Çalışmada IMD frekans bileşenleri iki grupta irdelenmiş; birinci grup bileşenler (1-6) ve ikinci grup bileşenler ise (7-17) olarak alınmış ve gruplar arası ve grup içi asimetrik genlik değişimi, kritikfrekans bölgesi, bant genişliği ve IMD haberleşme de değerlendirilmiştir.
📌 3 Maddede Bu Makale
🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada, GaN HEMT transistörün sıcaklığa bağlı analizi yapılarak Volterra güç serisi üçüncü dereceyekadar açılmış ve küçük işaret transfer fonksiyonları (H1, H2, H3) elde edilmiştir.
📊
Temel Bulgular & Veri:Birinci çekirdek küçük işarettransfer fonksiyonu (H1) kullanılarak 100K, 300K ve 600K sıcaklık değerlerinde dört-tonlu küçük işaretgirişinden elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenleri, geçit-kaynak (Gate source, Vgs) geriliminebağlı olarak analiz edilmiştir.
💡
Sonuç & Katkı:Çalışmada IMD frekans bileşenleri iki grupta irdelenmiş; birinci grup bileşenler (1-6) ve ikinci grup bileşenler ise (7-17) olarak alınmış ve gruplar arası ve grup içi asimetrik genlik değişimi, kritikfrekans bölgesi, bant genişliği ve IMD haberleşme de değerlendirilmiştir.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:HEMT · Asimetri · Volterra Serisi
Özet
Bu çalışmada, GaN HEMT transistörün sıcaklığa bağlı analizi yapılarak Volterra güç serisi üçüncü dereceyekadar açılmış ve küçük işaret transfer fonksiyonları (H1, H2, H3) elde edilmiştir. Birinci çekirdek küçük işarettransfer fonksiyonu (H1) kullanılarak 100K, 300K ve 600K sıcaklık değerlerinde dört-tonlu küçük işaretgirişinden elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenleri, geçit-kaynak (Gate source, Vgs) geriliminebağlı olarak analiz edilmiştir. Çalışmada IMD frekans bileşenleri iki grupta irdelenmiş; birinci grup bileşenler (1-6) ve ikinci grup bileşenler ise (7-17) olarak alınmış ve gruplar arası ve grup içi asimetrik genlik değişimi, kritikfrekans bölgesi, bant genişliği ve IMD haberleşme de değerlendirilmiştir.
GÖKREM, L., ÇELEBİ, F. V., YILDIRIM, R. (2013). DÖRT TON KÜÇÜK İŞARET GİRİŞLİ GaN HEMT TRANSİSTÖRÜN FARKLI SICAKLIKLARDAKİ ASİMETRİK GENLİK DEĞİŞİMİ. Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi, Cilt: 25 - Sayı: 4, 0. https://ajindex.com/articles/20752
Fukuta, M., “History of HEMT Transistor” Fujitsu Quantum Devices Limited, 2002.
Leong, C.J., Shen, Z. and Tay, L.C., “Small- Signal Modeling of a PHEMT up to 110 GHz Based on The Genetic Algorithm”, Microwave and Optical Technology Letters, Vol.29, No.6, - Tasic, A., Serdijn, W. A. and Long, J.R., “Adaptive Low-Power Circuits for Wireless Communications”, Springer, 2006.
Wurtz, L.T., “GaAs FET and HEMT Small- Signal Parameter Extraction From Measured SParameters”, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol.43, No.4, 1994.
Crupi, G., Schreurs, D.M.P., Caddemi, A., “On The Small Signal Modeling of Advanced Microwave FETs: A Comparative Study”, Int. Journal of RF And Micr. Comp.-Aided Eng., pp. 417–425, May 2008.
Crupi, G., Xiao, D., Schreurs, D., Limiti, E., Caddemi, A., De Raedt, W., Germain, M., “Accurate Multibias Equivalent Circuit Extraction for GaN HEMTs”, IEEE Trans Microwave Theory Tech., Vol.54, pp. 3616–3622, 2006.
Jeon, M.Y., “A Technique to Extract Extrinsic Parameters of HEMTs”, Microwave and Optical Technology Letters, Vol.44, No.6, pp. 489–492, - Kameche, M., Feham, M., Meliani, M., Benahmet, N., Dalı, S., “Intrinsic Small-Signal Equivalent Circuit of GaAs MESFET’s”, National Centre of Space Techniques, Algeria Telecom Laboratory, University of Tlemcen, Algeria, - Tayrani,R., Gerber, J.E., Daniel, T., Pengelly, R.S., Rhode, U.L., “A New And Reliable Direct Parasitic Extraction Method for MESFETs and HEMTs” European Microwave Conf, pp.451–, Spain, 1993.
Chalermwisutkul, D.S., “Large Signal Modeling of GaN HEMTs for UMTS Base Station Power Amplifier Design Taking into Account Memory Effects”, Phd Thesis, 2007.
Jarndal, A.H., “Large-Signal Modeling of GaN Device for High Power Amplifier Design” Phd Thesis, 2006.
Miras, A., Legros, E., “ Very High-Frequency Small-Signal Equivalent Circuit for Short Gate Length InP HEMT’s”, IEEE Trans. Micr. Theory Tech., Vol. 45, pp. 1018–1026, 1997.
Liu, Q.Z., “An Accurate and Simple Large Signal Model of HEMT”, Microwave Symposium Digest, 1989.
Jarndal, A. and Kompa, G., “A new Small Modeling Approach to GaN Devices, IEEE Trans Micr. Theory Tech., Vol. 54, pp. 2949–, 2006.
Kameche, M., Feham, M., “Simple Techniques for Determining The Small-Signal Equivalent Circuit of MESFET’s” Int. Journal of Infrared and Milimeter Waves, Vol. 27, No. 5, pp. 687–, 2006.
Chen, G., Kumar, V., Schwindt, R.S., Adesida, I., “A Low Gate Bias Model Extraction Technique for AlGaN/GaN HEMTs”, IEEE Trans Micr. Theory T