KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Çukurova Üniversitesi Mühendislik Fakültesi dergisi / 2016 / Cilt: 31 Sayı: 1

N-Tipi SnS2 Yarıiletken İnce Filmlerin Hazırlanması ve Karakterizasyonu

Preparation and Characterization of N-Type SnS2 Semiconductor Thin Films

Cebrail GÜMÜŞ
Gülay ALTINDEMİR
Sayfa
83–92
Yayın Tarihi
2016-06-15
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Hall etkisi ölçümlerinden SnS2 filmleri n-tipi iletkenliğe sahip olduğu bulunmuştur.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:SnS2 yarıiletken ince filmleri, kimyasal depolama yöntemi (KDY) kullanılarak 50-80oC’de cam alttabanlar üzerine elde edildi.
📊
Temel Bulgular & Veri:SnS2 filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV-vis spektrofotometresi kullanılmıştır.
💡
Sonuç & Katkı:Hall etkisi ölçümlerinden SnS2 filmleri n-tipi iletkenliğe sahip olduğu bulunmuştur.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:KDY · SnS2 ince film · Yapısal özellikler

Özet

SnS2 yarıiletken ince filmleri, kimyasal depolama yöntemi (KDY) kullanılarak 50-80oC’de cam alttabanlar üzerine elde edildi. X-ışını kırınım spektrumu filmlerin amorf yapıda olduklarını göstermiştir. SnS2 filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV-vis spektrofotometresi kullanılmıştır. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik (%T) ve optik soğurma (A) değerleri 400-1100 nm dalga boyu aralığında belirlenmiştir. Elde edilen veriler ile filmlerin optik parametreleri olan soğurma katsayısı (α), kırılma indisi (n), sönüm katsayısı (k), reel, imajiner dielektrik sabitleri (Ԑ1, Ԑ2) ve enerji bant aralığı (Eg) değerleri hesaplandı. Hall etkisi ölçümlerinden SnS2 filmleri n-tipi iletkenliğe sahip olduğu bulunmuştur.

Abstract

SnS2 semiconductor thin films were prepared by the chemical bath deposition (CBD) technique onto glass substrates deposited at 50–80oC. X-ray diffraction spectra of the films have shown that the films are amorphous in structure. To determine the optical properties of the SnS2 films UV-vis spectrophotometer was used. Optical transmittance (%T) and optical absorption (A) values of the films were determined in the wavelength range 400-1100 nm at room temperature. The obtained data with optical parameters of the films absorption coefficient (α), refractive index (n), extinction coefficient (k), real, imaginary dielectric constants (Ԑ1, Ԑ2) and the energy band gap (Eg) values were calculated. From the Hall effect measurement, it was found that SnS2 thin films exhibits n-type conduction.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

GÜMÜŞ, C., ALTINDEMİR, G. (2016). N-Tipi SnS2 Yarıiletken İnce Filmlerin Hazırlanması ve Karakterizasyonu. Çukurova Üniversitesi Mühendislik Fakültesi dergisi, Cilt: 31 Sayı: 1, 83–92. https://ajindex.com/articles/895539

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (13)

  1. Shi C, Yang P, Yao M, Dai X, Chen Zhu., 2013. Preparation of SnS2 Thin Films by Close-Spaced Sublimation at Different Source Temperatures. Thin Solid Films, 534, 28–31
  2. Kiruthigaa G, Manoharan C, Raju C, Dhanapandian S, Thanikachalam V., 2014. Synthesis and Spectroscopic Analysis of Undoped and Zn doped SnS2 Nanostructure by Solid State Reaction Method. Materials Science in Semiconductor Processing, 26, 533–539
  3. Khelia C, K. Boubaker, T. Ben Nasrallah, M. Amlouk, Belgacem S., 2009. Morphological and Thermal Properties of β-SnS2 Sprayed Thin Films Using Boubaker Polynomials Expansion. Journal of Alloys and Compounds, 477, 461–467
  4. Schlaf R, Armstrong N. R, Parkinson B. A, Pettenkofer C, Jaegermann W., 1997. Van der Waals Epitaxy of the Layered Semiconductors SnSe2 and SnS2: Morphology and Growth Modes. Surface Science, 385, 1–14
  5. Reddy, N. K, Reddy, K. T. R., 1998. Growth of Polycrystalline SnS Films by Spray Pyrolysis. Thin Solid Films, 325,4–6
  6. Koteswara Reddy N, Ramakrishna Reddy K T, Fisher G, Best R, Dutta P K., 1999. The Structural Behaviour of Layers of SnS Grown by Spray Pyrolysis. J. Phys. D: Appl. Phys, 32, 988–990
  7. Sokolov I. A., 2000. Adaptive Photodetectors: Novel Approach for Vibration Measurements. Measurement, 27, 13– 9
  8. Shi W, Huo L, Wang H, Zhang H, Yang J, Wei P., 2006. Hydrothermal Growth and Gas Sensing Property of Flower Shaped SnS2 Nanostructures. Nanotechnology, 17, 2918–2924
  9. Tan F, Qu S, Zeng X, Zhang C, Shi M, Wang Z, Jin L, Bi Y, Cao J, Wang Z, Hou Y, Teng F, Feng Z., 2010. Photovoltaic Effect of Tin Disulfide with Nanocrystalline/ Amorphous Blended Phases. Solid State Communications, 150, 58–61
  10. Seo J-W, Jang J-T, Park S-W, Kim C, Park B, Cheon J., 2008. Two-Dimensional SnS2 Nanoplates with Extraordinary High Discharge Capacity for Lithium Ion Batteries. Advanced Materials, 20, 4269–4273
  11. De D, Manongdo J, See S, Zhang V, Guloy A., 2013. Haibing Peng. High on/off Ratio Field Effect Transistors Based on Exfoliated Crystalline SnS2 Nano-membranes. Nanotechnology 24-025202 (6pp)
  12. Sanchez-Juareza A, Tiburcio-Silverb A, Ortiz A., 2005. Fabrication of SnS2/SnS Heterojunction Thin Film Diodes by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. Thin Solid Films 480–481:452 – 456
  13. Kutchinsky J, Taboryski R, Sorensen C. B, Hansen J. B, Lindelof P. E., 2001. Experimental Investigation of Supercurrent Enchancement in S-N-S Junctions by Non-Equilibrium Injection into Supercurrent-Carrying Bound Andreev S