Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar
AI InsightBu bağlamda, yapılan çalışma, mükemmel sinerjik performansa sahip Cu-SiC kompozitlerinin üretimi için etkili bir çözüm sunmaktadır.
📌 3 Maddede Bu Makale
Özet
Yapılan çalışmada, SiC takviyeli Cu matrisli kompozitler, hızlı yoğunlaşma sağlamak, zayıf ara yüzey bağını ve tane büyümesini, fazlar arası bölgede istenmeyen fazları önlemek için kıvılcım plazma sinterleme tekniği ile üretilmiştir. Ayrıca takviye oranının (hacimce %10, 20, 30) ve tane boyutlarının (1, 11, 24 µm) bakır kompozit malzemelerin fiziko-mekanik (yoğunluk, sertlik) ve elektriksel özelliklerine etkisi amaçlanmıştır. Kompozitlerin bulk yoğunluk değerleri Arşimet yöntemi, mikroyapı analizleri taramalı elektron mikroskobu ve faz analizi X-Işınları difraksiyonu tekniği ile belirlenmiştir. Uygun sinterleme rejiminin seçimi, kompozit numunelerin istenmeyen fazlar oluşmadan, Cu ve SiC tanecikleri arasında uygun ara yüzey bağı ile neredeyse tam yoğunluğa sahip Cu-SiC kompozitlerine ulaşması için çok önemli olup bu durum çok yüksek bulk yoğunluk (min. %99,48), düşük toplam gözeneklilik (0,15-0,52), iyi sertlik (HV 122-186) ve elektriksel iletkenlik elde edilmesini sağlamıştır. İnce SiC tanecikleri (~1 mikron) kullanıldığında ve SiC miktarı arttığında, elektrik iletkenliğinde fazla bir kayıp olmadan kompozitlerin sertlik değeri etkili bir şekilde artmıştır. Bu bağlamda, yapılan çalışma, mükemmel sinerjik performansa sahip Cu-SiC kompozitlerinin üretimi için etkili bir çözüm sunmaktadır.
Abstract
In this study, SiC reinforced Cu matrix composites were produced by spark plasma sintering to provide rapid consolidation and to prevent weak interfacial bonding and grain growth, undesired phases at the interphase region. In addition, the influence of the reinforcement ratio (vol.% 10, 20, 30) and particle sizes (1, 11, 24 µm) on the physico-mechanical (density, hardness) and electrical characteristics of copper composite materials was aimed. The bulk density values were determined by Archimedes’ method, SEM, EDS, and XRD analysis were used to identify microstructural factors and phase analysis. It was found that the selection of the appropriate sintering regime is very important for composite samples to reach nearly fully dense Cu-SiC composites with proper interfacial bonding between Cu and SiC grains without the formation of any undesired phases, results in very high relative density (min. 99.48%), low total porosity (0,15-0,52), good hardness (HV 122-186) and electrical conductivity. When fine SiC grains (~1 micron) are used and the amount of SiC increases, the hardness value of the composites was effectively improved without much loss in electrical conductivity. In this respect, this study provides an effective solution for the production of Cu-SiC composites with excellent combined performance.