanmış ve direkt geçişli bant yapısına sahip oldukları belirlenmiştir.
Abstract
In this study, the energy gap values of $Zn (In_2S_3)S$ compound semiconductor films produced by means of spray pyrolysis method are calculated to be 2.65-3.00eV from optical absorption spectrum of films at room temparature.