Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar
AI InsightFotoiletkenlik ölçümlerinden, bileşiklerin absorbsiyon spektrumunda elde edilen piklerden birinin eksitonik pike karşılık geldiği bulunmuştur. $TlGaS_2$ deki çoğu fotoiletkenlik pikleri lokalize seviyelerden iletkenlik bandına olan geçişlere aittir.
📌 3 Maddede Bu Makale
Özet
10-300 K sıcaklık ve 1.0-3.8 eV enerji bölgesinde elde edilen $TIGaX_2$ (X=S, Se) ince tabakalarının absorbsiyon ve fotoiletkenlik spektraları, bileşiklerin temel ve diğer geçişlerinin incelenmesinde kullanılmıştır. Fotoiletkenlik ölçümlerinden, bileşiklerin absorbsiyon spektrumunda elde edilen piklerden birinin eksitonik pike karşılık geldiği bulunmuştur. $TlGaS_2$ deki çoğu fotoiletkenlik pikleri lokalize seviyelerden iletkenlik bandına olan geçişlere aittir.
Abstract
Absorption and photoconductivity spectra of thin $TIGaX_2$(X=S, Se) layers are used to study the fundamental and other transitions of the compounds in the energy region 1.0 - 3.8 eV and in the temperature range of 10 - 300 K. One of the peaks resolved by photoconductivity measurements corresponds to the excitonic peak registered in the absorption spectrum of the compounds. In $TlGaS_2$ most of the photoconductivity peaks are related to transitions from localized levels to conduction band.