Dergiler / Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2000 / Cilt: 6 - Sayı: 2

Kuantum-çukurlu yarıiletken lazerlerde bazı özel çözümler ve yük taşıyıcılarının tuzaklanmaları

The confinement of charged carriers on the quantum-well semiconductor lasers and some special solutions

Sayfa
177–184
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Hapsedicilik faktörü, lazer kazancım da doğrudan etkiler.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Çoklu kuantum çukuru özellikle GaAs ve $Al_xGa_{1-x}As$ malzemelerinden yapılır.
📊
Temel Bulgular & Veri:Kuantum çukurlarının başlangıç ve bitiş tabakaları, hapsedici yapı içindeki elektronların (veya deliklerin) dalga fonksiyonlarını bir dereceye kadar etkiler.
💡
Sonuç & Katkı:Hapsedicilik faktörü, lazer kazancım da doğrudan etkiler.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Alan Parametreleri

Özet

Çoklu kuantum çukuru özellikle GaAs ve $Al_xGa_{1-x}As$ malzemelerinden yapılır. Kuantum çukurların yapmak için aliminyum konsantrasyonu, daha ince iki AlAs tabakası arasındaki GaAs tabakası ile yapılmış kuantum çukurlarında müsaade edilmiş durumlar arasındaki geçişlerle birleşmelerin meydana geldiği kontrol bölgesine enjekte edilen taşıyıcıların tuzaklanmasına yardım etmek için, mesafeyle derece derece değişir. Aliminyum konsantrasyonundaki değişme, kuvvetlendirilen alanlara ait dalganın büyük bir kısmını kılavuzlar. Kuantum çukurlarının başlangıç ve bitiş tabakaları, hapsedici yapı içindeki elektronların (veya deliklerin) dalga fonksiyonlarını bir dereceye kadar etkiler. Hapsedici katmanlar GaAs çukurunda tuzaklanmış elektronların (veya deliklerin) dalga fonksiyonlarına karşı potansiyel duvarları meydana getirirler. Kuantum çukurunda mesafeler deBroglie dalgası boyu ile mukaeyese edilebilecek derecede, küçüktür. Kuantum boyutuna ve kuantizasyona bağlı olan durum yoğunluğu sabittir. Malzemelerin yasak-bant genişliği ve kırılma indisi değiştirilen alaşımdaki aliminyum yüzdesi olarak birbirine ters yönde değişir. Yük taşıyıcılarının hapsedilme derecesi, hapsedicilik faktörü ile belirlenir. Hapsedicilik faktörü, lazer kazancım da doğrudan etkiler.

Abstract

The multiple quantum well structure is especially consructed from GaAs and $Al_xGa_{1-x}As$ materials. To construct the quantum wells, the aluminium concentration is graded over much longer distances to aid in the trapping ol injected carriers in the control legion where the recombination takes place by transitions between allowed stales in the quantum wells formed by sandwilching these layers of GaAs between even thinner layers of AlAs. The change in the aluminium concentration creates a high waveguide for the fields being amplified. The beginning and terminating quantum layers affect the wave functions of the electrons (or holes) in the confining structure somewhat. The confining layers create potential barriers to the wave functions of the electrons (or holes) trapped in GaAs well. In the quantum structure the distances are so small, comparable to the deBroglie wavelength. The density of states are a constant and dependent on quantum size and quantizations. The band gap and index of refraction of material vary in the opposite directions as the percentage of aluminium in the alloys is changed. The confinement degrees of charged carriers are determined by the confinement factors. The confinement factor directly affects the laser gain, too.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

TEMİZ, M. (2000). Kuantum-çukurlu yarıiletken lazerlerde bazı özel çözümler ve yük taşıyıcılarının tuzaklanmaları. Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt: 6 - Sayı: 2, 177–184. https://ajindex.com/articles/289330

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (10)

  1. Adams, M. J. 1987. Semiconductor Lasers for Long- Wavelength Optical-Fiber Comminica-tions, IEEE Mateials and Devices Series, Peter Peregrinus Ltd., London. Casey, H. C. 1978.
  2. Heterostructure Lasers, Academic Press,
  3. Inc., New York, 1978.
  4. Iga, K. 1994.
  5. Fundamentals of Laser Optics, New York. Joseph, W. 1989. A Study of Gallium Arsenide- Aluminum Arsenide-Aluminum Gallium Arsenide Semiconductor Laser Devices for Monolithic Integrated Optical Circuits, Ph. D., Cornell Üniv., 1989.
  6. Temiz, M. 1999a.
  7. Fiberglas, Yarıiletken Lazerler ve Kazanç Sabiti, Pamukkale Üniversitesi, Mühendislik Bilimleri Dergisi, 5 (2-3), 1083-1092.
  8. Temiz, M. 1996. The Quantum-Well Structure of Self Electro-optic Effect Devices and Gallium- Arsenide, Mamukkale University Engineering College, Journal of Engineering Sciences, Page 89, Volume 2, Number 2, Year 1996.
  9. Verdeyen, J. T. 1989.
  10. Laser Electronics, Prentice- Hall, Inc., New Jersey.