Dergiler / Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik / 2004 / Cilt: 5 - Sayı: 2
Some physical properties of CDS:SN films obtained by ultrasonic spray pyrolysis technique
- Sayfa
- 237–243
- DOI
- —
Özet
Heteroeklem güneş pillerinde yaygın olarak kullanılan yarıiletken pencere materyali katkısız ve katkılı CdS' dür. Bu çalışmada, $Cd_{ı.x}Sn_xS (0leq x leq 0.4)$ filmleri 300±5 °C taban sıcaklığında ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile çöktürülmüştür ve film özellikleri üzerine Sn katkısının etkisi verilmiştir. Üretilen filmlerin özdirenç değerlerinin karanlıkta ve havada 3.62x$10^2$-1.76x$10^7$ $Omega$ cm arasında olduğu ve CdS filmlerinin yüksek özdirencinin Sn katkılanarak azaldığı belirlenmiştir. Elektriksel özellikler üzerindeki incelemeler aynı zamanda CdS ve $Cd_{0.8}Sn_{0.2}S$ filmlerinin tuzaklı bir yapıya sahip olduklarını göstermiştir. Yasak enerji aralıkları optik metot kullanılarak 2,43-2,44 eV olarak bulunmuştur. CdS filminin geçirgenlik değeri Sn ile katkılandığında (x=0.2) artmıştır. Filmlerin yüzey morfolojileri Metalurjik Optik Mikroskop ile incelenmiş ve en homojen yüzeyin $Cd_{0.8}Sn_{0.2}S$ filmlerinde görüldüğü belirlenmiştir. Sn katkılı CdS filmleri fotovoltaik güneş pillerinde CdS filmleri gibi pencere materyali olarak kullanılabilir.
Abstract
The most used semiconductor window material in heterojunction so|ar cells in undoped and doped CdS. In this work, $Cd_{ı.x}Sn_xS (0leq x leq 0.4)$ films were deposited by ultrasonic spray pyr.öl||is technique at a substrate temperature of 300±5 °C and the effect of Sn incorporation on the film properties is presented. It was determined that the resistivity values of the produced films are between 3.62x$10^2$-1.76x$10^7$ $Omega$ cm in dark and air and the high resistivity of CdS films decreased by Sn doping. The investigations on the electrical properties also showed that CdS and $Cd_{0.8}Sn_{0.2}S$ films have a trapped structure. The forbidden energy gaps were found as 2.43-2,44 eV by using the optical method. The transmittance value of CdS film increased when doped with Sn (x=0.2). The surface morphologies of the films were investigated by Metallurgical Optical Microscope and it was determined that the most homogeneous surface was seen in $Cd_{0.8}Sn_{0.2}S$ films. Sn doped CdS films can be used as window materials like CdS films in photovoltaic solar cells.