KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi / 2021 / Cilt: 2 - Sayı: 1

MoO3 Arayüzey Tabakalı Metal/Yarıiletken Yapısının Düşük Frekans Değerleri için Dielektrik Özelliklerinin İncelenmesi

Yunus ÖZEN
Halil İbrahim EFKERE
Tarik ASAR
Süleyman ÖZÇELİK
Sayfa
24–33
Yayın Tarihi
2021-05-01
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Elde edilen sonuçlara göre, MoO3 arayüzey tabakasının kapasitör uygulamaları için uygun olduğu görüldü.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada, Molibden trioksit (MoO3) ara tabakalı Au/n-GaAs yapısının dielektrik özellikleri 0-4 V aralığında 0.25 V adımlarla düşük frekanslar için incelendi.
📊
Temel Bulgular & Veri:MoO3 ince filmi radyo frekansı (RF) magnetron püskürtme yöntemi kullanılarak n-tipi GaAs alttaş üzerine biriktirildi.
💡
Sonuç & Katkı:Elde edilen sonuçlara göre, MoO3 arayüzey tabakasının kapasitör uygulamaları için uygun olduğu görüldü.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Au/MoO3/n-GaAs yapısı · C-V ve G/w-V ölçümleri · Düşük frekans analizi

Özet

Bu çalışmada, Molibden trioksit (MoO3) ara tabakalı Au/n-GaAs yapısının dielektrik özellikleri 0-4 V aralığında 0.25 V adımlarla düşük frekanslar için incelendi. MoO3 ince filmi radyo frekansı (RF) magnetron püskürtme yöntemi kullanılarak n-tipi GaAs alttaş üzerine biriktirildi. Au/MoO3/n-GaAs yapısının oda sıcaklığında 10, 20, 30, 50, 70 ve 100 kHz frekanslarında, kapasitans–voltaj (C–V) ve kondüktans–voltaj (G/–V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçüm sonucunda C ve G dataları kullanılarak Au/MoO3/n-GaAs yapısının dielektrik parametreleri belirlendi. Dielektrik sabiti (𝜀′), dielektrik kayıp (𝜀′′), dielektrik kayıp tanjantı (tan) elektriksel modülüsün (M) gerçel kısmı (𝑀′), sanal kısmı (𝑀′′) ve elektrik iletkenliği (𝜎𝑎𝑐) gibi dielektrik parametreler frekansa bağlı olarak hesaplandı. Elde edilen sonuçlara göre, MoO3 arayüzey tabakasının kapasitör uygulamaları için uygun olduğu görüldü.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

ÖZEN, Y., EFKERE, H. İ., ASAR, T., ÖZÇELİK, S. (2021). MoO3 Arayüzey Tabakalı Metal/Yarıiletken Yapısının Düşük Frekans Değerleri için Dielektrik Özelliklerinin İncelenmesi. Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi, Cilt: 2 - Sayı: 1, 24–33. https://ajindex.com/articles/852131

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (11)

  1. Girotto C., Voroshazi E., Cheyns D., Heremans P., and Rand B. P., (2011). Solution-Processed MoO3 Thin Films As a Hole-Injection Layer for Organic Solar Cells, ACS Applied Materials Interfaces, 3, 3244
  2. Cauduro A. L. F., Reis R. D., Chen G., Schmid A. K., Méthivier C., Rubahn H. G., Bossard-Giannesini L., Cruguel H., Witkowski N., and Madsen M., (2017). Crystalline Molybdenum Oxide Thin-Films for Application as Interfacial Layers in Optoelectronic Devices, ACS Applied Materials Interfaces, 9, 7717
  3. Simchi H., McCandless B. E., Meng T., and Shafarman W. N., (2014). Structural, optical, and surface properties of WO3 thin films for solar cells, Journal of Alloys and Compounds, 617, 609-615
  4. Meyer J., Hamwi S., Kröger M., Kowalsky W., Riedl T., and Kahn A., (2012). Transition Metal Oxides for Organic Electronics: Energetics, Device Physics and Applications, Advanced Materials, 24, 5408
  5. Kumar G. S., Illyaskutty N., Suresh S., Sreedharan R. S., Nayar V. U., and Pillai V. P. M., (2017). Terbium oxide doped MoO3 nanostructures: Morphology engineering and enhanced photoluminescence, Journal of Alloys and Compounds, 698, 215-227
  6. Mahato S., Biswas D., Gerling L. G., Voz C., and Puigdollers J., (2017). Analysis of temperature dependent current-voltage and capacitance-voltage characteristics of an Au/V2O5/n-Si Schottky diode, AIP Advances. 7, 8
  7. Elumalai N. K., Saha A., Vijila C., Jose R., Jie Z., and Ramakrishna S., (2013). Enhancing the stability of polymer solar cells by improving the conductivity of the nanostructured MoO3 hole-transport layer, Physical Chemistry Chemical Physics, 15, 6831
  8. Sanehira E. M., Tremolet de Villers B. J., Schulz P., Reese M. O., Ferrere S., Zhu K., Lin Y. L., Berry J. J., and Luther J. M., (2016). Influence of Electrode Interfaces on the Stability of Perovskite Solar Cells: Reduced Degradation Using MoOx/Al for Hole Collection, ACS Energy Letters, 1, 38
  9. Wang C., Irfan I., Liu X., and Gao Y., (2014). Role of molybdenum oxide for organic electronics: Surface analytical studies, Journal Vacuum Science & Technology B, 32, 040801
  10. Rahmani M. B., Keshmiri S. H., Yu J., Sadek A. Z., Al-Mashat L., Moafi A., Latham K., Li Y. X., Wlodarski W., Kalantar-zadeh K., (2010). Gas sensing properties of thermally evaporated lamellar MoO3, Sensors and Actuators, B: Chemical, 145, 13 – 19
  11. Bessonov A. A., Kirikova M. N., Petukhov D. I., M., T. Ryhänen, and Bailey M. J. A., (2015). Layered memristive and memca