Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar
AI InsightDeneysel sonuçlara göre kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı tespit edilmiştir.
📌 3 Maddede Bu Makale
Özet
Bu çalışmada Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında 1kHz-1MHz frekans aralığında incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı tespit edilmiştir. Ayrıca, difüzyon potansiyeli (VD), donör taşıyıcı yoğunluğu (ND), Fermi enerjisi (EF), tüketim tabakasının genişliği (WD) maksimum elektrik alan (Em), potansiyel bariyer yüksekliği (ΦB), Schottky engel alçalması (ΔΦB) gibi elektriksel parametreler frekansa bağlı C-V ölçümlerinin analizinden elde edilmiştir. Bu çalışmanın sonucunda, C-V analizinden elde edilen Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun temel elektriksel parametreleri, Au/n-Si (MY) Schottky bariyer diyotunkiler ile kıyaslandığında P3HT:PCBM arayüzey organik tabaka sayesinde geliştirilmiştir.
Abstract
The frequency dependent capacitance-voltage (C-V) characteristics of Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPS) Schottky barrier diode were investigated in the frequency range of 1kHz-1MHz at room temperature. The results show that the values of capacitance increases while the frequency decreases. Furthermore, the electrical parameters, such as diffusion potential (VD), doping concentration of donor atoms (ND), Fermi energy level (EF), depletion layer width (WD), maximum electric field (Em), barrier height (ΦB), Schottky barrier lowering (ΔΦB), were determined from the analysis of frequency dependent C-V measurements. As a result of this study, the basic electrical parameters of Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPS) Schottky barrier diodes deduced from C-V analysis are improved due to the P3HT:PCBM interfacial organic layer when compared with those of Au/n-Si (MS) Schottky barrier diodes.