Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar
AI InsightOluşan SiO2 ara-tabaka kalınlığının, püskürtme kinetiğine -RF büyütme gücüne- bağlı olduğu belirlendi.
📌 3 Maddede Bu Makale
Özet
Tetragonal yapıdaki SnO2 ince filmleri (100) yönelimli n-tipi Si ve korning cam alttaşlar üzerine oda sıcaklığında RF magnetron püskürtme tekniği ile büyütüldü. Büyütülen yapıların atomik dağılımı ve arayüzey durumları, İkincil İyon Kütle Spektrometresi analizlerinden elde edilen derinlik profili spektrumları ile değerlendirildi. Film derinliği boyunca Sn ve O atomik dağılımının homojen dağılım sergilediği görüldü. Bununla birlikte, Si alttaş üzerine büyütülen SnO2 filmi ile Si alttaş arasında çok ince bir SiO2 tabakasının oluştuğu, hassas bir şekilde SIMS tekniği ile belirlendi. Oluşan SiO2 ara-tabaka kalınlığının, püskürtme kinetiğine -RF büyütme gücüne- bağlı olduğu belirlendi.
Abstract
SnO2 thin films having tetragonal structure were grown on (100) oriented n-type Si and corning glass substrates at room temperature with RF magnetron sputtering technique. The atomic distribution and interfacial evaluation of the deposited structures were evaluated with the depth profile spectra obtained by the Secondary Ion Mass Spectrometer. It was seen that the atomic distribution of Sn and O showed a uniform distribution throughout the film depth. However, it was precisely determined by SIMS technique that an ultra-thin SiO2 layer was formed between the SnO2 film, which was deposited on Si, and Si substrate. The formed SiO2 interlayer thickness was determined to be dependent on the sputtering kinetics i.e. RF deposition power.