KaydedilenlerDerginizi ekleyin

Dergiler / Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi / 2018 / Cilt: 33 - Sayı: 2

Ortogonal dizinler kullanarak kimyasal buhar çöktürme yöntemi ile büyütülen grafenin ana etkiler analizi

Barış ŞİMŞEK
Ömer Faruk DİLMAÇ
Sayfa
649–664
Yayın Tarihi
2018-04-06
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Son olarak, ana etki grafiklerinden yararlanarak her iki sentez prosesi için optimum işletim parametreleri tahmin edilmiştir.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada, ortogonal dizinler kullanarak kimyasal buhar çöktürme yöntemi ile büyütülen grafenin ana etkiler analizi gerçekleştirilmiştir.
📊
Temel Bulgular & Veri:Bu amaçla, etanol ve asetilen kullanarak kimyasal buhar çöktürme prosesi ile grafen sentezinde grafen kusurluluğunu temsil eden ID/IG değeri ve grafen kalınlığını temsil eden I2D/IG değeri temel yanıtlar olarak seçilmiştir.
💡
Sonuç & Katkı:Son olarak, ana etki grafiklerinden yararlanarak her iki sentez prosesi için optimum işletim parametreleri tahmin edilmiştir.
🔬Tür:Araştırma Makalesi
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Ana etkiler analizi · Asetilen · Etanol

Özet

Bu çalışmada, ortogonal dizinler kullanarak kimyasal buhar çöktürme yöntemi ile büyütülen grafenin ana etkiler analizi gerçekleştirilmiştir. Bu amaçla, etanol ve asetilen kullanarak kimyasal buhar çöktürme prosesi ile grafen sentezinde grafen kusurluluğunu temsil eden ID/IG değeri ve grafen kalınlığını temsil eden I2D/IG değeri temel yanıtlar olarak seçilmiştir. Bu yanıtlar üzerinde etkili faktörler etanolün ayrışması ile grafen sentezi için sırası ile reaktör basıncı, büyütme prosesi süresi ve soğutma tipi; asetilenin ayrışması ile grafen sentezi için sırası ile tavlama sıcaklığı, tavlama süresi, büyütme prosesi asetilen akış hızı, büyütme prosesi hidrojen akış hızı, büyütme prosesi süresi, büyütme sıcaklığı ve soğutma tipi olarak belirlenmiştir. Etanolün ayrışması için L4 (23), asetilenin ayrışması için L8 (27), ortogonal deney tasarım matrisi faktör etkilerinin tahmin edilmesi için seçilmiş ve deneyler bu deney koşumları dikkate alınarak gerçekleştirilmiştir. Grafen kusurluluğunu temsil eden ID/IG değeri ve grafen inceliğini temsil eden I2D/IG değerleri üzerinde en etkili faktörler etanolün ayrışmasında reaktör basıncı ve soğutma hızı; asetilenin ayrışmasında ise tavlama süresi, büyütme prosesi asetilen akış hızı, büyütme prosesi hidrojen akış hızı olarak belirlenmiştir. Son olarak, ana etki grafiklerinden yararlanarak her iki sentez prosesi için optimum işletim parametreleri tahmin edilmiştir.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

ŞİMŞEK, B., DİLMAÇ, Ö. F. (2018). Ortogonal dizinler kullanarak kimyasal buhar çöktürme yöntemi ile büyütülen grafenin ana etkiler analizi. Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi, Cilt: 33 - Sayı: 2, 649–664. https://ajindex.com/articles/20113

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (13)

  1. Novoselov, K.S., et al., Electric field in atomically thin carbon films. Science, 2004. 306(5696): p. 666-669.
  2. Whitener Jr, K.E. and P.E. Sheehan, Graphene synthesis. Diamond and Related Materials, 2014. 46: p. 25-34.
  3. Charrier, A., et al., Solid-state decomposition of silicon carbide for growing ultra-thin heteroepitaxial graphite films. Journal of Applied Physics, 2002. 92(5): p. 2479-2484.
  4. Berger, C., et al., Ultrathin Epitaxial Graphite: 2D Electron Gas Properties and a Route toward Graphene-based Nanoelectronics. The Journal of Physical Chemistry B, 2004. 108(52): p. 19912-19916.
  5. Reich, E., Nobel document triggers debate. Nature, 2010. 468. Emtsev, K.V., et al., Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide. Nat Mater, 2009. 8(3): p. 203-207.
  6. Li, X., et al., Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils. Science, 2009. 324(5932): p. 1312-1314.
  7. Bae, S., et al., Roll-to-roll production of 30-inch graphene films for transparent electrodes. Nat Nano, 2010. 5(8): p. 574-578.
  8. Wood, J.D., et al., Effects of Polycrystalline Cu Substrate on Graphene Growth by Chemical Vapor Deposition. Nano Letters, 2011. 11(11): p. 4547-4554.
  9. Kwak, J., et al., Near room-temperature synthesis of transfer-free graphene films. Nat Commun, 2012. 3: p. 645. Terasawa, T.-o. and K. Saiki, Growth of graphene on Cu by plasma enhanced chemical vapor deposition. Carbon, 2012. 50(3): p. 869-874.
  10. Takatoshi, Y., et al., Low-temperature graphene synthesis using microwave plasma CVD. Journal of Physics D: Applied Physics, 2013. 46(6): p. 063001. Zhang, Y., L. Zhang, and C. Zhou, Review of Chemical Vapor Deposition of Graphene and Related Applications. Accounts of Chemical Research, 2013. 46(10): p. 2329-2339.
  11. Zhou, H., et al., Chemical vapour deposition growth of large single crystals of monolayer and bilayer graphene. Nat Commun, 2013. 4. Lee, J.-H., et al., Wafer-Scale Growth of Single-Crystal Monolayer Graphene on Reusable Hydrogen-Terminated Germanium. Science, 2014. 344(6181): p. 286-289.
  12. Yan, Z., Z. Peng, and J.M. Tour, Chemical Vapor Deposition of Graphene Single Crystals. Accounts of Chemical Research, 2014. 47(4): p. 1327-1337.
  13. Vo, T.H., et al., Large-scale solution synthesis of narrow graphene nanoribbons. Nat Commun, 2014. 5. Bennett, P.B., et al., Bottom-up graphene nanoribbon field-effect transistors. Applied Physics Letters, 2013. 103(25): p. 253114. Cai, J., et al., Atomically precise bottom-up fab