Az Miktarda Bizmut Eklenen Yarıiletken Alaşımlarının Optik Parametreleri

Özet

Az miktarda bizmut (Bi) içeren III-V yarıiletken alaşımları üzerine yapılan araştırmalar ve optoelektronik uygulamaları son zamanlarda artmıştır. Bu alaşımlar, ev sahibi olarak seçilen yarıiletkene az miktarda Bi eklenerek elde edilirler. Bismut’un eklenmesi yarıiletken alaşımların enerji bant aralığını azaltır. Bu çalışmada optoelektronik cihazlarda kullanılan InAs1−𝑥Bi𝑥, InP1-xBix, ve InSb1−𝑥Bi𝑥 alaşım sistemlerinin bant aralığı ve optik özellikleri araştırılmıştır. Yarı iletkenlerin bu çalışmada incelenen optik özellikleri, cihaz performansının artırılması ve verimliliği için önemlidir. Kırılma indisi, yarı iletken alaşımların doğrudan bant aralığına bağlıdır. In-V-Bi yarı iletken elde etmek ve bant aralığını değiştirmek için binary InAs, InP, InSb'ye bizmut eklenerek geliştirilebilir. Bu çalışmada, önerilen In-V-Bi alaşımlarının kırılma indeksleri ve optik parametreleri araştırılmıştır.

Abstract

The research on dilute bismuth containing III-V semiconductor alloys and its applications are studied. These alloys are obtained by incorporating a small amount of Bi in the host semiconductor. The presence of Bi reduced the energy bandgap of the alloys. The bandgap and optical properties of InAs1−𝑥Bi𝑥, InP1-xBix, and InSb1−𝑥Bi𝑥 alloy systems are investigated for optoelectronic devices. The optical properties of semiconductors are important to change the properties of device performance. The refractive index strongly depends on the direct bandgap of the semiconductor alloys. The bandgap of the In-V-Bi semiconductor layer can be engineered by means of adding bismuth into InAs, InP, InSb. In this work, the refractive indices and the optical parameters of the In-V-Bi alloys are investigated.